浅析施密特触发器光耦的主要特点

2024-05-10 晶台光耦公众号
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施密特触发器光耦是将施密特触发器与光耦合器件(光电耦合器)相结合的一种电路设计。在这种设计中,光耦将输入信号转换成光信号,并通过光学隔离的方式将输入信号和输出信号电气地隔离开来,以增强电路的抗干扰能力和安全性。本文中晶台将为大家浅析施密特触发器光耦的主要特点。

下面简要分析施密特触发器光耦的主要特点:

电气隔离:光耦器件将输入和输出信号通过光信号传递,实现了电气隔离,从而防止了直接的电气连接。这种隔离可以防止地线干扰、电气击穿等问题,提高了电路的安全性和稳定性。

抗干扰能力强:光耦器件的光学隔离特性可以有效隔离输入和输出之间的干扰信号,提高了电路的抗干扰能力。因此,施密特触发器光耦在嘈杂环境或需要抗干扰的应用中表现出色。

可靠性高:光耦器件通常具有较长的使用寿命和良好的稳定性,因此施密特触发器光耦具有较高的可靠性,适用于长期稳定运行的应用场景。

适用于高频率和高速应用:由于光信号传输的速度快,施密特触发器光耦适用于高频率和高速应用,能够快速响应输入信号的变化。

隔离噪声:通过光学隔离,施密特触发器光耦可以有效地隔离输入信号中的噪声,保证输出信号的稳定性和准确性。

节省空间:光耦器件通常体积较小,能够在有限的空间内实现电气隔离,从而节省了电路板的空间。


总的来说,施密特触发器光耦结合了施密特触发器和光耦器件的优点,具有电气隔离、抗干扰、高可靠性等特点,适用于要求电气隔离和稳定性较高的应用场景。例如工业控制、电力系统、医疗设备等领域。其光学隔离特性可以有效地防止信号干扰和传递过程中的电气隔离问题,同时保证信号的可靠传递和稳定性。


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产品型号
品类
正向电压(V)
反向电流(uA)
击穿电压(V)
暗电流(nA)
电流传输比(%)
隔离电压(V)
总消耗功率(mW)
工作温度(℃)
封装
KL817-A-F
DC晶体管光耦
1.2V
10uA
80V
100nA
80~160%
5000V
200mW
-55~+110℃
DIP4(尺寸6.5*4.59*3.5mm)

选型表  -  晶台 立即选型

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