【产品】功率更大，空间更少 ，性能更高的SIC MOS管
您是否正在为开关电源，焊机或是UPS应用选择一款超快的，高效的功率模块而烦恼？
新的flowPACK 1 SiC比1200V SiC MOSFET更快，比650V MOSFET 更安全，非常适合需要LLC拓扑的软开关的充电站。这款新的flowPACK 1 SiC拥有3个半桥可以在标称和部分负载下实现您所需的效率。此外，其增加的开关频率和功率密度降低了整体系统成本。
图1：产品图片
flowPACK 1 SiC主要优点：
• 超快速900V SiC MOSFET，可实现高达400kHz的开关频率
• 适于硬开关和软开关应用
• 提升了功率密度，降低了系统成本
图2：原理图
flowPACK 1 SiC特征：
• 3个半桥
• 开放性发射器配置
• 开尔文发射器，用于改善开关性能
• 温度传感器
• 低感应flow 1 12mm压配针
• 相变材料可根据要求提供
• NTC
flowPACK 1 SiC应用：
• 充电器
• 开关电源
• 环境应力筛选试验
• 焊接
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产品型号
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品类
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SUB-TOPOLOGY
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PRODUCT LINE
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VOLTAGEIN（V）
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CURRENTIN(A)
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MAIN CHIP TECHNOLOGY
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HOUSING FAMILY
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HEIGHTIN（mm）
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ISOLATION
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10-EY122PA005ME-LU39F08T
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SiC功率模块
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Half-Bridge-NTC
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flowDUAL E2 SiC
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1200
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SiC MOSFET
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flow E2
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产品型号
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品类
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产品状态
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拓扑
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电压(V)
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电流(A)
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模块高度 (mm)
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晶圆工艺
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封装
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10-0B06PPA004RC-L022A09
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SiC功率模块
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Series production
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PIM+PFC(CIP)
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600V
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4A
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