【产品】功率更大，空间更少，性能更高的SIC MOS管

时间： 2017-04-03 来源：Vincotech（世强翻译）

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您是否正在为开关电源，焊机或是UPS应用选择一款超快的，高效的功率模块而烦恼？

新的flowPACK 1 SiC比1200V SiC MOSFET更快，比650V MOSFET 更安全，非常适合需要LLC拓扑的软开关的充电站。这款新的flowPACK 1 SiC拥有3个半桥可以在标称和部分负载下实现您所需的效率。此外，其增加的开关频率和功率密度降低了整体系统成本。

图1：产品图片

flowPACK 1 SiC主要优点：

• 超快速900V SiC MOSFET，可实现高达400kHz的开关频率

• 适于硬开关和软开关应用

• 提升了功率密度，降低了系统成本

图2：原理图

flowPACK 1 SiC特征：

• 3个半桥

• 开放性发射器配置

• 开尔文发射器，用于改善开关性能

• 温度传感器

• 低感应flow 1 12mm压配针

• 相变材料可根据要求提供

• NTC

flowPACK 1 SiC应用：

• 充电器

• 开关电源

• 环境应力筛选试验

• 焊接

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全部评论（1）

wwlz6491 Lv4. 资深工程师 2018-04-26

主要是驱动保护不好做，短路要求3us内关断

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产品型号	品类	产品状态	拓扑	电压(V)	电流(A)	模块高度 (mm)	晶圆工艺	封装
10-0B06PPA004RC-L022A09	SiC功率模块	Series production	PIM+PFC(CIP)	600V	4A	17mm	IGBT RC	flow 0B

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产品型号	品类	SUB-TOPOLOGY	PRODUCT LINE	VOLTAGEIN（V）	CURRENTIN(A)	MAIN CHIP TECHNOLOGY	HOUSING FAMILY	HEIGHTIN（mm）	ISOLATION
10-EY122PA005ME-LU39F08T	SiC功率模块	Half-Bridge-NTC	flowDUAL E2 SiC	1200	300	SiC MOSFET	flow E2	12	Al2O3