MOS管的重要参数有哪些？

时间： 2024-05-14 来源：鲁晶官网

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MOS管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。那么MOS管的重要参数有哪些呢？下面我们就来简单介绍一下。

MOS管的重要参数有以下四个，主要是在MOS管选择方面，系统要求相关的四个重要参数是：

1.负载电流IL。它直接决定于MOSFET的输出能力；

2.输入—输出电压。它受MOSFET负载占空比能力限制；

3.开关频率。这个参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率；

4.MOSFET--允许工作温度。这要满足系统指定的可靠性目标。

MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。

MOSFET的开关性能优良，主要用作功率开关及各种驱动器。近年来，它的性能不断提高，应用范围越来越广。功率MOSFET除了应用在开关电源中，在计算机外设、办公室自动化设备、消费类电子产品、工业自动控制、通信设备及汽车工业中均得到普遍应用。

鲁晶半导体目前产品范围包括有：MOS管、快恢复二极管、肖特基二极管、三极管、稳压电路、整流桥、碳化硅系列等，涵盖智能家电、电源、适配器、电动工具、LED照明、通讯产品和设备等应用领域。

图 1

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