荣获双奖，创新不止！蓉矽半导体第二代车规级SiC MOSFET正式发布

时间： 2024-05-14 来源：NOVUSEM（蓉矽半导体）微信公众号

技术问答

4月23日，以“新能源芯时代”为主题的“CIAS2024功率半导体新能源创新发展大会在苏州狮山国际会议中心圆满举行。

一、荣获双奖，再接再厉

在当天晚上的CIAS金翎奖颁奖典礼上，蓉矽半导体1200V/75mΩ NovuSiC® MOSFET和1200V/40mΩ DuraSiC® MOSFET分别荣获：“2024 年度最具市场力产品奖”“2024 年度最具创新力产品奖”双料奖项，证明了蓉矽半导体卓越的产品价值和充分的市场认可。

载誉前行

4月24日，蓉矽半导体研发中心总经理高巍博士受邀出席汽车电子创新论坛并作主题演讲。

二、高可靠性车载SiC功率器件是高质量国产替代的关键

在演讲中，他首先指出，SiC作为第三代半导体材料，因其材料性能推动了器件性能的提升，继而带动了系统性能的优化，在OBC和主逆变应用中，可有效降低系统损耗和成本，提高系统效率，是新能源汽车应用的主流趋势。与此同时，车载应用需要满足严苛的高可靠性要求，这对产品供应商的设计工艺、质量管理体系、供应链体系等提出了挑战。

针对上述问题，蓉矽半导体在常规UIS、DVDS筛选的基础上，增加了高应力测试项目以删除早期失效产品；降低工作状态下的栅氧化层电场强度，有效缓解因隧穿电流造成的退化，延长器件寿命、降低器件偶发失效率。

图：VGS高栅压应力脉冲筛选

为保障栅氧可靠性，蓉矽半导体采取了以下对策：

1、增加栅氧化层厚度

栅极氧化层的可靠性随氧化层厚度的增加而呈指数级提高，但导通电阻仅呈线性增加。蓉矽半导体通过优化栅氧化层厚度与电阻的关系，在保证导通电阻的前提下采用更厚的栅氧，保证电性能的同时提高了栅氧可靠性。

2、在晶圆测试阶段引入WLTBI

晶圆测试阶段引入WLTBI（Wafer-Level Test & Burn-In）在高温度/电压应力的作用下，筛除SiC MOSFET中早期失效和偶发失效过渡区域内存在风险的器件。依托蓉矽半导体自建的栅氧寿命评估模型，通过WLTBI的老化筛选，完全可以满足栅氧20年寿命的车规要求。

在CIAS2024功率半导体新能源创新发展大会上，蓉矽半导体正式发布第二代SiC MOSFET。

三、新品发布，创新不止

在展会现场，蓉矽半导体正式发布第二代1200V SiC MOSFET产品，获取更多产品信息可联系本公司。

四、关于“金翎奖”

“金翎奖”评选活动是由CIAS组委会组织并公开举办的行业专业评选，创办于2021年，旨在推动车规级功率半导体产业发展，鼓励技术创新、提升企业品牌价值，展望行业和企业未来发展。迄今为止，共计超500家功率半导体企业报名、约350款功率半导体产品申报，吸引30万+专业读者在线投票，是高含金量的功率半导体行业大奖。

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选型指南 - HI-SEMICON - 2022/11/18 PDF 中文下载

瞻芯电子SiC MOSFET选型表

瞻芯电子提供以下参数选型：汽车级&工业级，VDS（V）：650V~1700V，RDS(ON) ：15mΩ~10000mΩ。

产品型号	品类	Qualification	VDS（V）	RDS(ON) （mΩ）	ID（TC=25°C）（A）	VTH（ TJ =25°C）（V）	VTH（ TJ =175°C）（V）	Qg（nC）	Operating Junction Temperature（°C）	Package
IV2Q06025T4Z	SiC MOSFET	汽车级	650V	25mΩ	99A	2.8V	2.0V	125.0nC	-55°C to 175°C	TO247-4

选型表 - 瞻芯电子立即选型

碳化硅功率半导体在新能源汽车领域的应用

新能源汽车是“中国制造2025”战略的重点领域之一。在未来5年内，中国将超越美国，成为全球最大的电动汽车市场。中瑞宏芯在制造碳化硅器件领域的专有技术能够为电动汽车应用提供完整的解决方案。中瑞宏芯的产品可用于新能源汽车OBC、HV-LV DC-DC转换器、电驱逆变器、充电桩及电动空调压缩机控制器、PTC加热器等。

技术探讨发布时间 : 2024-11-08

【视频】蓉矽高可靠性SiC功率器件在光储充与新能源汽车上的应用

型号- NCD30S40TTD,NC1M120C12HT,NC1M120C12W,NC1D120C10AT,NCD30S20TTD,NC1D120C20KT,NC1D120C30KT,NC1M120C40HT,NC1M120C75HT

商品及供应商介绍 - NOVUSEM PPTX 中文下载

1700V SiC MOSFET在大功率能源及工业领域的应用

1700V SiC MOSFET的低开关损耗可提高开关频率，且每个单元的总体尺寸大幅减小。同时，1700V的高阻断电压还可减少达到相同直流电压所需的单元数。在以上种种简化和优化后，终端应用的系统可靠性大大提升，而更少的有源开关和栅极驱动器也降低了整体成本。SMC桑德斯微电子根据客户的需求设计和生产半导体及相关产品。

应用方案发布时间 : 2024-06-18

【元件】瑞之辰推出首款SiC MOSFET PIM模块，可替代硅基IGBT芯片的模块，系统损耗降低三分之一

又有一家国内企业在车规级SiC技术的研发和应用方面实现了新的突破。深圳市瑞之辰科技有限公司推出了首款基于SiC MOSFET技术的PIM模块，实现了对硅基IGBT芯片的模块替代，在系统损耗方面降低了三分之一。与此同时，这款产品在技术上突破传统PIM模块灌封封装模式，模块体积减少约57％，而且使用了瑞之辰自主研发的10项工艺创新，模块可靠性得到大幅提升，非常适用于新能源汽车、充电桩、储能等新兴领域。

产品发布时间 : 2024-11-01

蓉矽1200V 40mΩ碳化硅产品NC1M120C40HT用于车载充电机，整体系统效率提升约为2%，峰值可达97%以上

蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，支持11kW/22kW大功率主流充电，适配目前OBC 800V高电压电池发展趋势。采用1200V SiC器件可以简化系统拓扑复杂度，总损耗可降低50%以上，磁性器件体积可降低70%以上。整体系统效率提升约为2%，峰值可达97%以上。

应用方案发布时间 : 2024-07-17

世强硬创获蓉矽授权，代理车规级碳化硅MOSFET/EJBS/二极管等产品

蓉矽SiC MOSFET系列是采用第三代宽禁带半导体碳化硅制造的一种高耐压、低电阻、高频应用的MOSFET，分有高性价比的NovuSiC®和高可靠性的DuraSiC®系列。

签约新闻发布时间 : 2023-09-06

高压快充推动碳化硅SiC器件产业化：新能源汽车市场趋势与技术革新

随着全球新能源汽车市场的蓬勃发展，高压快充技术作为新能源汽车补能的主要解决方案，正逐步成为市场主流。凭借多年来在磁性元器件领域中积累的研发技术、生产经验，铭普已形成PFC电感、共模电感、电源变压器、PLC变压器和塑封逆变电感等系列产品矩阵且积极与碳化硅芯片公司合作。

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【元件】瑶芯新一代1200V G4.5碳化硅MOSFET，持续赋能新能源产业高速发展

瑶芯微电子科技推出了1200V G4.5 SiC MOSFET系列，提升了导通电阻和动态性能，适用于高压应用如OBC。新一代G5产品即将推出，预计进一步降低导通电阻。1200V G4.5平台在多个性能指标上优于前代，提高了效率和性能。公司还提供MEMS传感器和信号链IC，服务于多个应用领域。

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瞻芯电子提出新能源汽车恒流预充固态继电器方案，体积大幅降低70%以上，性能优异，成本更低

瞻芯电子提出了一种新颖的高压预充方案，采用恒流控制的buck电路，可将后级母线电容快速充到电池电压。该方案采用碳化硅（SiC）MOSFET和碳化硅（SiC）SBD组成恒流充电回路，整个预充过程电流恒定，既降低了对于功率器件的要求，同时也大大提高了预充速度，而且不需要电阻，即可让后级电容充到母线电压。

应用方案发布时间 : 2023-11-20

蓉矽半导体碳化硅产品在车载充电机中的应用：已通过AEC-Q101测试和HV-H3TRB考核

为了提升充电效率，延长续航里程，800V高压平台成为主流选择。使用1200V碳化硅MOSFET对提升OBC功率密度、降低重量具有积极意义和显著效果。NOVUSEM自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，支持11kW/22kW大功率主流充电，适配目前OBC 800V高电压电池发展趋势。

应用方案发布时间 : 2024-07-20