如何根据参数选型MOSFET？
MOSFET作为电气系统中的基本部件，工程师如何根据参数做出正确选择呢？本文将讨论如何通过四步来选择正确的MOSFET。
1.沟道的选择。为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET，在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的考虑。
2.电压和电流的选择。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOSFET不会失效。就选择MOSFET而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机或变压器）诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20~30V、85~220VAC应用为450~600V。
在连续导通模式下，MOSFET处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。
3.计算导通损耗。MOSFET器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易（较为普遍），而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS（ON）电阻会随着电流轻微上升。关于RDS（ON）电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。
4.计算系统的散热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOSFET的资料表上还有一些需要注意的测量数据；比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及最大的结温。
开关损耗其实也是一个很重要的指标。导通瞬间的电压电流乘积相当大。一定程度上决定了器件的开关性能。不过如果系统对开关性能要求比较高，可以选择栅极电荷QG比较小的功率MOSFET。
凌讯微电子是一家专注功率半导体器件研发、封装测试、销售于一体的国家高新技术企业，致力于成为卓越的功率半导体器件制造商，助力功率半导体核心器件国产化，能够为客户提供高质量，高可靠性的功率器件产品及全方位的技术支持，现有肖特基、LowVF肖特基、快恢复、高压MOS、中低压MOS、超结MOS、IGBT单管及SiC（碳化硅）二极管等主力产品线，产品广泛应用于各类电源适匹器、LED照明、无刷马达，锂电管理，逆变等领域。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由转载自凌讯微电子，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
【技术】MOSFET在LED照明中的应用说明
发光二极管简称LED，微小的半导体芯片被封装在洁净的环氧树脂物中，当电子经过该芯片时，带负电的电子移动到带正电的空穴区域并与之复合，电子和空穴消失的同时产生光子。本文中辰达行将为大家解析MOSFET在LED照明中的应用。
SiC器件：让光伏逆变器功率密度高达50Kw/L
随着电力电子变换系统对于效率和体积提出更高的要求，SiC（碳化硅）将会是越来越合适的半导体器件。
【产品】直流无刷马达控制电路ICF CP1205，具有高电流驱动能力，可控制外部三相MOSFET电桥
ICF CP1205为直流无刷马达控制电路，实现开环、三相或四相马达控制所需的全部功能。包含转自位置检测器、温度补偿基准、锯齿波振荡器、三个集电极开路的顶部驱动器和三个高电流的图腾柱底部驱动器，适用于驱动功率MOSFET管。
亚成微电子（Reactor Microelectronics）功率MOSFET选型指南
型号- RMA65R1K0SN,RMA65R380SN,RMG65R600BN,RC10R600H,RMC65R280SN,RMA65R950SN,RMA65R600BN,RMC65R1K0SN,RMG65R380SN,RMG65R650BN,RMXXXRXXX,RMC65R950SN,RMA65R650BN,RMA65R280SN,RMG65R1K0SN,RMC65R650BN,RMG65R280SN,RMC65R380SN
德欧泰克DI110N06D1功率MOSFET用于电动坐椅功能，可提供110A连续漏极电流和65V反向电压
德欧泰克的功率MOSFET DI110N06D1用于牙科椅的电动座椅功能的驱动逆变器中。它在25°C下提供110A的连续漏极电流和65V的反向电压，为通常48V直流电源提供足够的安全裕量。非常低的导通电阻典型值为2.5mΩ，允许高达550A的峰值漏电流，这在电机将人抬回直立位置时尤其重要。
【应用】六合一MOSFET功率模块助力EPS逆变设计
恰能解决PCB驱动板面积受限制、封闭性散热难等技术难题的功率模块。
【产品】芯天下100V 6N三相全桥MOSFET栅极驱动XTM2600，适用于大功率直流无刷马达驱动控制
芯天下针对直流无刷马达驱动应用推出三相全桥的MOSFET栅极驱动产品，其中100V三相全桥MOSFET栅极驱动针对6NMOS类型，适用于大功率直流无刷马达驱动控制，以电动工具、两轮电动车、逆变器应用为主。
模拟CMOS逆变器的开关功耗
本文将介绍SPICE仿真，以帮助更全面地了解逆变器的不同类型的动态功耗。本文重点讨论开关功率——输出电压变化时电容充电和放电所消耗的功率。
凌讯微LC65R380D系列COOL MOS型号推荐
凌讯微电子LC65R380D 系列COOL MOS，封装：TO-263、TO-220F、TO-252、TO-220C、PDFN5x6；I D：14A，V DSS ：650V，RDSON-typ VGS=10V ：340mΩ。
为什么SiCMOSFET需要更高的驱动电压？
各位工程师应该已经发现了，我们在使用Si MOSFET的时候，只需要使用10V的驱动电压就可以了，但是换成SiC MOSFET的时候，我们需要更高的驱动电压，一般会达到15-20V之间。这就使得我们在使用SiC MOSFET去替代Si MOSFET的时候需要对驱动电路的驱动电压进行一个调整之后才能使用。
凌讯微LC65R040B COOL MOS型号推荐
凌讯微电子LC65R040B COOL MOS封装TO-247，I D：70A，V DSS ：600V，RDSON-typ VGS=10V ：38mΩ。
华轩阳电子(MOSFET在微型光伏逆变器中的应用，能够有效降低光伏逆变器的功率损耗
在小功率应用中，如消费类电子产品、移动充电设备等，光伏逆变器不仅需要高效转换太阳能，还需要保持小巧轻便，以适应多样化的使用场景。在这一背景下，功率半导体分立器件MOSFET的选择变得至关重要。
小功率光伏逆变器采用导热垫片T-gard 500用于MOSFET下面散热，由于产品体积较小，要求温升不超过15度，实际测试中温升超过15度，不满足要求，请问如何解决此问题？
根据目前光伏逆变器的功率等级和散热环境，推荐采用T-gard 5000导热垫片代替T-gard 500，T-gard 5000材质是由聚酰亚胺表面涂覆一层填充陶瓷材料的高温硅树脂橡胶制成，热阻在50psi压力下仅为0.48度in2/W，且厚度只有0.127mm，更利于热量传导。
为什么SiC MOSFET需要更高的驱动电压？
各位工程师应该已经发现了，我们在使用Si MOSFET的时候，只需要使用10V的驱动电压就可以了，但是换成SiC MOSFET的时候，我们需要更高的驱动电压，一般会达到15-20V之间。这就使得我们在使用SiC MOSFET去替代Si MOSFET的时候需要对驱动电路的驱动电压进行一个调整之后才能使用。那么到底是什么原因，不得不大费周章去使用成高的驱动电压来驱动SiC MOSFET呢？
【应用】导通电阻低至8.5mΩ的功率MOSFET P40F10SN如何适用于地铁屏蔽门150W直流无刷电机逆变设计？
为实现对地铁屏蔽门150W直流无刷电机驱动控制，其逆变单元一般需要至少72V/30A功率MOSFET做逆变，推荐选用Shindengen（新电元）功率MOSFET P40F10SN，FTO-220AG（3pin）封装，规格为100V/40A，低至8.5mΩ典型导通电阻，总栅极电荷Qg典型值仅为92nC，反向传输电容Crss典型值为205pF，可满足市场上大功率快速开关设计需求。
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论