碳化硅MOS在开关电源上的应用

时间： 2024-04-28 来源：森国科

代理服务

技术支持

批量订货

碳化硅MOS是一种关键的功率半导体器件，其在开关电源中扮演着重要角色。本文将详细介绍碳化硅MOS在开关电源中的应用，从其原理、特性到具体的应用案例，以及未来的发展趋势。森国科基于国内市场需求，已推出多款SiC MOS产品选型及封装，可供下游厂商拿样实测。

碳化硅MOS的原理和特性

碳化硅MOS是一种基于碳化硅（SiC）材料的MOS场效应晶体管（MOSFET）。相比于传统的硅（Si）MOSFET，碳化硅MOSFET具有许多优势，包括：

1、高电子迁移率：碳化硅材料具有较高的电子迁移率，使得碳化硅MOSFET具有更低的导通电阻和更高的开关速度。

2、高击穿电场强度：碳化硅材料的击穿电场强度比硅材料高几倍，使得碳化硅MOSFET能够承受更高的工作电压。

3、高温性能优异：碳化硅MOSFET在高温环境下依然能够保持稳定的性能，适用于苛刻的工业应用场景。

4、低开关损耗：碳化硅MOSFET的开关损耗较低，能够提高系统的能效。

碳化硅MOS在开关电源中的应用

碳化硅MOSFET广泛应用于各种类型的开关电源中，包括直流-直流（DC-DC）转换器、逆变器、充电器等。其主要应用包括但不限于：

1、高频开关电源：碳化硅MOSFET的高开关速度和低导通电阻使其成为高频开关电源的理想选择。在这些应用中，碳化硅MOSFET能够实现更高的功率密度和更高的能效。

2、太阳能逆变器：碳化硅MOSFET在太阳能逆变器中具有良好的适应性，能够提高逆变器的转换效率和稳定性，降低系统的维护成本。

3、电动汽车充电桩：碳化硅MOSFET在电动汽车充电桩中能够实现快速、高效的充电，同时具备高温环境下的稳定性和可靠性。

碳化硅MOS的未来发展趋势

随着对能源效率和环境友好性要求的提高，碳化硅MOSFET将在未来得到更广泛的应用。未来的发展趋势包括但不限于：

-集成化和模块化：碳化硅MOSFET将更多地集成到功率模块中，以提高系统的集成度和可靠性。

-封装技术的创新：新型封装技术将进一步提升碳化硅MOSFET的散热性能和耐高温性能。

-多电源系统的应用：碳化硅MOSFET将被用于多电源系统中，包括电动汽车、可再生能源等领域，以满足对高功率密度和高温性能的需求。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由雪飘梦飞转载自森国科，原文标题为:碳化硅MOS在开关电源上的应用，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

全部评论（0）

暂无评论

解读SiC MOSFET关键参数——Rds(on)

当代电子技术的发展不仅需要高效性能，还需要可靠和可持续的解决方案。而SiC MOSFET作为一种新型的功率器件，正在引领着未来能源转型的浪潮。今天，我们要聊的主角是碳化硅MOSFET中的一个关键参数——Rdson，这个参数的优化，就像是在节能减排的长跑中，为我们的电动汽车、可再生能源系统换上了更轻盈的跑鞋。

2024-07-11 - 技术探讨代理服务技术支持批量订货

探究碳化硅MOS：为您带来更高效、更可靠的电力传输

随着科技的不断进步，电力传输系统对于可靠性和效率的要求也越来越高。而碳化硅MOS产品的出现，则为电力传输系统带来了更加卓越的表现。本文中钜兴来与大家一同探究碳化硅MOS，希望对各位工程师朋友有所帮助。

2024-07-29 - 技术探讨代理服务技术支持批量订货

解析SiC MOSFET短路特性及技术优化

SiC器件管芯面积小，电流密度大，短路能力相对较弱，因此需要充分认识SiC器件的短路机理，揭示影响短路特性的关键因素，从而实施有效的保护，以保证SiC功率器件及SiC基变换器安全可靠工作。本文中森国科就来给大家解析SiC MOSFET短路特性及技术优化。

2023-11-02 - 技术探讨代理服务技术支持批量订货

B2M040120T SiC MOSFET

描述- 本资料详细介绍了B2M040120T型号的SiC MOSFET产品，包括其产品概述、特性、应用领域、最大额定值、电气特性、封装特性、热特性、开关特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。该产品适用于高频率操作，具有高阻断电压、低导通电阻和低电容等特点，适用于开关电源、微逆变器、太阳能逆变器、电机驱动器、DC/DC转换器和OBC等领域。

型号- B2M040120T

2024-10-25 - 基本半导体 - 数据手册 - Rev. 0.1 代理服务技术支持批量订货

【选型】力特1700V SiC MOSFET助力光伏逆变器1500V系统辅助电源高效稳定运行

现在光伏逆变器电压等级提升到1500V，如果选用单端反激拓扑，单管MOS耐压值需要超过3000V，因此建议采用双管反激方案，推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO170E1000，1700V高耐压，同时采用常用的TO247封装，可直接替换Si MOS使用。

2020-12-29 - 器件选型代理服务技术支持批量订货

B2M040120Z碳化硅MOSFET

描述- 本资料介绍了B2M040120Z型号的碳化硅（SiC）MOSFET的特性、最大额定值、电学特性、热特性、典型性能和应用领域。该器件具有低导通电阻、高阻断电压、低电容等特点，适用于开关电源、逆变器、电机驱动器和电动汽车充电站等领域。

型号- B2M040120Z

2023-08-10 - 基本半导体 - 数据手册 - Rev. 0.1 代理服务技术支持批量订货查看更多版本

SL87N120A 1200V 17mΩSiC MOSFET

描述- 本资料介绍了SL87N120A SiC MOSFET的特性，包括其高压、低导通电阻、高速和高工作结温等特点。该产品适用于EV主驱逆变器、光伏逆变器、电机驱动和高压DC/DC变换器等领域。

型号- SL87N120A

03 May 2020 - SLKOR - 数据手册 - Rev.1 代理服务技术支持批量订货

森国科碳化硅MOSFET K3M075120-J用于焊机技术，大大提升能效转换，降低流程损耗

森国科的碳化硅MOS管K3M075120-J在120A焊机上的应用展现了碳化硅技术在工业焊接领域的巨大优势。通过提高能效、加快响应速度、增强可靠性、减小体积以及扩展使用范围，该技术不仅提升了焊接设备的性能，也为制造业带来了更高的生产效率和更低的运营成本。随着碳化硅技术的不断成熟和普及，我们有理由相信，未来焊接技术将因此实现更大的飞跃。

2024-08-20 - 应用方案代理服务技术支持批量订货

HPA65C045R 650V SiC MOSFET

描述- 本资料介绍了HPA65C045R SiC MOSFET的特性、应用领域和电气参数。该产品采用宽禁带SiC技术，具有低导通电阻、高阻断电压、低电容和高速度切换等特点，适用于开关电源、可再生能源、电机驱动和高电压DC/DC转换等领域。

型号- HPA65C045R

July 2024 - SEMIHOW - 数据手册 - REV.A0 代理服务技术支持批量订货

提升微型逆变器能效转换，首推森国科1200V、40A SiC MOSFET

森国科的1200V、40A SiC MOSFET具有较高的开关速度和较低的导通电阻。这些特性使得微型逆变器能够更高效地转换能量，减少能量损耗，从而提高整个太阳能发电系统的效率。

2024-06-12 - 产品代理服务技术支持批量订货

SiC MOSFET应用于汽车电子领域的优势及设计注意事项

SiC MOS是未来趋势，在要求较高的汽车电子中应用会越来越多。森国科的产品包括SJ-MOS、SiC MOS，都可广泛应用于逆变器、镇流器、适配器、充电器、PC电源、电视机电源、电焊机电源等各领域。

2024-03-01 - 技术探讨代理服务技术支持批量订货

B2M011120HK SiC MOSFET

描述- 本资料介绍了B2M011120HK型号的SiC MOSFET产品，包括其特性、应用领域、电气参数、热特性、开关特性、反向二极管特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。该产品具有低导通电阻、高阻断电压、低电容、雪崩 ruggedness 和无卤素、符合RoHS标准等特点，适用于开关电源、逆变器、电机驱动器和电动汽车充电站等领域。

型号- B2M011120HK

2024-05-07 - 基本半导体 - 数据手册 - Rev. 0.4 代理服务技术支持批量订货