SiC功率元器件的特征

时间： 2024-07-03 来源：鲁晶官网

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碳化硅（SiC）是比较新的半导体材料。今天我们先来了解一下它的物理特性和特征。SiC（碳化硅）是什么？

SiC的物理特性和特征

SiC是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。其结合力非常强，在热、化学、机械方面都非常稳定。SiC存在各种多型体（多晶型体），它们的物理特性值各有不同。4H-SiC最适用于功率元器件。下表为Si和近几年经常听到的半导体材料的比较。

图 1

表中黄色高亮部分是Si与SiC的比较。蓝色部分是用于功率元器件时的重要参数。如数值所示，SiC的这些参数颇具优势。另外，与其他新材料不同，它的一大特征是元器件制造所需的p型、n型控制范围很广，这点与Si相同。基于这些优势，SiC作为超越Si限制的功率元器件用材料备受期待。

SiC功率元器件的特征

SiC比Si的绝缘击穿场强高约10倍，可耐600V～数千V的高压。此时，与Si元器件相比，可提高杂质浓度，且可使膜厚的漂移层变薄。高耐压功率元器件的电阻成分大多是漂移层的电阻，阻值与漂移层的厚度成比例增加。因为SiC的漂移层可以变薄，所以可制作单位面积的导通电阻非常低的高耐压元器件。理论上，只要耐压相同，与Si相比，SiC的单位面积漂移层电阻可低至1/300。

由于SiC能使肖特基势垒二极管和MOSFET等高速多数载流子元器件的耐压更高，因此能够同时实现“高耐压”、“低导通电阻”、“高速”。

此时，带隙是Si的约3倍，能够在更高温度下工作。现在，受封装耐热性的制约可保证150℃～175℃的工作温度，但随着封装技术的发展将能达到200℃以上。

以上简略介绍了一些要点，济南鲁晶半导体在SiC产品生产销售方面主要有两大类，分别为SiC肖特基二极管和SiC场效应管，目前也在进行SiC其他二三极管的研究生产。

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肖特基二极管硅塑封整流二极管快恢复整流二极管高效率二极管超快恢复二极管小信号肖特基二极管小信号开关二极管硅双向触发二极管稳压二极管瞬态抑制二极管光伏二极管静电保护二极管桥式整流器通用三极管高频三极管照明整流专用三极管数字三极管高压MOS管低压MOS管稳压电路碳化硅肖特基二极管碳化硅MOS管

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HPA65D20R SiC Schottky Diode

型号- HPA65D20R

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型号- 1N4745,1A1,1N4744,1A2,1N4747,SMCJ36CA,ESD9D3V3C,1A3,1N4746,1A4,1N4749,P4SMA16C,1A5,1N4748,1A6,P4SMA16A,1A7,SMAJ6.0CA,SMAJ40CA,8050S,SMBJ5955B,SMBJ51A,RB521M9-30,2306,2305,P6SMB56A,2304,2303,2302,2301,2300,P4SMA160,P6KE22A,1N4750,2SD2137A,1N4752,1N4751,2309,1N4754,1N4753,2307,1N4756,1N4755,MMBT4401,SS120W,1N4758,1N4757,MMBT2222,1N4759,P6KE24A,MMBT4403,SMBJ5956B,T1117-5,2315,2314,2313,TIP110,2312,TIP111,TIP112,2310,P4SMA170,1N4761,1N4760,1.5SMC13CA,7N65F,BZX55C8V2,1N4763,1N4762,SMCJ14CA,1N4764,2EZ270D5,SMCJ78A,SMCJ190A,P4SMA18C,P4SMA18A,ZMM55-C36,MBR10200CT,ZMM55-C33,8N60,1.5SMC400C,2SB1260,P4SMA16CA,TIP120,SMCJ100CA,TIP121,TIP122,ZMM55-C30,P6KE68C,2EZ68D5,P4SMA180,P6KE20A,SMBJ300A,1.5KE150A,SMBJ150CA,BZT52C7V5S,BZT52C8V2,P4SMA91CA,MMBD2838,MMBD2836,SMAJ70A,RB400D,SMAJ75CA,ZMM55-C24,5050TRGBC,P6KE220,ZMM55-C22,FR601,FR602,FR603,FR604,SMBJ16CA,FR605,ZMM55-C27,FR606,FR607,M8550,ZMM55-C20,P6SMB170CA,2EZ33D5,1.5KE220CA,SMCJ30A,1SMA5930B,P6KE27A,2SA1036,2SA1037,P6SMB51C,2N5401,2N5400,P6SMB51A,HER301,SMBJ5950B,SMB2EZ9.1,1.5SMC9.1,1SMA4731A,SR180,SMCJ75A,1SMA5931B,SMAJ100A,P4SMA300C,P4SMA300A,HER308,HER307,HER306,HER305,HER304,1N4448WS,HER303,SMBJ5952B,HER302,P6SMB250A,SMBJ5951B,P4SMA160CA,1.5SMC400A,P4KE180A,1SMA4730A,2EZ11D5,5050TYC,P6SMB250C,P4SMA82CA,2SA1012,2SA1013,2SA1015,MB4S/F,1.5KE7.5A,SMBJ5953B,SMBJ400CA,P6SMB120A,ZMM55-C4V7,P6SMB120C,1SMA4733A,P6KE250,ZMM55-C4V3,2SA1020,1H1,1H2,2EZ24D5,P6SMB51CA,1H3,1H4,1H5,2EZ3.0D5,1.5SMC300CA,1H6,1H7,1H8,P6SMB8.2C,P6SMB300CA,SMCJ220CA,A733,SMBJ5954B,P6SMB8.2A,KBPC25005,1SMA4732A,1.5KE51A,P6KE100A,1.5SMC39CA,P6KE100C,P4SMA56C,P4SMA56A,1N5371B,P6SMB160,BAV20WS,1.5KE36CA,1SMA5934B,P6SMB16C,BZX84C9V1,P6SMB300C,1SS400,P6SMB300A,P6SMB16A,2EZ190D5,0603 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HPAE65D16R SiC Schottky Diode

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