混合式IGBT——硅FRD的Snappy现象会限制IGBT的开通速度 ∣ 视频
![混合式IGBT,碳化硅肖特基二极管,IGBT,混合碳化硅分立器件](https://www.sekorm.com/front/website/images/sekormContent.jpg)
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传统电力电子应用中,IGBT的续流二极管一般以硅基FRD(快恢复二极管)为主,而硅基FRD的性能限制了IGBT的开通和关断行为的潜力,对开关损耗是很大的拖累。为此,基本半导体研发推出了一种混合式IGBT(即混合碳化硅分立器件)来解决这一问题,即在IGBT中把续流二极管用碳化硅肖特基二极管替代硅基FRD,可使IGBT的开通与关断的潜力得以全部释放,开关损耗大幅降低。
今天的“SiC科普小课堂”,基本半导体市场部总监魏炜老师将继续带来混合式IGBT话题第三讲,主要介绍硅基FRD反向恢复的Snappy现象对IGBT的开通速度的影响,以及用碳化硅肖特基二极管的替代解决办法,点击下方视频一探究竟!
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