氮化镓(GaN)产业链、竞争格局、市场格局及替代空间分析

2024-05-22 誉鸿锦半导体公众号
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1、氮化镓(GaN)产业链结构分析

GaN产业链一般划分为上游的材料即衬底和外延片、中游的器件和模组、下游的系统和应用。GaN材料的应用,主要包括衬底制备和外延工艺两个环节。衬底是制作半导体器件的基础材料,一般为外延材料的同质材料或适配的异质材料制成的晶圆片。半导体行业的外延概念,是指在衬底上生长一层新单晶薄膜的过程,新单晶薄膜可以与衬底为同质材料,也可以是异质材料。经过外延生长环节制成的外延片,是半导体器件制造的基础原材料。

氮化镓(GaN)产业链结构图

氮化镓(GaN)材料是第三代半导体的代表,其具有出色的抗击穿能力,耐受更高的电子密度,有更高的电子迁移率,在半导体中通常用于光电子、微波射频和电力电子三大领域。其中,光电子领域包括了LED、激光器等应用,电力电子方向包括了智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费电子等应用,微波射频方向包含了通信、雷达预警等应用。


GaN是蓝、绿光LED的基础材料,1992年,日亚化学工业株式会社的中村修二等人借助蓝宝石衬底和氮化镓铟(InGaN)材料成功实现了高光输出效率蓝光LED的产业化,其后在蓝光LED芯片上涂覆黄色荧光粉的封装技术出现,实现了可以实用化的白光LED产品,开启了半导体照明及全彩色LED显示应用的新时代。


蓝宝石是目前GaN器件使用量最大、最成熟的衬底材料,通过蓝宝石衬底制造的GaN器件通常被归类为蓝宝石上氮化镓技术产品(GaN on Sapphire),大部分光电应用的GaN器件都是通过蓝宝石衬底外延GaN制造的。GaN半导体器件的另外两种常用衬底是Si和SiC,通常称为GaN-on-Si(硅基氮化镓)和GaN-on-SiC(碳化硅基氮化镓)器件,目前主要应用在射频器件、功率器件等领域。


2、第三代半导体潜在市场空间巨大

GaN主要用于LED、微波射频和功率器件等领域,目前GaN主要被用于5G有源天线系统(AAS)和手机功率放大器(PA)等新产品中。展望未来,5G通讯、消费电子快充和车规级充电成为GaN产品规模扩张的主要动力。


在5G和更高频率应用中,GaN的效率比LDMOS/硅器件要高10%-15%,预计在5G基站PA中份额将持续提升;手机快充逐渐普及,消费级快充将成为推动GaN功率器件渗透的重要因素。GaN RF市场规模将从2019年的7.4亿美元增长至超过20亿美元,年复合增长率为12%;此外,预计2024年GaN电源市场产值将超过3.5亿美元,CAGR达85%,其中GaN快充将成为推动产业高成长的主要力量。


3、市场格局分析及替代空间广阔

从GaAs、GaN和SiC市场竞争格局来看,目前化合物半导体产业链各环节以欧美、日韩和中国台湾企业为主,大陆企业在技术实力、产能规模和市场份额方面与领先企业均具有不小差距,市场话语权较弱。以砷化镓为例,GaAs产业链可分为上游外延片、中游晶圆制造和下游GaAs元件三大环节,三大环节均以海外为主导。其中,上游外延片前三大厂商分别为英国厂商IQE(54%)、台湾厂商VPEC(占比25%)和日本厂商住友化学(SumitomoChemical),CR3高达92%;中游晶圆代工领域台湾厂商稳懋一家独大,市场占有率高达71.1%;下游GaAs企业市占率前三均被美国厂商把持,分别为:Skyworks(32.3%)、Qorvo(26.0%)和Broadcom(9.1%),CR3为67.4%。大陆企业GaAs产业链竞争格局处于弱势,在单晶制造、外延片中的射频器件、IDM中的射频器件等环节竞争力相对缺失。


江西誉鸿锦材料科技有限公司历经十余年的技术沉淀和积累,坚持不懈地精进工艺研发,现阶段已经建成氮化镓器件从外延到封测的全产业链生产体系。相关氮化镓器件产品也将在各类终端应用方案中推向市场,以期获得行业用户的认可。


我们是第三代半导体产业的新成员,但是我们会一如既往地致力于全产业链工艺完善和创新,以优质的产品方案来回馈合作伙伴!为第三代半导体产品尽快完成国产替代这一目标作出应有贡献!

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奥伦德(Orient)光电耦合器/外延芯片/传感器选型指南

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