宇阳科技参与国家重点专项“顺电高介陶瓷粉体与高容多层陶瓷电容器器件研发”项目
国家重点研发计划“高端功能与智能材料”重点专项“顺电高介陶瓷粉体与高容多层陶瓷电容器器件研发”项目于2024年4月18号在武汉召开项目启动会暨实施方案论证会。宇阳科技作为国内高容/超高容MLCC技术领先企业，和相关国家级科研单位共同参与本次项目研发攻关。
5G/6G通信技术、新能源与智能汽车等的高速发展对多层陶瓷电容器（MLCC）提出高容量、小尺寸等需求，瓷料及其元器件存在系列问题，如电容值下降、还原气氛下介质层与贱金属内电极（BME）共烧，抗还原、介温、偏压及老化等特性恶化。特别针对在偏置电压下MLCC的容量衰减和老化问题，对终端厂家的设计和选型带来许多困难，而且，行业内目前还没有明确的偏置电压与容值关系的标准，本国家重点专项通过瓷料配方、可控制备技术，数据驱动，机器学习和元器件研制创新等新方法、新体系，实现高端瓷料和器件技术国产化，制定行业统一标准，大大提升MLCC使用条件下的有效容值，突破行业瓶颈解决卡脖子问题。本项目依托4个国家级和省部级基地，汇聚武汉理工大学、天津大学、华中科技大学、宇阳科技等优势科研和产业单位，组建多学科交叉团队，具备微型与超微型BME-MLCC用高性能系列瓷料与器件等研发经验。
本次项目与会人员有国家自然科学基金委员会高技术研究发展中心副处长于笑潇；项目主责专家山东大学教授张伟彬、清华大学教授沈洋、中南大学教授张斗、西安交通大学教授李飞、福建火炬电子科技股份有限公司总工程师张子山；项目牵头管理单位武汉理工大学副校长张笛；项目组成员武汉理工大学教授刘韩星、武汉理工大学教授郝华、天津大学教授李玲霞、华中科技大学教授雷文、宇阳科技总工程师邓国平等。会议由张伟彬教授主持。
武汉理工大学张笛副校长在致辞中向与会的各位领导、专家表示热烈欢迎，并代表学校郑重承诺，武汉理工大学作为项目牵头单位，一定会在实验条件、人员配置、财务支出、设备购置、测试验证等方面提供全方位支持。他希望项目组在刘韩星教授的带领下，严格按照国家相关要求，围绕研究重点，突出创新方法，产出高质量研究成果。
高技术研究发展中心于处长首先祝贺项目成功立项并成功进入国家队，并从专项管理方面对项目组提出了注意事项和相关要求。于处长希望本次项目最终能取得亮眼成果，为整个专项提供贡献，并为十五五未来项目的继续部署提供基础，为材料领域添砖加瓦。
项目总负责人刘韩星教授就重大需求与重大挑战、研究目标与研究内容、实施方案与技术路线、课题设置与课题任务、研究团队与运行管理、研究进度与预期成果等方面对项目进行详细汇报，咨询专家对实施方案进行交流和讨论，并提出了合理意见。
宇阳科技作为课题四的负责单位，邓国平总工程师基于宇阳成熟的超薄高容MLCC制备平台，结合有限元模拟、原位氧空位分析、多应力加速模型等技术手段，详细讲述了使用条件下多层陶瓷电容器性能劣化机理与优化方法。
张伟彬教授作了总结发言，他指出项目负责方要做好实施方案的进一步细化，确保项目目标的圆满完成。
宇阳科技成立于2001年，一直专注MLCC的研发与制造。2008年公司在国内首推0201微型MLCC；2013年公司01005/0201 MLCC首批进入强基工程项目并于2017年获得中国电子学会科技进步二等奖；2021年008004 MLCC是国内首家研发成功的企业并通过了权威机构鉴定；除此之外，宇阳基站用射频大功率BME MLCC和车载OBC用谐振电容器均实现国内首家批量交付；对高容/超高容MLCC用超细电介质陶瓷粉研究、介质薄层化技术、产品应用特性研究，宇阳一直位于国内领先地位。
作为MLCC产业中重要的国内生产厂商，宇阳科技会同相关科研单位不断研究解决高容/超高容MLCC使用的高性能原材料与应用技术问题，实现高端MLCC国产化，与产业各同仁一起共同推动我国MLCC元件的自主化高质量发展。
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目录- 工业级P/B系列 工业级中高压系列 通用型系列 通用中高压系列 低损耗系列 大功率低损耗系列 车载系列 车载低损耗系列
型号- 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富信（FOSAN）贴片电阻选型指南
描述- 安徽富信——安徽富信FOSAN品牌旗下设有富信半导体及富捷电子两大事业部，是一家以自主研发设计、生产制造、销售及技术服务为一体的电子元器件综合厂商。公司拥有二十余年丰富的研发制造经验、销售网络布局及经营管理体系，并引进最先进的制造设备和顶尖的分析监测设备，组建了一支从业经验平均在10年以上的制造/研发/分析的高素质专业团队。目前，公司产品已广泛应用于全球微电子、医疗、光伏、军工、新能源、绿色照明、网络通信、汽车电子等众多新兴和高科技领域。
型号- FRV1206J103 TS,FRD1206J331 TS,FRQ-SERIES,FRL,FRD SERIES,FRD 系列,FRQ,FRP,FRS,FRR,FRH 系列,FRS1206J103 TS,FRV,FRC1206F1001 TSD,FRH1206D1001 TS,FRS 系列,FRA064RJ750 TS,FRQ0805J102 TS,FRQ 系列,FRL1206JR470 TS,FRS SERIES,FRC 系列,FRD-SERIES,FRA 系列,FRA-SERIES,FRP1206J102 TS,FRP 系列,FRA,FRL 系列,FRC,FRR1206J101 TS,FRH SERIES,FRD,FRA SERIES,FRQ SERIES,FRS-SERIES,FRH-SERIES,FRC SERIES,FRH,FRP-SERIES,FRL-SERIES,FRR 系列,FRV SERIES,FRR SERIES,FRV-SERIES,FRP SERIES,FRL SERIES,FRV 系列
宇阳片式RF微波多层陶瓷电容器选型表
宇阳片式RF微波多层陶瓷电容器选型表特征为:125℃;长度为:0.40±0.02mm/0.60±0.03mm/1.00±0.05mm;宽度:0.20±0.02mm/0.30±0.03mm/0.50±0.05mm;厚宽:0.20±0.02mm/0.30±0.03mm/0.50±0.05mm;温度特性:C0G;额定电压:25V/50V;方孔间距:1mm/2mm。
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产品型号
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品类
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特征
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长度（mm）
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宽度（mm）
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厚宽（mm）
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温度特性
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标称电容量(pF)
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标称电容量允许偏差()
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额定电压(V)
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方孔间距(mm)
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载带种类
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端头结构
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C0105HQC0R2A500NPZ
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片式RF微波多层陶瓷电容器
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【High-Q】【125℃】
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0.40±0.02mm
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0.20±0.02mm
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0.20±0.02mm
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C0G
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0.2pF
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±0.05
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50V
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1mm
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塑带
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三层端电极(Cu/Ni/Sn)
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选型表 - 宇阳 立即选型
宇阳科技谐振MLCC在大功率无线充电器中的应用，提升无线充电系统效率和稳定性
随着人们对于消费产品便携、美观的更高要求，无线充电技术在手机等产品上的使用已相当广泛。C1206C0G104J101NPL（1206-C0G-100nF-±5%-100V）在无线充电应用中展现出了卓越的性能优势，是提升无线充电系统效率、稳定性的理想选择。
应用方案 发布时间 : 2024-11-02
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2022年6月24日， 广东微容电子科技有限公司（下称“微容科技”）与世强先进（深圳）科技股份有限公司（下称“世强先进”）签署代理协议，授权世强先进代理其旗下片式多层陶瓷电容器（MLCC）全线产品。
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宇阳片式中高压多层陶瓷电容器-通用型85℃&105℃选型表
宇阳片式中高压多层陶瓷电容器-通用型85℃&105℃选型表，标称电容量允许偏差:±5%/±10%/±20%;额定电压:100V/200V/250V/500V/630V/1000V/2000V;方孔间距(mm):2mm/4mm;端头结构:三层端电极;载带种类:纸带/塑带.
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产品型号
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品类
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特征
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长度（mm）
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宽度（mm）
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厚宽（mm）
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温度特性
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标称电容量(pF/nF)
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标称电容量允许偏差
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额定电压(V)
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方孔间距(mm)
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载带种类
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端头结构
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C0402X5R121J101NJB
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片式中高压多层陶瓷电容器
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【通用型】【85℃】【中高压】
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1.00±0.05mm
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0.50±0.05mm
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0.50±0.05mm
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X5R
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120pF
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±5%
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100V
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2mm
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纸带
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三层端电极
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选型表 - 宇阳 立即选型
宇阳片式中高压多层陶瓷电容器-常规型85℃选型表
宇阳片式中高压多层陶瓷电容器-常规型85℃选型表是85℃的产品，标称电容量允许偏差:±5%/±10%/±20%/±30%;额定电压:4~50V;方孔间距(mm):1mm/2mm/4mm;载带种类:纸带/塑带。
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产品型号
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品类
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特征
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长度（mm）
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宽度（mm）
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厚宽（mm）
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温度特性
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标称电容量(pF/nF)
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标称电容量允许偏差
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额定电压(V)
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方孔间距(mm)
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载带种类
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端头结构
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C0201X5R101J500NHA
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片式中高压多层陶瓷电容器
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【常规】【85℃】
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0.60±0.03mm
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0.30±0.03mm
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0.30±0.03mm
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X5R
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100pF
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±5%
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50V
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2mm
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纸带
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三层端电极
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选型表 - 宇阳 立即选型
【经验】多层陶瓷电容器（MLCC）常见失效模式之机械裂失效应对方法
在消费类电子中，经常会碰到电容短路失效的情况，电容常见失效模式分布中，机械应力裂占比最高，本文宇阳就机械应力裂这个模式做分享。导致电容失效的机械应力有很多种，但常见的主要是PCBA的弯曲、弯折及扭曲产生的应力及电容两焊端锡膏不一致对电容产生的应力。
设计经验 发布时间 : 2022-03-20
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可定制UV胶的粘度范围：150~25000cps，粘接材料：金属，塑料PCB，玻璃，陶瓷等；固化方式：UV固化；双固化，产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
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