【产品】国产20V/6A双N沟道功率增强型MOSFET RU8205BC6，适用于电源管理
锐骏半导体推出的双N沟道功率增强型MOSFET——RU8205BC6，具有低导通电阻、超高密度单元设计、可靠坚固等特点。该产品漏源电压20V，连续漏极电流6A(@VGS=4.5V，TA=25℃)，存储温度范围-55℃至150℃，适用于电源管理领域。
产品特点：
漏源电压20V，连续漏极电流6A(@VGS=4.5V，TA=25℃)
导通电阻：
典型值14mΩ@VGS=4.5V
典型值16mΩ@VGS=2.5V
低导通电阻
超高密度单元设计
可靠，坚固
可提供无铅且绿色环保器件(符合RoHS标准）
绝对最大额定值
电气特性参数（TA=25°C，除非另有说明)
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产品型号
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品类
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Channel
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ESD Diode (Y/N)
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VDSS(V)
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VTH(V)
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IDS(A)@TA=25℃ (A)
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RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)
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RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)
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Package
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RU207C
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MOSFET
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N
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N
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20
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0.5-1.1
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6
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10
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15
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SOT23-3
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选型表 - 锐骏半导体 立即选型
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锐骏半导体提供以下参数的N-MOSFET：Channel(沟道)：N/Dual-N/N+P; ESD(静电泄放):N/Y; VDSS(零栅压最大漏源电压):20~85V; VTH(阈值电压)：0.5~5V; IDS:0.2~200A; 封装外形有：SOT23-3、DFN3333、DFN3030、SOT23、SOT23-6等多种封装外形
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产品型号
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品类
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Channel
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VTH(V)
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IDS(A)@TA=25℃ (A)
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RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)
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RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)
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Package
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N
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N
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20
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SOT23-3
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选型表 - 锐骏半导体 立即选型
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