叠层母排寄生电感的评估与优化（一）

车规模块内部集成RC-snubber

增加RC-snubber有效地抑制了阵地和电压尖峰。电流尖峰幅值的增加是由于snubber电容放电而产生。这种节约效果是显著的，表现在8%的rms电流或12%的结温度。这些发现有助于增加rms输出电流或减少有源芯片面积，以节省成本。

IGBT的短路测试

在我们设计产品进行IGBT选型的时候，我们在关注电流、电压、损耗等等性能参数中，短路耐量一直是备受关注的一点。而这时的关注也仅仅是“人群中多看你一眼”的节奏，有没有后续还得看实际测试，这也是众多规格书中基本存在的一句话“仅作参考”。所以，切实有效的测试才是下决定前最重要的一环，不同的工况有着不一样的需求，只有切实地验证之后才能较为放心大胆的使用。

车规级SiC功率模块封装技术及其发展趋势

当前车规级功率器件的封装设计朝着高功率密度、 高工作效率、低热阻、低寄生参数、高绝缘能力和高集成度等方向发展，分析各封装设计手段对器件特性的影响，寻求针对特定需求的电学、热学和机 械等特征参数的最佳平衡，以满足不同应用场景， 适应高标准的发展需求，从不同角度综合考虑，达到多维度优化的最佳效果。本文阿基米德半导体来给大家分享车规级SiC功率模块封装技术及其发展趋势。

SiC MOS器件的SiC/SiO2界面特性分析，深入了解栅氧界面的缺陷

SiC MOSFET作为一种新型的功率器件，正在引领着未来能源转型的浪潮。SiC MOSFET的一个重要组成部分就是其栅氧界面。这个界面是指栅极金属和硅氧化物之间的接触区域。而栅氧界面的缺陷一直是广为关注的问题，本文将带大家了解栅氧界面的缺陷。

模块化储能PCS技术“大比武”，功率IGBT模块是核心

本文讨论了模块化储能PCS技术在储能领域中的快速发展和应用，强调了其因分布式场景多样化和储能安全、经济需求而得到重视。文章还详细介绍了部分企业的模块化储能PCS产品和技术特点，此外，文章还提到了模块化PCS技术在应对系统能量密度提升、削峰填谷、电力稳定等方面的优势。整体而言，模块化储能PCS技术正逐渐成为储能领域的重要发展方向，为分布式能源和智能电网的发展提供了有力支持。

成功举办 | 2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛圆满闭幕！

2024年6月5日-7日，2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛在北京·亦庄格兰云天国际酒店盛大召开。本次会议以“凝芯聚力，降本增效”为主题，深度聚焦宽禁带半导体领域关键材料、智能装备、核心器件等产业链，涵盖晶体及外延生长、材料应用、集成封装、功率器件应用、系统解决方案等产业化内容。

解读SiC MOSFET关键参数——Vth

当代电子技术的发展不仅需要高效性能，还需要可靠和可持续的解决方案。而SiC MOSFET作为一种新型的功率器件，我们要聊的是碳化硅MOSFET中另一个关键参数——Vth，这个参数不仅关系到器件的开启与关闭，还直接影响到器件的导通损耗和开关速度，进而影响到整个系统的效率和可靠性。本文解读SiC MOSFET关键参数——Vth ，希望通过本文的介绍，您能对SiC MOSFET的Vth有更深入的了解。

栅极电荷的理解与应用

​为了有效的使用功率器件，有必要了解规格书中的栅极电荷信息。栅极电荷信息一般出现在规格书的两个位置：一、在动态特性的表格中；二、在特性图中展示栅源电压与总栅极电荷特性曲线。本文阿基米德半导体来给大家分享栅极电荷的理解与应用。本文说明针对MOSFET，但也同样适用于IGBT。

阿基米德半导体解析SiC功率模块串扰机理及解决方案

串扰问题（Cross talk）半桥电路中，SiC MOSFET芯片开关动作引起另一个SiC MOSFET芯片开关的栅源极电压波动的问题，分为正向串扰和负向串扰。本文阿基米德半导体将为您介绍SiC功率模块串扰机理及解决方案。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

叠层母排以其优异的电气性能和散热性能等特点，成为电力传输的革新者

叠层母排作为一种创新的电气连接方式，以其优异的电气性能、散热性能、结构紧凑性和高可靠性，在电动汽车、轨道交通、通信基站、发电系统等领域得到广泛应用。

碳化硅模组封装，我们还能聊什么？

随着碳化硅应用节奏加快，功率模块的客制化需求释放，多数车企选择了自研或定制化开发功率模组，这也意味着围绕碳化硅材料特性正向开发适配的封装方案势在必行。本文介绍了几种有效的碳化硅模组封装方案，包括英飞凌HPD、丹佛斯DCM、联合汽车电子PM6等。

瞬态热阻抗测试原理、步骤及结构函数解读

瞬态热阻抗测试是一种用于评估功率器件热性能的重要手段，能够提供器件在不同工作条件下的详细热性能数据，利用双界面法可测得结壳热阻RthJC。本文将详细探讨瞬态热阻抗测试原理、步骤以及结构函数的解读。