SiC科普小课堂 | 谈混合式IGBT——硅FRD的正向恢复现象会增大IGBT的关断电压尖峰
传统电力电子应用中，IGBT的续流二极管一般以硅基FRD（快恢复二极管）为主，而硅基FRD的性能限制了IGBT的开通和关断行为的潜力，对开关损耗是很大的拖累。为此，基本半导体研发推出了一种混合式IGBT（即混合碳化硅分立器件）来解决这一问题，即在IGBT中把续流二极管用碳化硅SBD（肖特基二极管）替代硅基FRD，可使IGBT的开通与关断的潜力得以全部释放，开关损耗大幅降低。
“SiC科普小课堂”——混合式IGBT话题第四讲来啦！基本半导体市场部总监魏炜老师将继续为大家介绍硅FRD的正向恢复现象会增大IGBT的关断电压尖峰，从而威胁到IGBT的安全，以及应用碳化硅肖特基二极管替代硅FRD将如何解决这一问题等内容。
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基本半导体混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，在部分应用中可以替代传统的IGBT，使IGBT的开关损耗大幅降低，适用于储能（ESS）、车载充电器（OBC）、不间断电源（UPS）、光伏组串逆变器等领域。
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SiC科普 | 谈混合式IGBT——硅FRD的安全问题限制IGBT的开通速度
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混合式IGBT可解决硅基FRD的Snappy现象限制IGBT的开通速度问题
基本半导体混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，在部分应用中可以替代传统的IGBT，使IGBT的开关损耗大幅降低，适用于储能（ESS）、车载充电器（OBC）、不间断电源（UPS）、光伏组串逆变器等领域。
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描述- 本资料介绍了B3D20065H碳化硅肖特基二极管的产品特性、电气特性、典型性能和应用领域。该二极管具有低漏电流、零反向恢复电流、温度独立开关行为等特性，适用于开关电源、不间断电源、服务器/电信电源、功率因数校正和太阳能等领域。
型号- B3D20065H
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