2029年SiC器件市场超100亿美元
据Yole Developpement称,到2029年,SiC器件市场预计将超过100亿美元,CAGR 2023-2029年为25%。
由于大规模产能扩张,预计到2026年,整个 WFE(晶圆厂设备)SiC制造设备市场将达到50亿美元的峰值。
SiC材料的固有特性需要特定的工具和工艺。鉴于碳化硅器件收入预测不断增长,厂商已经提前进行了大量投资。
从6英寸到8英寸的过渡也是功率SiC投资的关键驱动力。
截至2024年,6英寸是领先厂商的主流SiC晶圆,由于基于6英寸的产能大幅扩张,预计这种情况在我们的预测期内将持续到2029年。Wolfspeed是唯一在8英寸平台上部分制作的播放器。鉴于8英寸的研发,多家IDM和SiC晶圆厂商已经展示了8英寸样品。预计将于2025年开始首批出货。由于截至2024年开放SiC晶圆市场缺乏批量出货,因此8英寸SiC平台被认为具有战略性,在未来五年内主要是自有的。根据行业反馈,没有强调有关8英寸过渡的制造工具的担忧。安装的工具已经兼容8英寸。
器件、外延片和晶圆级的投资和扩张正在推动价值数十亿美元的SiC功率市场的增长。
设备制造商正在各个地区建设设施。碳化硅晶圆生产虽然重要但有限,但已大幅扩张,尤其是在中国,从而引发了大量设备订单。2023年,超过1/3的SiC晶圆和外延片市场被中国企业占领。这与中国的设备能力相符:截至2024年,多家中国PVT和HTCVD厂商活跃。随着价值链向设备的转移,中国的设备供应尚未自给自足。因此,中国设备厂商要想获得市场份额仍需要时间。
Yole的Taha Ayari表示:“截至2024年,生产SiC晶圆的主要方法是PVT(物理气相传输),市场规模将超过20亿美元。对于晶圆生产至关重要的SiC粉末市场预计将超过美国到2029年将达到3600万美元。PVT工具和粉末市场主要由确保内部质量的参与者垄断和控制。”
SiC的独特性能需要专门的制造工具和生产线来处理功率SiC器件。
预计从2024年到2029年,外延设备市场将累计产生43亿美元的收入,而SiC离子注入机市场预计同期将产生49亿美元的收入。扩散炉和热氧化机械等设备预计在未来五年内将产生14亿美元的收入。
M&I(计量与检测)工具对于检测SiC晶圆/外延晶圆和器件加工过程中的缺陷至关重要,预计2024年至2029年累计收入将达到57亿美元。
有助于扩大SiC市场的其他工具包括老化测试、图案化、晶圆键合、减薄和CMP工具。
至于工具制造商的情况,每一步都会有所不同。例如,SiC离子注入机和退火工具供应商市场与已确定的领先参与者更加整合,而蚀刻工具供应商格局仍在不断发展,因为许多参与者试图占领更高的市场份额。
■ SiC材料的固有特性要求特定的工具和设备加工
与Si相比,WBG SiC材料为高压、高频功率器件提供了优越的性能,即带隙宽3倍、电子漂移速度高2倍、介电击穿高5-6倍。由于可以使用硅半导体设备和消耗品进行加工,因此可以生产功率SiC器件类型(SBD、平面和沟槽MOSFET)。然而,不同的材料特性需要对设备进行调整/重新设计。
对于WFE器件制造,关键参数是高温要求和强Si-C键,它们定义了每个步骤的各种工艺窗口。碳化硅外延工具需要高温,这具有挑战性且成本高昂。高通量和高运行重复性是必须的。水平式HTCVD拥有多个供应商、更容易维护且产量高,因此比垂直式更受青睐。在室温(RT)下,SiC的离子注入会导致材料的高密度缺陷和非晶化。因此,SiC的离子注入通常在高温下进行(热注入,例如在400-1000℃的范围内),以动态消除离子产生的缺陷。同样,所有退火和热氧化步骤都在高温(>1200 C)下进行。一般来说,高温要求要求特定的工具设计,例如工艺室的几何形状、材料和加热器类型,以保证良好的均匀性和产量。
到2024年,大部分已安装晶圆产能将用于平面SiC器件生产(55%),其次是SBD(28%)和沟槽SiC MOSFET(17%)。展望2029年,我们预计SiC沟槽MOSFET份额将增至31%。
来源:半导体行业观察综合自网络
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由walkonair转载自阿基米德半导体公众号,原文标题为:2029年SiC器件市场超100亿美元,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
SiC和GaN市场,正在被重塑
在不同的驱动因素下,SiC和GaN继续保持着自 2018-2019 年开始的快速增长势头。最初,颠覆性汽车制造商特斯拉在其逆变器中采用了SiC。但现在,另一个趋势正在重塑电动汽车 (EV) 市场,即快速800V电动汽车充电,从而缩短充电时间。SiC是推动因素,具有良好的性能和不断发展的供应链。
行业资讯 发布时间 : 2024-07-24
多方协同破卷出新 助力国产碳化硅行业高质量发展
多方协同破卷出新 助力国产碳化硅行业高质量发展“半导体产业的迅猛发展,正引领着全球科技革命和产业变革的新浪潮,碳化硅在全球新能源产业发展中扮演着至关重要的角色,是我国在全球半导体产业竞争格局中实现重要突破的关键。
行业资讯 发布时间 : 2024-07-13
2028年全球功率器件市场将达333亿美元,需要更多硅、SiC和GaN功率器件产能
受电动和混合动力电动汽车(xEV)、可再生能源和工业电机等应用推动,Yole预计到2028年,全球功率器件市场将增长至333亿美元,中国厂商将在电动汽车产业的优势下迅猛发展。
行业资讯 发布时间 : 2023-11-10
SiC MOS器件的SiC/SiO2界面特性分析,深入了解栅氧界面的缺陷
SiC MOSFET作为一种新型的功率器件,正在引领着未来能源转型的浪潮。SiC MOSFET的一个重要组成部分就是其栅氧界面。这个界面是指栅极金属和硅氧化物之间的接触区域。而栅氧界面的缺陷一直是广为关注的问题,本文将带大家了解栅氧界面的缺陷。
设计经验 发布时间 : 2024-03-02
解读SiC MOSFET关键参数——Rds(on)
当代电子技术的发展不仅需要高效性能,还需要可靠和可持续的解决方案。而SiC MOSFET作为一种新型的功率器件,正在引领着未来能源转型的浪潮。今天,我们要聊的主角是碳化硅MOSFET中的一个关键参数——Rdson,这个参数的优化,就像是在节能减排的长跑中,为我们的电动汽车、可再生能源系统换上了更轻盈的跑鞋。
技术探讨 发布时间 : 2024-07-11
阿基米德半导体IGBT功率模块/IGBT分立器件选型表
阿基米德半导体推出高性能MOSFET/IGBT、Hybrid/ SiC SBD/MOSFET功率模块、分立器件产品,涵盖650V~1700V电压等级,产品主要应用于新能源汽车/光伏/储能/充电桩/数据中心/电能质量等领域。
产品型号
|
品类
|
VCE(V)
|
IC(A)
|
Package
|
AMG200L12L1H3RB
|
IGBT功率模块
|
1200
|
200
|
ACL
|
选型表 - 阿基米德半导体 立即选型
成功举办 | 2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛圆满闭幕!
2024年6月5日-7日,2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛在北京·亦庄格兰云天国际酒店盛大召开。本次会议以“凝芯聚力,降本增效”为主题,深度聚焦宽禁带半导体领域关键材料、智能装备、核心器件等产业链,涵盖晶体及外延生长、材料应用、集成封装、功率器件应用、系统解决方案等产业化内容。
厂牌及品类 发布时间 : 2024-07-10
车规级SiC/IGBT厂商阿基米德半导体授权世强硬创代理,助力碳中和
阿基米德半导体1200V 75A IGBT芯片综合损耗超过国际友商IFX3代产品20%、6代产品15%;1200V 60A FRD芯片的反向恢复特性优于国内友商20%。
签约新闻 发布时间 : 2024-01-04
【元件】阿基米德半导体推出单面水冷塑封SiC模块,全面迎接电动汽车800V高压平台时代的到来
针对高端电动车的系统需求,阿基米德半导体重点推出了电流密度更高、满足800V高压平台的ACD模块(单面水冷塑封SiC模块)。该模块融合了尖端技术,内置先进的SiC芯片,采用有压型银烧结互连工艺和Cu Clip键合技术,确保了卓越的电气连接性能和热管理。使用的Si3N4 AMB陶瓷基板不仅增强了机械强度和热导性,还提高了整体的耐用性和可靠性。
产品 发布时间 : 2024-03-21
阿基米德半导体专业解析SiC MOS器件结构及基本特性
随着能源技术的不断进步,半导体器件作为能源转换和控制的关键元件,扮演着越来越重要的角色。在这个领域中,碳化硅(SiC)MOS器件因其优异的性能和特性备受关注。本文中阿基米德半导体将为大家专业解析SiC MOS器件结构及基本特性。
技术探讨 发布时间 : 2023-12-01
三种碳化硅MOSFET沟道迁移率提升工艺介绍
本文介绍了三种碳化硅MOSFET沟道迁移率提升工艺,包括通过工艺创新制作无碳残留、低缺陷氧化层;针对沟槽型器件选择优质垂直晶面成膜;使用SLE生长法制作含高迁移率的3C-SiC混合外延层。SiC MOSFET器件目前存在两个主要技术难点没有完全突破:低沟道迁移率和高温、高电场下栅氧化层的可靠性。在克服这两个问题后,碳化硅功率半导体行业将迎来爆发式增长。
技术探讨 发布时间 : 2024-05-30
电子商城
服务
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。
最小起订量: 1 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论