瞻芯电子亮相深圳国产半导体应用技术大会，提供一站式碳化硅功率半导体和芯片解决方案
上海瞻芯电子科技有限公司已于6月25日（周六）参加了在深圳举办第三届“国产半导体应用技术大会”，今年盛会规模更是全面升级，三大会场，行业大咖汇聚，分享最新技术、实际案例分析。瞻芯电子在现场展示了全系列产品，包括碳化硅(SiC)功率器件和模块，SiC MOSFET/IGBT栅极驱动芯片，CCM图腾柱PFC模拟控制芯片等，为客户提供一站式碳化硅功率半导体和芯片解决方案。产品系列概览如下：
同时，瞻芯电子还展示了多件参考设计（Reference design)方案，为客户提供开发设计支持 ：
1、基于CCM图腾柱PFC模拟控制芯片的3kW钛金级电源应用案例，这是一款量产版通信电源，为PFC+LLC拓扑架构，同时采用650V SiC MOSFET和SiC专用比邻驱动®芯片，电源效率高达96.8%。
核心元器件及特点
IVCC1102: CCM图腾柱PFC 模拟控制芯片
使用简单，无需编程，可快速推向市场
高性能的PFC控制，更快速，更精确，高可靠的模拟控制
低物料成本
IV1Q06040T4: 650V / 40mOhm SiC MOSFET
2、基于CCM图腾柱PFC模拟控制芯片的700W钛金级电源应用方案，该方案在消费及工业电子领域被广泛应用，量产版电源为PFC+LLC拓扑架构，同时搭配氮化镓(GaN)器件，电源效率高达96.72%，符合80Plus钛金级电源标准。
核心元器件及特点
IVCC1102: CCM图腾柱PFC 模拟控制芯片
使用简单，无需编程，可快速推向市场
高性能的PFC控制，更快速，更精确，高可靠的模拟控制
低物料成本
G1N65R050TB：Cascode氮化镓器件
3、基于碳化硅的高功率密度、高频率的高前瞻性充电桩方案，这是一个崭新电源架构，即利用电池为等效大电容的特性，采用电流源PFC加直流变压器（DC-X）来提高电源功率密度。
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产品型号
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品类
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Qualification
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VDS（V）
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RDS(ON) （mΩ）
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ID（TC=25°C）（A）
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VTH（ TJ =25°C）（V）
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VTH（ TJ =175°C）（V）
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Qg（nC）
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Operating Junction Temperature（°C）
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Package
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IV2Q06025T4Z
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SiC MOSFET
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汽车级
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650V
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25mΩ
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99A
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2.8V
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2.0V
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125.0nC
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-55°C to 175°C
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TO247-4
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选型表 - 瞻芯电子 立即选型
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型号- IVCC1104GDR,IVCC1104HDR,IVCC1104AF4AR,IVCC1104EDR,IVCC1104DF4AR,IVCC1104FDR,IVCC1104CDR,IVCC1104FF4AR,IVCC1104DDR,IVCC1104XDR,IVCC1104XF4AR,IVCC1104GF4AR,IVCC1104EF4AR,IVCC1104,IVCC1104ADR,IVCC1104HF4AR,IVCC1104CF4AR,IVCC1104DR,IVCC1104F4AR
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型号- IV1Q12050T4,IV1Q12017T4,IVCC1102,IV1Q12017T4G,IV1Q12017BAG,IVCR1412,IVCR1401
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型号- IV1Q12050T4,IV1Q12017T4,IVCC1102,IV1Q12017T4G,IV1Q12017BAG,IVCR1412,IVCR1401
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