如何解读晶体管光耦CTR值?

2024-04-29 晶台光耦公众号
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晶体管光耦的CTR值(Current Transfer Ratio,即电流传递比)是指光耦的输出晶体管电流与输入发光二极管电流之间的比值,通常以百分比或者倍数表示。CTR值较高的光耦,在传输过程中的适应性更广;CTR值较低的光耦,信号的准确性和稳定性较高,使用比较灵活。


CTR值的解读可以从以下几个方面进行:

灵敏度:CTR值越高,表示光耦对输入光信号的灵敏度越高,能够更有效地转换光信号为电流信号。


输出电流:CTR值较高的光耦,在相同输入光信号条件下,输出的电流会相对较大,能够更好地驱动后续的电路或器件。


传输误差:CTR值较高的光耦,在传输过程中的误差相对较小,信号的准确性和稳定性较高。


应用场景:根据具体的应用需求,选择合适的CTR值。例如,对于需要高精度和高灵敏度的应用,可以选择CTR值较高的光耦型号。


需要注意的是,CTR值是光耦性能的重要指标之一,但并不是唯一的评价标准,还需综合考虑其他参数如响应时间、隔离电压、工作温度范围等,才能全面评估光耦是否适合特定的应用场景。

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型号- KL4N29,KL3082-P5,KL4N28,KL341P,KL4N27,KLM611,KLM456,KLM453,KL341W,KL625A,KLM452,KLR1223,KLM3022,KLM3023,KLM3024,KL3150,KL4N33,KL816,KL4N32,KL817,KL3053-P5,KL4N31,KL3H4,KL4N30,KL4N37,KL3033,KL4N36,KL1010,KL814,KL4N35,KL3031,KL815,KL354N,KL3032,KL1012,KL1014,KL1013,KL4N38,KL2501,KL1010H,KL3012-P5,KL3H7,KL1018,KL3033-P5,KL1017,KL1019,KLR1213,KLT3023,KLT3022,KL440A,KL8171,KL860A,KLT3021,KLW3120,KL3041,KL101L,KLH11L2,KLH11L1,KL825,KL606A3,KL3H7HT,KL3042,KLH11L3,KL3043,KLM611H,KLS3150,KL3H7L,KLR2213,KL3022-P5,KL357,KL3051-P5,KL3H7U,KLM3082,KLM3083,KL3011,KLM3084,KL3012,KL3010,KL2200,KL340P,KL1110,KL2202,KL1113,KL2201,KL1112,KL814A,KLM600,KL3062-P5,KLM601,KL1114,KL1117,KL1116,KL3031-P5,KL1119,KL1118,KLCNY17F,KL406A,KL340W,KLT3083,KLT3082,KLT3081,KL640A,KL3042-P5,KL3140,KL4N26,KL3022,KL4N25,KL3023,KL3020,KL3021,KL3011-P5,KLM80L,KLR0213,KL3063-P5,KL354NB,KL354NA,KL852,KL452,KL3043-P5,KLT3053,KLT3052,KL851,KLT3051,KLM3062,KLM3063,KLM3064,KL3081-P5,KL606A,KLM81L,KL840A,KLR2223,KLM3054,KLT3061,KL3081,KL460A,KLT3063,KL3023-P5,KLT3062,KL3082,KLM453H,KL3083,KLM3052,KL3120,KLM453L,KLM3053,KL101U,KL3061-P5,KL357NH,KL2514,KL480P,KL3032-P5,KL425A,KL817L,KL480W,KLR3223,KL817H,KLM3043,KL357NU,KLM3044,PN SERIES,KL3041-P5,KL3051,KL357NL,KL3052,KL3053,KLM3042,KL3010-P5,KL3083-P5,KL3H4A,KLS3120,KL481P,KL3H4B,KL481W,KLR0223,KLR3213,KL660A,KL155E,KLT3043,KLT3042,KL3021-P5,KLT3041,KL3062,KL3052-P5,KL3063,KL6N135,KL6N136,KL3061,KL6N137,KL6N138,KL6N139

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产品型号
品类
正向电压(V)
反向电流(uA)
击穿电压(V)
暗电流(nA)
电流传输比(%)
隔离电压(V)
总消耗功率(mW)
工作温度(℃)
封装
KL817-A-F
DC晶体管光耦
1.2V
10uA
80V
100nA
80~160%
5000V
200mW
-55~+110℃
DIP4(尺寸6.5*4.59*3.5mm)

选型表  -  晶台 立即选型

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