碳化硅材料及碳化硅肖特基二极管的优势特点
21世纪，是信息技术大爆发的时代，在信息技术快速发展过程中，必然离不开半导体材料的迅猛发展。半导体材料、器件的发展必将引发一场全新的产业技术革命。以SiC、GaN为代表的第三代半导体材料在短波长激光器、白光发光管、高频大功率器件等方面有广阔的应用，是目前半导体产业技术发展的一个热门方向。而碳化硅肖特基二极管是其中一个重要的分支部分。那么碳化硅肖特基二极管的优势特点有哪些呢？下面我们来来了解一下。
碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。 碳化硅又称碳硅石，呈颗料或粉末状。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种。可以称为金钢砂或耐火砂。
与普通硅相比，采用碳化硅的元器件有如下特性：
1、高压特性
2、高频特性
3、高温特性
碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）的器件采用了结势垒肖特基二极管结构（JBS），可以有效降低反向漏电流，具备更好的耐高压能力。碳化硅肖特基二极管是一种单极型器件，因此相比于传统的硅快恢复二极管（Si FRD），碳化硅肖特基二极管具有理想的反向恢复特性。碳化硅肖特基二极管的主要优势，有如下特点：
1. 几乎无开关损耗
2. 更高的开关频率
3. 更高的效率
4. 更高的工作温度
5. 正的温度系数，适合于并联工作
6. 开关特性几乎与温度无关
目前碳化硅器件发展情况如何？
1.技术参数：举例来说，肖特基二极管电压由250伏提高到1000伏以上，芯片面积小了，但电流只有几十安。工作温度提高到180℃，离介绍能达600℃相差很远。压降更不尽人意，与硅材料没有差别，高的正向压降要达到2V。
2.市场价格：约为硅材料制造的5到6倍。
但是碳化硅(SiC)器件发展中的难题又在哪里？
综合各种报道，难题不在芯片的原理设计，特别是芯片结构设计解决好并不难。难在实现芯片结构的制作工艺。
但是随着技术的发展和人们需求的增加，碳化硅材料会得到迅猛的发展，这对于半导体行业会是一个极大的利好机会，同时对电子行业的发展会起到极大的促进作用，对从事电子行业的公司是一个极大的挑战，同时也是一个极大的机遇。
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