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时间： 2024-04-26 来源：誉鸿锦

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江西誉鸿锦材料科技有限公司从事第三代化合物半导体材料—氮化镓（GaN）系列材料的开发制造和应用。二十余年来专注于GaN材料外延、电子器件、光电器件和器件封装等的研发和生产，拥有坚实的理论基础和丰富的实战经验，掌握氮化镓外延、器件制备和封装等领域的核心技术，誉鸿锦公司的GaN材料外延和器件的性能达到世界先进水平。誉鸿锦公司的主要产品有高性能肖特基二极管势垒（SBD）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、射频/功率放大器（RF PA）、深紫外发光二极管（UVC-LED）等，这些产品广泛用于新能源汽车、数据中心、超算中心、5G通讯及杀菌消毒等领域。江西誉鸿锦材料科技有限公司将致力于实现氮化镓电子器件和高端光电器件领域的“中国智造”！

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用户76672544 Lv5 2024-04-28

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誉鸿锦半导体GaN器件品牌发布会，携全产业链Super IDM模式实现产业效率革命

誉鸿锦半导体GaN器件品牌发布会由品牌战略官张雷主持，首次向行业展示了Super IDM产业集群的生态模式，带来了氮化镓半导体产业链的效率革命。实现了1.5年从建厂到中试线稳定产能1.5万片、7天外延至成品器件周期、量产平均良率85%、研发周期和建线成本较行业减少2/3的惊人成果。超过十多家媒体，多个地方政府招商团、数十个行业投资机构，几十个上下游企业代表参与了该发布会。

2024-04-29 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

提供无与伦比的100W应用设计，泰高技术大功率氮化镓射频前端芯片实现更为稳定、高效的无线连接体验

泰高技术是一家专注于提供广泛射频开关产品的公司，产品组合包括功率范围在10W到100W之间的平均功率射频开关，并采用小巧的QFN封装。与传统的PIN二极管开关不同的是，泰高技术的产品只需2.6V到5.5V电源供应，无需额外的高压供电或被动元件。这个设计巧妙地节约了宝贵的电路板空间，为客户提供更大的灵活性和便利性。

2023-09-01 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

尺寸减半、高效率替代功率MOSFET的EPC氮化镓场效应晶体管，市场占有率世界第一

EPC推出的GaN FET产品具有小尺寸、高开关速度等突出优势，在性能上比硅材料的功率器件优越很多。其目标应用包括DC/DC转换器、无线电源传送、包络跟踪、激光雷达（LiDAR）及D类音频放大器等

2018-06-08 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

时代速信（SDSX）GaAs&GaN射频芯片/Wi-Fi 6 芯片/硅基氮化镓(GaN on Si)功率芯片选型指南

公司简介基站射频解决方案低噪放和增益模块/功放/FEM和电力电子系列产品介绍

时代速信 - GAN MMIC PA,MMIMO GAN 功放,射频前端模块,高线性功放,GAN 小站功放,氮化镓MMIMO分立PA,5G毫米波功放,GAAS 小站功放,氮化镓微波单片集成电路PA,接收前端模块,微波功放,小单元GAAS DOHERTY功放模块,GAAS LNA,WIFI-6 FEM,砷化镓低噪声放大器,RX FRONT-END MODULE,低噪放和增益模块,GAAS 功放,GAN小站功放,GAN MMIMO PA MODULE,MMIMO GAN功放,高线性驱动放大器,射频芯片,5G毫米波MMIC,GAAS SMALL CELL PA,大功率MMIC,砷化镓小单元功率放大器,GAN SMALL CELL PA,氮化镓MMIMO功率放大器模块,GAN MMIMO DISCRETE PA,GAN MMIC,氮化镓微波单片集成电路,SMALL CELL GAAS DOHERTY PA MODULE,GAAS MMIC PA,GAAS微波单片集成电路功率放大器,氮化镓小电池PA,GSL805,GSL809AD,TC5985,GSP2P204AL,GSL805AD,GSL802,GHHS065400AD,GSP3P604AL,GSP2P404AL,GSL809,GHHS065200AD,GSP1P904AL,5G SMALL CELL 基站,4G SMALL CELL 基站,4G/5G SMALL CELL 基站,MASSIVE MIMO 基站

2021年10月 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

CorEnergy（能华半导体）外延片和功率器件选型指南

作为行业领先的以氮化镓功率器件为主的IDM公司，目前公司的产品线涵盖氮化镓外延片、氮化镓功率场效应管、氮化镓集成功率器件以及氮化镓芯片代工等。As a leading IDM company in the industry mainly focused on GaN power devices, the company's product portfolio currently covers GaN epitaxial wafers, GaN power field-effect transistors, GaN integrated circuits, and customer-specified GaN foundry services.

CORENERGY - 氮化镓功率场效应管,RF HEMT,氮化镓集成功率器件,D模式高电子迁移率晶体管,GAN EPITAXY,氮化镓外延片,功率高电子迁移率晶体管,POWER HEMT,射频高电子迁移率晶体管,D-MODE HEMT,E型高电子迁移率晶体管,氮化镓外延,E-MODE HEMT,氮化镓芯片,功率器件,CE65H900TOBI,CE65E160DNHI,CE65H270DNFI,CE65H600TOGI,CE65H160DNFI,CE65H600TOEI,CE65H160TOAIF,CE65E300DNYI,CE65H070TODI,CE65H160DNHI,CE65H270DNHI,CE65D150DNBI,CE65H270TOBI,CE65H270TOHI,CE65H270DNGI,CE65H900TOEI,CE12E075DNHI,CE65H110DNDI,CE65H160DNGI,CE12H160DNFI,CE65H600TOHI,CE65H160TOFIF,CE65H070TOCI,CE65H600TOBI,CE65E160DNYI,CE65H900TOGI,CE65H270TOGI,CE65H110TOFI,CE90E075DNHI,CE65H270TOEI,POWER TOOL,TV,伺服器,汽车,PD FAST CHARGER,SERVER,ADAPTER,个人计算机,电动工具,笔电,适配器,PC,COREGAN POWER,激光电视,COREGAN 电源,PD快速充电器,服务器,氮化钴粉末,消费级应用,工业,PD快充,电视

2023/4/20 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

Wise integration（怀智半导体）在2020年从CEA（法国研究院）独立，在5个国家或者地区都有分公司。生产的数字电源管理芯片可以在零电压开关前提下，将氮化镓MOS管以兆赫兹速度开关，将电源功率密度推向极致。公司致力于开发提高电源系统效率跟提高功率密度的两种关键器件：WiseGan氮化镓功率开关管和WiseWare用于各种功率转换的电源管理芯片。

数字控制 32 位 MCU 带驱动器的 GaN MOSFET 半桥结构 GaN MOSFET GaN FET 裸片

代理服务线上商城技术资料

泰高（Tagore）主要从事基于第三代半导体氮化镓基及碳化硅基材料技术的集成电路的研发和销售，泰高技术所研发的氮化镓芯片已经被超过 60 家以上的欧美国际大公司广泛采用，是世界上第一家同时具备氮化镓、碳化硅及砷化镓芯片工艺技术创新解决方案的公司。

氮化镓电源芯片工艺低噪声放大器射频功率放大器射频开关

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顶诺微电子（DNmicron）是一家高频大功率半导体供应商，致力于高效能第三代半导体功率芯片的研发与制造，主要产品包括射频和功率器件，主营方向为射频二极管、PIN二极管、大功率射频开关，射频功率放大器等。世强是顶诺微电子（DNmicron）官方授权一级分销商。

检波器功率放大器脉冲电源 GaN功率管

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HTH1D38S010P 10 W、2.3-4.0 GHz氮化镓放大器产品规格书

HTH1D38S010P是一款10W、2.3-4.0GHz的GaN功率放大器，适用于蜂窝基站应用，具有10W饱和输出功率，覆盖2.3至4.0GHz的频率范围。该产品具有高效率、高增益和先进的线性性能等特点。

华太 - 氮化镓功率晶体管,GAN AMPLIFIER,氮化镓放大器,GAN POWER TRANSISTOR,HTH1D38S010P,达斯,DAS,ACTIVE ANTENNA ARRAY,REPEATERS,5G MMIMO,5G MMIMO,中继器,宏基站,有源天线阵,SMALL CELLS,MACRO BASE STATIONS,小细胞

04/2023 - 数据手册 - Rev. 1.0 代理服务技术支持采购服务

氮化镓器件在射频领域中的应用，具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势

碳化硅基氮化镓射频器件具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势，主要应用于面向通信基站及雷达应用的功率放大器。碳化硅基氮化镓射频器件是迄今为止最为理想的微波射频器件，是4G/5G移动通讯系统、新一代有源相控阵雷达等系统的核心微波射频器件。随着信息技术产业对数据流量、更高工作频率和带宽等需求的不断增长，氮化镓器件在基站中应用越来越广泛。

2024-05-23 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

江西誉鸿锦（NITRIDE）材料科技有限公司从事第三代化合物半导体材料—氮化镓（GaN）系列材料的开发制造和应用。二十余年来专注于GaN材料外延、电子器件、光电器件和器件封装等的研发和生产，拥有坚实的理论基础和丰富的实战经验，掌握氮化镓外延、器件制备和封装等领域的核心技术，本公司的GaN材料外延和器件的性能达到世界先进水平。

氮化镓MOS管氮化镓SBD 氮化镓激光器氮化镓功率放大器氮化镓外延片及流片

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HTH1D38P060P 56 W、3.4-3.8 GHz氮化镓放大器产品规格书

该资料详细介绍了HTH1D38P060P这款56W、3.4-3.8GHz的GaN放大器。该放大器适用于蜂窝基站应用，具有宽瞬时带宽，覆盖3400至3800MHz的频率范围。资料中包含了产品特性、典型性能、电气规格、RF特性、热信息、参考设计、性能图表、引脚配置、封装尺寸、处理注意事项、RoHS合规性、数据表状态、修订历史、缩写和联系信息等内容。

华太 - 非对称DOHERTY射频功率氮化镓晶体管,GAN AMPLIFIER,ASYMMETRICAL DOHERTY RF POWER GAN TRANSISTOR,氮化镓放大器,HTH1D38P060P,达斯,ACTIVE ANTENNA ARRAY,REPEATERS,5G MMIMO,5G MMIMO,MICRO BASE STATION,宏基站,有源天线阵,DAS,中继器,MOBILE INFRASTRUCTURE,MACRO BASE STATIONS,移动基础设施,微基站

03/2024 - 数据手册 - Rev. 2.0 代理服务技术支持采购服务