SiC功率元器件的特征
碳化硅（SiC）是比较新的半导体材料。今天我们先来了解一下它的物理特性和特征。SiC（碳化硅）是什么？
SiC的物理特性和特征
SiC是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。其结合力非常强，在热、化学、机械方面都非常稳定。SiC存在各种多型体（多晶型体），它们的物理特性值各有不同。4H-SiC最适用于功率元器件。下表为Si和近几年经常听到的半导体材料的比较。
图 1
表中黄色高亮部分是Si与SiC的比较。蓝色部分是用于功率元器件时的重要参数。如数值所示，SiC的这些参数颇具优势。另外，与其他新材料不同，它的一大特征是元器件制造所需的p型、n型控制范围很广，这点与Si相同。基于这些优势，SiC作为超越Si限制的功率元器件用材料备受期待。
SiC功率元器件的特征
SiC比Si的绝缘击穿场强高约10倍，可耐600V～数千V的高压。此时，与Si元器件相比，可提高杂质浓度，且可使膜厚的漂移层变薄。高耐压功率元器件的电阻成分大多是漂移层的电阻，阻值与漂移层的厚度成比例增加。因为SiC的漂移层可以变薄，所以可制作单位面积的导通电阻非常低的高耐压元器件。理论上，只要耐压相同，与Si相比，SiC的单位面积漂移层电阻可低至1/300。
由于SiC能使肖特基势垒二极管和MOSFET等高速多数载流子元器件的耐压更高，因此能够同时实现“高耐压”、“低导通电阻”、“高速”。
此时，带隙是Si的约3倍，能够在更高温度下工作。现在，受封装耐热性的制约可保证150℃～175℃的工作温度，但随着封装技术的发展将能达到200℃以上。
以上简略介绍了一些要点，济南鲁晶半导体在SiC产品生产销售方面主要有两大类，分别为SiC肖特基二极管和SiC场效应管，目前也在进行SiC其他二三极管的研究生产。
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产品型号
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品类
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极性
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Pᴄᴡ(W)
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Iᴄ(mA)
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BVᴄʙᴏ(V)
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BVᴄᴇᴏ(V)
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BVᴇʙᴏ(V)
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Case Style
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PZT3904
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通用三极管
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NPN
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1000
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200
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60
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40
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6
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SOT-223
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选型表 - 鲁晶 立即选型
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型号- PB10D065IS
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产品型号
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品类
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PD(mW)
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I(AV)(mA)
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VRRM (I=IRM)(A)
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VFM(V)
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IRM(μA)
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Case Style
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1SS344
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肖特基二极管
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200
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500
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20
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0.55
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100
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SOT-23
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选型表 - 鲁晶 立即选型
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型号- HMC10N65K
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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