2029年SiC器件市场超100亿美元

SiC和GaN市场，正在被重塑

在不同的驱动因素下，SiC和GaN继续保持着自 2018-2019 年开始的快速增长势头。最初，颠覆性汽车制造商特斯拉在其逆变器中采用了SiC。但现在，另一个趋势正在重塑电动汽车 (EV) 市场，即快速800V电动汽车充电，从而缩短充电时间。SiC是推动因素，具有良好的性能和不断发展的供应链。

多方协同破卷出新 助力国产碳化硅行业高质量发展

多方协同破卷出新 助力国产碳化硅行业高质量发展“半导体产业的迅猛发展，正引领着全球科技革命和产业变革的新浪潮，碳化硅在全球新能源产业发展中扮演着至关重要的角色，是我国在全球半导体产业竞争格局中实现重要突破的关键。

碳化硅：第三代半导体材料的性能优势与应用前景

经过第一代硅基半导体、第二代的砷化镓半导体，半导体材料发展已经来到了属于碳化硅、氮化镓的第三代。碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。

解读SiC MOSFET关键参数——Rds(on)

当代电子技术的发展不仅需要高效性能，还需要可靠和可持续的解决方案。而SiC MOSFET作为一种新型的功率器件，正在引领着未来能源转型的浪潮。今天，我们要聊的主角是碳化硅MOSFET中的一个关键参数——Rdson，这个参数的优化，就像是在节能减排的长跑中，为我们的电动汽车、可再生能源系统换上了更轻盈的跑鞋。

解读SiC MOSFET关键参数——Vth

当代电子技术的发展不仅需要高效性能，还需要可靠和可持续的解决方案。而SiC MOSFET作为一种新型的功率器件，我们要聊的是碳化硅MOSFET中另一个关键参数——Vth，这个参数不仅关系到器件的开启与关闭，还直接影响到器件的导通损耗和开关速度，进而影响到整个系统的效率和可靠性。本文解读SiC MOSFET关键参数——Vth ，希望通过本文的介绍，您能对SiC MOSFET的Vth有更深入的了解。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

三种碳化硅MOSFET沟道迁移率提升工艺介绍

本文介绍了三种碳化硅MOSFET沟道迁移率提升工艺，包括通过工艺创新制作无碳残留、低缺陷氧化层；针对沟槽型器件选择优质垂直晶面成膜；使用SLE生长法制作含高迁移率的3C-SiC混合外延层。SiC MOSFET器件目前存在两个主要技术难点没有完全突破：低沟道迁移率和高温、高电场下栅氧化层的可靠性。在克服这两个问题后，碳化硅功率半导体行业将迎来爆发式增长。

阿基米德半导体专业解析SiC MOS器件结构及基本特性

随着能源技术的不断进步，半导体器件作为能源转换和控制的关键元件，扮演着越来越重要的角色。在这个领域中，碳化硅（SiC）MOS器件因其优异的性能和特性备受关注。本文中阿基米德半导体将为大家专业解析SiC MOS器件结构及基本特性。

阿基米德半导体荣获合肥市高层次科技人才团队A类认定！共创功率半导体产业新篇章

2024年4月17日，阿基米德半导体(合肥)有限公司被合肥市科技局认定为“合肥市高层次科技人才团队A类项目”。所申报的“碳化硅及IGBT功率半导体器件及模块产线项目”由中国科学院院士引领，凭借其前沿的技术和广阔的市场前景，迅速引起了行业内外的广泛关注。

阿基米德携三电平高功率模块及第三代半导体SiC器件亮相上海SNEC，助推光伏储能行业高质量发展

‍2023年11月1日-3日，第八届国际储能技术和装备应用博览会在上海新国际博览中心举行。阿基米德半导体携光伏储能、新能源汽车、工业控制等多领域的三电平高功率模块以及第三代半导体SiC器件等参加了本次盛会。

阿基米德半导体解析SiC功率模块串扰机理及解决方案

串扰问题（Cross talk）半桥电路中，SiC MOSFET芯片开关动作引起另一个SiC MOSFET芯片开关的栅源极电压波动的问题，分为正向串扰和负向串扰。本文阿基米德半导体将为您介绍SiC功率模块串扰机理及解决方案。

基于碳化硅器件的PFC升压转换器助力变频空调实现更高功率密度，进而达到更高能效

变频空调的压缩机速度可以随设定温度的要求进行连续调整，节能效果明显。同时载波频率大于16KHz，降噪明显。相比于定频空调，变频空调优点体现在节能、噪声低、温控精度高等。基于macrocore semiconductor碳化硅器件的PFC升压转换器，能够在使用更少器件数的前提下，实现更高的功率密度，进而达到更高的能效。