荣获双奖，创新不止！蓉矽半导体第二代车规级SiC MOSFET正式发布
4月23日，以“新能源 芯时代”为主题的“CIAS2024功率半导体新能源创新发展大会在苏州狮山国际会议中心圆满举行。
一、荣获双奖，再接再厉
在当天晚上的CIAS金翎奖颁奖典礼上，蓉矽半导体1200V/75mΩ NovuSiC® MOSFET和1200V/40mΩ DuraSiC® MOSFET分别荣获：“2024 年度最具市场力产品奖”“2024 年度最具创新力产品奖”双料奖项，证明了蓉矽半导体卓越的产品价值和充分的市场认可。
载誉前行
4月24日，蓉矽半导体研发中心总经理高巍博士受邀出席汽车电子创新论坛并作主题演讲。
二、高可靠性车载SiC功率器件是高质量国产替代的关键
在演讲中，他首先指出，SiC作为第三代半导体材料，因其材料性能推动了器件性能的提升，继而带动了系统性能的优化，在OBC和主逆变应用中，可有效降低系统损耗和成本，提高系统效率，是新能源汽车应用的主流趋势。与此同时，车载应用需要满足严苛的高可靠性要求，这对产品供应商的设计工艺、质量管理体系、供应链体系等提出了挑战。
针对上述问题，蓉矽半导体在常规UIS、DVDS筛选的基础上，增加了高应力测试项目以删除早期失效产品；降低工作状态下的栅氧化层电场强度，有效缓解因隧穿电流造成的退化，延长器件寿命、降低器件偶发失效率。
图：VGS高栅压应力脉冲筛选
为保障栅氧可靠性，蓉矽半导体采取了以下对策：
1、增加栅氧化层厚度
栅极氧化层的可靠性随氧化层厚度的增加而呈指数级提高，但导通电阻仅呈线性增加。蓉矽半导体通过优化栅氧化层厚度与电阻的关系，在保证导通电阻的前提下采用更厚的栅氧，保证电性能的同时提高了栅氧可靠性。
2、在晶圆测试阶段引入WLTBI
晶圆测试阶段引入WLTBI（Wafer-Level Test & Burn-In）在高温度/电压应力的作用下，筛除SiC MOSFET中早期失效和偶发失效过渡区域内存在风险的器件。依托蓉矽半导体自建的栅氧寿命评估模型，通过WLTBI的老化筛选，完全可以满足栅氧20年寿命的车规要求。
在CIAS2024功率半导体新能源创新发展大会上，蓉矽半导体正式发布第二代SiC MOSFET。
三、新品发布，创新不止
在展会现场，蓉矽半导体正式发布第二代1200V SiC MOSFET产品，获取更多产品信息可联系本公司。
四、关于“金翎奖”
“金翎奖”评选活动是由CIAS组委会组织并公开举办的行业专业评选，创办于2021年，旨在推动车规级功率半导体产业发展，鼓励技术创新、提升企业品牌价值，展望行业和企业未来发展。迄今为止，共计超500家功率半导体企业报名、约350款功率半导体产品申报，吸引30万+专业读者在线投票，是高含金量的功率半导体行业大奖。
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