自主全流程IDM企业誉鸿锦材料科技有限公司 ∣ 视频

誉鸿锦半导体GaN器件品牌发布会，携全产业链Super IDM模式实现产业效率革命

誉鸿锦半导体GaN器件品牌发布会由品牌战略官张雷主持，首次向行业展示了Super IDM产业集群的生态模式，带来了氮化镓半导体产业链的效率革命。实现了1.5年从建厂到中试线稳定产能1.5万片、7天外延至成品器件周期、量产平均良率85%、研发周期和建线成本较行业减少2/3的惊人成果。超过十多家媒体，多个地方政府招商团、数十个行业投资机构，几十个上下游企业代表参与了该发布会。

海威华芯携5G基站用GaN功放芯片和快充用GaN功率芯片参展

海威华芯与中电化合物半导体合作，攻克了高阻碳化硅衬底合成，高质量GaN异质结外延，芯片制造关键单项工艺及整合，制备出了全中国第一片6英寸碳化硅基氮化镓微波功率晶圆，打破了国际上对我国芯片制造关键技术的封锁，实现了拥有独立自主知识产权的重大技术突破，开发出应用于5G宏基站的GaN功放芯片。

提供无与伦比的100W应用设计，泰高技术大功率氮化镓射频前端芯片实现更为稳定、高效的无线连接体验

泰高技术是一家专注于提供广泛射频开关产品的公司，产品组合包括功率范围在10W到100W之间的平均功率射频开关，并采用小巧的QFN封装。与传统的PIN二极管开关不同的是，泰高技术的产品只需2.6V到5.5V电源供应，无需额外的高压供电或被动元件。这个设计巧妙地节约了宝贵的电路板空间，为客户提供更大的灵活性和便利性。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

华太固态射频功放管助力射频能量创新方案：频段覆盖2400-2500MHz，提供350W连续波饱和功率

随着射频能源技术的快速发展，固态半导体射频设备正逐渐取代传统的磁控管系统，成为射频加热应用的新选择。固态射频设备凭借更高的功率密度、精确控制和可靠性，在工业加热、干燥、解冻、以及医疗等多个领域展现出巨大的市场潜力。本篇文章华太将对关键器件——基于氮化镓技术的功率放大器在射频加热应用中的优势与应用场景进行讨论。

肖特基二极管厂家

江西誉鸿锦第三代半导体芯片全产业链项目由深圳誉鸿锦芯科技合伙企业（有限合伙）投资，主要从事高品质氮化镓（GaN）电子材料和高端光电材料的MOCVD外延生长及器件流片、模组的研发和生产制造。该材料广泛用于用于新能源汽车、数据中心、超算中心及5G通讯领域。

能华半导体授权世强硬创代理氮化镓外延片及器件，器件阈值电压提高约60%

能华半导体E-mode GaN产品采用增强型氮化镓（GaN）技术，较常规产品来说，其阈值电压（VTH）提高约60%。

国内月产能Top，氮化镓IDM行业新秀誉鸿锦授权世强硬创代理全线

誉鸿锦氮化镓产品广泛用于新能源汽车、数据中心、超算中心、5G通讯及杀菌消毒等领域。

亚成微高雪崩高可靠性超结MOSFET在DJI大疆100W双USB-C口氮化镓桌面充电器的应用

大疆这款100W氮化镓充电器采用PFC+LLC+DC-DC的架构设计，PFC使用镓未来氮化镓功率芯片配合瑞能二极管整流，LLC采用亚成微RMD65R380SN MOS管组成半桥。滤波电容来自冠坤电子，输出使用两颗维安的低压MOS管用于同步整流，电源初级主控芯片和同步整流控制器均来自NXP恩智浦。