【产品】600V/±24A的N沟道功率MOSFET R6024KNJ，导通电阻最大仅0.165Ω

时间： 2019-10-28 来源：ROHM

技术问答

R6024KNJ是ROHM推出的一款采用TO-263S封装形式的N沟道功率MOSFET，具有低导通电阻、超快速开关和易于并联使用等特点，可用于开关类应用。

图1 R6024KNJ功率MOSFET产品图及内部电路图

R6024KNJ功率MOSFET漏源电压为600V，连续漏极电流为±24A，适合高压小电流的驱动应用。这款功率MOSFET的静态漏源导通电阻最大值仅为0.165Ω，导通损耗小且自身发热少。且其可承受单脉冲雪崩电流为4.1A，可承受单脉冲雪崩能量为497mJ，能够为MOSFET提供较好的保护。此外，R6024KNJ拥有高开关速度，导通延迟时间典型值仅为30ns，上升时间的典型值为50ns，关断延迟时间典型值为60ns，下降时间的典型值为12ns。另外，此款MOSFET的结壳热阻最大为0.51℃/W，功耗最大为245W。

R6024KNJ功率MOSFET产品特性：

低导通电阻

超快速开关

易于并联使用

无铅电镀；符合RoHS标准

R6024KNJ功率MOSFET应用领域：

开关类应用

R6024KNJ功率MOSFET订购信息：

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全部评论（1）

tommy Lv7. 资深专家 2019-10-29

不错

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