为什么SiCMOSFET需要更高的驱动电压？
各位工程师应该已经发现了，我们在使用Si MOSFET的时候，只需要使用10V的驱动电压就可以了，但是换成SiC MOSFET的时候，我们需要更高的驱动电压，一般会达到15-20V之间。这就使得我们在使用SiC MOSFET去替代Si MOSFET的时候需要对驱动电路的驱动电压进行一个调整之后才能使用。
那么到底是什么原因，不得不大费周章去使用成高的驱动电压来驱动SiC MOSFET呢?
首先，我们来看下SiC MOSFET和Si MOSFET的转移特性曲线对比，Si MOSFET当VGS达到8V之后，即使继续增大VGS，SJ-MOSFET也无法输出更大的电流了。这就说明就算我们去使用超过10V的驱动电压也没办法再进一步提升SJ-MOSFET的通流能力。SiC MOSFET的IDS如图所示，是一直随着VGS的增大而增大的。
转移特性上的一点区别也会体现在输出特性上。Si MOSFET当VGS大于8V的之后，输出特性曲线基本是重合的，这与转移特性曲线在VGS大于8V完全水平这一特征吻合。SiC MOSFET即使驱动电压高于15V，而不同VGS下的曲线依旧有非常明显的间隔。只有使用更高的驱动电压我们才能获得更小的 RDS(on)，充分挖掘SiC MOSFET的通流能力。但是Si MOSFET就没这个需求了。
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凌讯微电子（LXMICRO）功率半导体器件选型表
目录- 平面肖特基 Low VF肖特基 高压MOS 中低压MOS Cool MOS 快恢复二极管 三极管 三端稳压管 SiC二极管
型号- LT180N03AT,LSC04D120T,MBR3060CT,SBT20V100DC,MBR40200PT-B,MUR6060PTS,MUR2060DC,SBT10L150SCS,LSC04D120P,MBR4060CT-B,LT60N06AP,LT100N08AT,MBR3060DC,SBT20V100CT,MBR40150DC-B,CS18N20AF,MUR2040FCT,CS12N60A2,CS12N60A8,MBR4045DC-B,SBM60L60DC,SBT30L60DC,MBR20150FCT,SBM60L60CT,SBT40L45CT,MBR40200PTS-B,MUR1620CT,MBR60150PT,MBR6060PTS,MUR1620CS,MUR2060CT,MBR1045DC,SBT40L60PT,CS7N70A2,MBR3045FCT,MUR4020CT,CS7N70A5,MBR10200CT,MBR10200CS,MUR4040PTS-S,SBT30L60CT,MBR1045CS,MBR1045CT,MBR10200DC,SBT40L60PTS,LSC08D120T,LSC08D120P,LT100N08AD,LT100N08AG,LC60R130B,MUR2040CT-S,LC60R130F,LT100N08AP,MUR1560,LT40N03AG,LT40N03AD,SBT20L45DC,LT60N04AG,CS20N50A8,HBT30L200FCT,LT60N04AD,CS20N50A6,LT40N03AP,CS20N50A7,CS20N60A6,MBR4060FCT-B,SBT40L80PT,MBR1045FCT,SBT30L80CT,CS28N50A7,MUR3020FCT,CS28N50A6,CS20N60A8,CS20N60A7,CS3N50A5,CS3N50A4,SBT40U100PT,CS3N50A2,CS16N60A8,MUR3040FCT-B,HBT10L200SDC,CS16N60A6,MUR2020D,CS16N60A7,MUR2040PTS,LT60N03AP,SBT20V80CT,MBR60150PTS,SBT30L150PTS,MUR1040DC,HBT10L200SCT,LT60N03AG,LT15N10AD,LT60N03AD,MUR1040D,LT15N10AG,MUR3040FCT-S,SBT40L45DC,MBR40200DC-B,MUR1040CT,SBT20V80DC,MUR1040CS,MBR4045PT-B,MUR30120PT,MUR2040PT,CS5N65A2,HBT20L200PTS,CS5N65A4,CS5N65A5,MBR6045PT,MBR40150PT-B,CS7N60A2,MBR1645CS,SBT40L60FCT,MBR1645CT,LG100N08AT,HBT30L200PT,MUR1220FCT,CS7N60A4,MBR4045PTS-B,CS7N60A5,MBR1045D,MBR3045PTS,LSC10D200T,MUR840,LG100N08AD,MBR30150PTS,LG100N08AP,LT60N02AG,LSC10D200P,MBR40100PTS-B,LT60N02AD,CS4N70A2,MUR1060CS,MUR1060F,CS4N70A5,MUR1060D,MUR1680FCT,MUR1060CT,LSC20D120P,LG160N06AT,MUR1640DC,MBR2060FCT,MBR30200DC,LSC20D120T,LG160N06AP,MBR30200CT,LT150N03AT,CS8N65A2,MUR3020PT,LG60N10AT,LG160N06AG,LG60N10AP,LG160N06AD,MUR3060DC,CS8N65A5,CS8N65A4,MBR20100D,MBR20100CT,SBT40L80PTS,MBR20100CS,LT80N04AG,MUR3020PTS,MUR1060,MBR60200PTS,CS9N50A5,MBR3060PTS,CS9N50A2,SBT40L100DC,LT80N04AD,CS9N50A4,MBR20100DC,MUR860,SBM60L60PTS,HBT10L200SFCT,MBR30150PT,MBR30100PTS,HBT30L200CT,SBT30L150PT,SBT30L150FCT,CS2N60A5,CS2N60A4,HBT30L200DC,CS20N65A8,CS20N65A7,SBT40L45PTS,CS20N65A6,SBT40L100CT,CS2N60A2,SBT40U150CT,LT150N03AD,LT150N03AG,MBR1060FCT,CS10N65A2,SBM20L300DC,LT30N06AD,MBR40200FCT-B,LT150N03AP,LT30N06AG,MUR3060CT,LSC30D65T,MUR2020FCT,MBR10200FCT,LSC30D65P,CS10N65A5,MUR1640CT,MBR6045PTS,CS10N65A8,CS25N60A7,MUR1640CS,CS25N60A6,SBT40U150DC,MBR4060PTS-B,MBR30100CT,LG50N10AD,LG50N10AG,LSC20D90P,MBR30100CS,LG80N10AD,LG80N10AF,HBT30L200PTS,LSC20D90T,SBT40L80FCT,SBM60L60FCT,LT50N06AD,MBR30100DC,MBR3060PT,LT50N06AG,MUR4020PTS,LSC50D65T,HBT20L200PT,LT80N06AG,SBT30L60FCT,MBR30100FCT,MBR20200DC,MUR4040DC-S,SBT40U150FCT,LT30N03AG,SBT30L45PT,LT80N06AD,LSC50D65P,SBT40L45FCT,MBR20200CS,LT30N03AD,MBR20200CT,SBT40U150PTS,CS12N65A8,MUR5030PTS,LSC15D120P,MUR1620DC,LSC15D120T,MBR10150D,SBT30L100CT,LSC10D120P,LSC10D120T,SBT20V100FCT,CS25N50A8,SBT30L60PTS,CS25N50A7,CS25N50A6,MBR20200D,CS12N65A2,CS4N60A2,LG60N10AG,SBM20V60FCT,CS4N60A4,LG60N10AD,MBR2060DC,CS50N20AF,LT50N06AP,78D05,MUR4040PT-S,MBR10100DC,CS4N60A5,MBR10150FCT,SBT30L100DC,CS50N20AP,LT180N03AD,CS60N20A6,MUR1060DC,MUR1620D,LG50N10AT,MBR2060CS,LT180N03AG,CS50N20AT,LT60N06AG,MBR2060CT,MUR2040FCT-S,MBR10100CT,MBR10100CS,LT60N06AD,LT180N03AP,LG50N10AP,SBT10L100FCT,MBR3045CT,LC65R380D,LC65R380F,LG220N08AT,MUR30120PTS,MBR10100D,LG220N08AP,CS50N20A6,MUR4040CT-S,MBR3045DC,MBR60100PT,LSC20D65T,SBT20V150DC,CS10N60A2,CS7N65A2,CS25N65A7,MUR4020FCT,LSC04D65T,MBR2045FCT,CS7N65A5,MUR3040PT-S,MBR40100FCT-B,CS7N65A4,LSC20D65P,SBT30L45DC,SBT40L100PTS,SBT20V150CT,CS25N65A6,CS10N60A8,SBT40L60CT,CS10N50A2,LSC40D120P,LG200N04AD,MBR1060DC,HBT20L200CT,MUR1040FCT,MUR1660DC,SBT30L45PTS,MBR2060D,MUR840F,SBT30L45CT,CS10N50A8,MBR1060CT,MBR1060CS,SBT40L45PT,SBT10L100CT,HBT20L200DC,LSC40D120T,LG80N10AT,MBR40150FCT-B,LG80N10AP,CS16N65A8,CS16N65A6,LG80N10AG,MBR30200PTS,SBT10L100DC,MBR60100PTS,MUR1220CS,MUR1220CT,MUR1660FCT,CS10N70A2,SBM60L60PT,MUR2020DC,MBR30200PT,CS10N70A8,MUR3040PTS-S,CS13N50A8,SBM20L300CT,SBT30L80FCT,MUR3040PTS-B,MUR3020DC,LC65R280F,CS4N65A4,MUR3040DC-B,CS4N65A5,LT140N04AT,MBR4045FCT-B,CS4N65A2,MBR1645D,MUR2020CS,MBR3060FCT,MUR2020CT,LG200N04AP,MBR20200FCT,LG200N04AG,MUR1660CT,MBR40100PT-B,SBT40L100FCT,SBT40L60DC,MBR6060PT,MUR3060FCT,LT140N04AP,MUR3040DC-S,MUR860F,MUR3040PT-B,LT140N04AG,MUR6060PT,LT140N04AD,MBR20100FCT,MBR40100DC-B,LT120N03AP,CS18N50A8,CS18N50A7,CS34N20AF,CS18N50A6,CS34N20AT,LT80N03AG,LT120N03AG,CS34N20AP,MUR3020CT,LT80N03AD,LT120N03AD,CS8N50A5,CS8N50A4,SBT40U150PT,CS8N50A2,MUR4020PT,SBT30L45FCT,SBM20V60CS,SBM20V60CT,LC65R190F,SBT40U100PTS,MBR20150CT,MBR20150CS,SBT40U100CT,SBT40L80DC,MBR30100PT,LX13007A3,LX13007A2,MBR1645DC,LX13007A1,MBR20150DC,SBM20V60DC,LSC10D65T,SBT40U100DC,MBR1645FCT,LSC10D65P,MBR40150PTS-B,MUR5030PT,MUR3040CT-S,MBR4060PT-B,LC65R600F,LX13007B3,LX13007B2,LX13007B1,MUR2060FCT,MUR3040CT-B,LC65R600D,LT100N03AD,HBT20L200FCT,LT100N03AG,SBM20L300FCT,MUR2040DC,CS16N50A6,CS16N50A8,CS16N50A7,MBR40100CT-B,MUR1640FCT,LG120N10AD,LG120N10AF,MUR1560F,LG120N10AG,SBT30L100PT,SBT30L80DC,MUR3060PTS,LT100N04AP,SBT40U100FCT,LT100N04AT,MUR1060FCT,MBR30150FCT,MBR40200CT-B,MBR4060D
【元件】扬杰科技新推出用于光伏逆变、充电桩、电源等的SiC MOSFET，采用开尔文接触，工作温度175℃
扬杰科技近日推出了一系列TO-263-7L、TOLL、T2PAK产品，产品均采用开尔文接触，明显减少了开关时间，降低了开关损耗，支持更高频率的应用与动态响应；同时相比插脚器件降低了电路板空间，增加了电路板的集成化，非常适合应用于高功率密度和高效率电力电子变换系统。
技术分享 | 解析SiC MOSFET串扰特性
随着SiC MOSFET开关频率的不断增加，在半桥结构（如逆变电路、全桥电路等）桥臂串扰现象越发严重，易造成桥臂直通短路或影响可靠性，限制了SiC MOSFET开关频率及系统功率密度进一步提高。本文瑶芯微将为您解析SiC MOSFET串扰特性。
【选型】力特1700V SiC MOSFET助力光伏逆变器1500V系统辅助电源高效稳定运行
现在光伏逆变器电压等级提升到1500V，如果选用单端反激拓扑，单管MOS耐压值需要超过3000V，因此建议采用双管反激方案，推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO170E1000，1700V高耐压，同时采用常用的TO247封装，可直接替换Si MOS使用。
肖特基二极管选用原则有哪些？
肖特基二极管因其低正向压降(VF)、快速开关速度和低功耗特性，被广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及高速数字电路中。然而，不同应用场景对肖特基二极管的需求不同，合理选型是确保系统高效运行和长期可靠的关键。
肖特基二极管代换的原则有哪些？
肖特基二极管因其快速开关特性、低正向压降和高效率而广泛应用于各种电子电路中，包括开关电源、频率变换器、逆变器等。当现有设计中的肖特基二极管需要被替换时，理解其代换的原则至关重要，以确保电路的性能不受影响。
芯众享面向光伏及储能领域推出碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET产品，电流范围10~40A可选
芯众享面向光伏及储能领域推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET产品。其中碳化硅肖特基二极管已经在工商业光伏逆变器、组串式光伏逆变器、微型光伏逆变器领域广泛应用。
一文介绍快恢复二极管的选用原则
快恢复二极管是一种专为高频和快速开关应用设计的半导体器件，广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动及功率变换等场景中。与普通整流二极管相比，快恢复二极管具有更短的反向恢复时间和更低的反向恢复损耗，能够提高系统的效率和可靠性。
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