瞻芯电子亮相深圳国产半导体应用技术大会,提供一站式碳化硅功率半导体和芯片解决方案
上海瞻芯电子科技有限公司已于6月25日(周六)参加了在深圳举办第三届“国产半导体应用技术大会”,今年盛会规模更是全面升级,三大会场,行业大咖汇聚,分享最新技术、实际案例分析。瞻芯电子在现场展示了全系列产品,包括碳化硅(SiC)功率器件和模块,SiC MOSFET/IGBT栅极驱动芯片,CCM图腾柱PFC模拟控制芯片等,为客户提供一站式碳化硅功率半导体和芯片解决方案。产品系列概览如下:
同时,瞻芯电子还展示了多件参考设计(Reference design)方案,为客户提供开发设计支持 :
1、基于CCM图腾柱PFC模拟控制芯片的3kW钛金级电源应用案例,这是一款量产版通信电源,为PFC+LLC拓扑架构,同时采用650V SiC MOSFET和SiC专用比邻驱动®芯片,电源效率高达96.8%。
核心元器件及特点
IVCC1102: CCM图腾柱PFC 模拟控制芯片
使用简单,无需编程,可快速推向市场
高性能的PFC控制,更快速,更精确,高可靠的模拟控制
低物料成本
IV1Q06040T4: 650V / 40mOhm SiC MOSFET
2、基于CCM图腾柱PFC模拟控制芯片的700W钛金级电源应用方案,该方案在消费及工业电子领域被广泛应用,量产版电源为PFC+LLC拓扑架构,同时搭配氮化镓(GaN)器件,电源效率高达96.72%,符合80Plus钛金级电源标准。
核心元器件及特点
IVCC1102: CCM图腾柱PFC 模拟控制芯片
使用简单,无需编程,可快速推向市场
高性能的PFC控制,更快速,更精确,高可靠的模拟控制
低物料成本
G1N65R050TB:Cascode氮化镓器件
3、基于碳化硅的高功率密度、高频率的高前瞻性充电桩方案,这是一个崭新电源架构,即利用电池为等效大电容的特性,采用电流源PFC加直流变压器(DC-X)来提高电源功率密度。
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产品型号
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品类
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Qualification
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VDS(V)
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RDS(ON) (mΩ)
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ID(TC=25°C)(A)
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VTH( TJ =25°C)(V)
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VTH( TJ =175°C)(V)
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Qg(nC)
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Operating Junction Temperature(°C)
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Package
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IV2Q06025T4Z
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SiC MOSFET
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汽车级
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650V
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25mΩ
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99A
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2.8V
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2.0V
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125.0nC
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-55°C to 175°C
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TO247-4
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选型表 - 瞻芯电子 立即选型
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型号- IVCC1104GDR,IVCC1104HDR,IVCC1104AF4AR,IVCC1104EDR,IVCC1104DF4AR,IVCC1104FDR,IVCC1104CDR,IVCC1104FF4AR,IVCC1104DDR,IVCC1104XDR,IVCC1104XF4AR,IVCC1104GF4AR,IVCC1104EF4AR,IVCC1104,IVCC1104ADR,IVCC1104HF4AR,IVCC1104CF4AR,IVCC1104DR,IVCC1104F4AR
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型号- IV1Q12050T4,IV1Q12017T4,IVCC1102,IV1Q12017T4G,IV1Q12017BAG,IVCR1412,IVCR1401
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