混合式IGBT——硅FRD的Snappy现象会限制IGBT的开通速度 ∣ 视频
传统电力电子应用中，IGBT的续流二极管一般以硅基FRD（快恢复二极管）为主，而硅基FRD的性能限制了IGBT的开通和关断行为的潜力，对开关损耗是很大的拖累。为此，基本半导体研发推出了一种混合式IGBT（即混合碳化硅分立器件）来解决这一问题，即在IGBT中把续流二极管用碳化硅肖特基二极管替代硅基FRD，可使IGBT的开通与关断的潜力得以全部释放，开关损耗大幅降低。
今天的“SiC科普小课堂”，基本半导体市场部总监魏炜老师将继续带来混合式IGBT话题第三讲，主要介绍硅基FRD反向恢复的Snappy现象对IGBT的开通速度的影响，以及用碳化硅肖特基二极管的替代解决办法，点击下方视频一探究竟！
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由hansmoly.转载自基本半导体官网，原文标题为:科普视频 | 谈混合式IGBT—硅FRD的Snappy现象会限制IGBT的开通速度，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
科普视频 | 碳化硅肖特基二极管的额定电流是如何定义出来的？
使用碳化硅肖特基二极管可以减少损耗，快速稳定实现器件的正反切换，提高产品的效率和降低产品噪音，同时易于改善EMI。今天的“SiC科普小课堂”中，基本半导体市场部总监魏炜老师将着重为大家科普碳化硅肖特基二极管器件的重要特性参数——额定电流是如何定义出来的？
碳化硅肖特基二极管的优势及应用
肖特基二极管，又称热载流子二极管，通过金属和半导体接触(肖特基接触)形成肖特基势垒，实现整流。与普通PN结二极管相比，肖特基二极管的反向恢复惯性非常低。因此，肖特基二极管适用于高频整流或高速开关。碳化硅（SiC）是一种高性能的半导体材料，基于SiC的肖特基二极管（SiC Schottky Diode）具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在电力电子技术领域打破硅的极限。
SiC科普小课堂 | 谈混合式IGBT——硅FRD的正向恢复现象会增大IGBT的关断电压尖峰
基本半导体混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，在部分应用中可以替代传统的IGBT，使IGBT的开关损耗大幅降低，适用于储能（ESS）、车载充电器（OBC）、不间断电源（UPS）、光伏组串逆变器等领域。
模块化储能PCS技术“大比武”，功率IGBT模块是核心
本文讨论了模块化储能PCS技术在储能领域中的快速发展和应用，强调了其因分布式场景多样化和储能安全、经济需求而得到重视。文章还详细介绍了部分企业的模块化储能PCS产品和技术特点，此外，文章还提到了模块化PCS技术在应对系统能量密度提升、削峰填谷、电力稳定等方面的优势。整体而言，模块化储能PCS技术正逐渐成为储能领域的重要发展方向，为分布式能源和智能电网的发展提供了有力支持。
【选型】适用于50KW储能的1200V/200A的I型三电平IGBT模块
目前市场上50KW的储能产品，基于高效理念，通常需提高整机的开关频率（最高可达50kHz），主功率电路多采用I型三电平拓扑。Vincotech高集成度I型三电平的NPC IGBT模块10-FY07NPA200SM02-L366F08（1200V/200A）的IGBT模块，已经成功的助力50KW高效储能产品的设计。
储能/BMS/电动车 SGT MOS光伏储能 IGBT单管
型号- HMS330N10,HMS320N04D,HMS310N85,HMS80N25,HMS120N85K,HMS135N10,HMS320N04G,HMS120N10G,HMS260N10D,HMS320N04,HMS80N10K,HMS120N10D,HMS120N10K,HMS80N10G,HMS320N04LL,HMS135N85D,HMS160N10,HMS100N85D,HMS100N85G,HMS100N20,HMS135N85,HMS100N85K,HMS80N10,HMS80N10D,HMS120N85D,HMS80N85K,HMS80N85G,HMS120N85G,HM75N120FT3,HMS100N15,HMS120N85,HMS310N85D,HMS260N10LL,HMS135N10K,HMS85N10,HMS80N85,HMS80N85D,HMS160N10D,HMS80N25D,HMG160N65FT3,HMS85N10K,HMS100N15D,HMS330N10LL,HMS85N10G,HMS120N10,HMS85N10D,HMS100N85,HMS135N85K,HMS135N85G,HMS260N10,HMS330N06LL,HMS310N85LL,HMS330N10D,HMS330N06,HMS135N10G,HMS135N10D,HMS100N20D,HMS330N06D
【元件】新洁能650V Gen.7 IGBT “V”系列产品，非常适合光伏逆变、储能、UPS等应用
NCE新洁能650V Gen.7系列IGBT产品，基于微沟槽场截止技术，可大幅提高器件的元胞结构密度。本文要介绍的“V”系列产品具有较大的饱和电流和良好的导通损耗/开关损耗折中特性，非常适合光伏逆变、储能、UPS等应用。
华太电子推出650V和1200V超结IGBT系列产品，已在光伏、储能等领域大批量使用
华太电子研发出650V和1200V超结1GBT系列产品。相较传统沟槽型IGBT,SUPER JUNCTION IGBT充分利用超结的优势，可有效提升器件的正向导通特性及开关特性。目前超结1GBT已在光伏、储能等领域开始大批量使用。
【元件】长晶科技FST3.0 IGBT新品发布＆光伏储能/逆变器/充电模块应用方案
长晶科技全新推出了FST3.0（对标国际Gen7.0）650V和1200V系列的三款IGBT单管，主要用于光伏储能等应用。新品使用最新的微沟槽栅（1.6μm Pitch）+场终止技术，提高载流子密度；芯片元胞/功率密度增大，经济性更好；针对光储类应用优化了通态损耗和开关损耗，同时又保证产品的鲁棒特性。
芯众享面向光伏及储能领域推出碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET产品，电流范围10~40A可选
芯众享面向光伏及储能领域推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET产品。其中碳化硅肖特基二极管已经在工商业光伏逆变器、组串式光伏逆变器、微型光伏逆变器领域广泛应用。
混合式IGBT可解决硅基FRD的Snappy现象限制IGBT的开通速度问题
基本半导体混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，在部分应用中可以替代传统的IGBT，使IGBT的开关损耗大幅降低，适用于储能（ESS）、车载充电器（OBC）、不间断电源（UPS）、光伏组串逆变器等领域。
【视频】vincotech 1500V储能高可靠性IGBT模块解决方案，高达16khz开关频率
型号- LU89F08,LM00F96T,B0-SP10NDA100S7-LU18F08Y,B0-SP10F3A100S7-LU49F08Y,LG09F08
【应用】威科1200V IGBT模块LG09F08助力200KW储能PCS设计，开关频率高达16kHz
本文重点介绍威科（Vincotech）三电平IGBT模块LG09F08用于200KW储能PCS设计项目，优势：电压可达1500V，电流达150A；采用多电平拓扑技术；采用IGBT4晶圆设计；有客户应用案例，产品成熟等。
森未科技200kW+储能PCS用IGBT：S3L225R12GA7H_C20，带铜基板，增加了输出能力
森未科技正式发布GA系列首发产品：S3L225R12GA7HC20，采用第七代IGBT芯片技术，具备低开关损耗、低寄生电感的模块设计、带铜基板的特点，可用于200kW+储能。
【应用】IGBT功率模块在充电设备上的应用
半导体材料在当前的电池充电应用中扮演着越来越重要的角色，Vincotech公司开发了一系列针对这种应用的全功率范围的功率模块，该模块设计大大节省了PCB板的面积。
电子商城
现货市场
服务
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数，电压1.5-37V，电流5-150mA，波长470-940nm。
最小起订量： 30000 提交需求>
可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品，尺寸：0.6*0.3mm-3.2*2.7mm，波长：405-940nm，亮度：24-750mcd，电压：1.5-3.5V。
最小起订量： 3000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论