昕感科技完成京能集团旗下北京京能能源科技并购投资基金战略入股
昕感科技再添战略股东!昕感科技完成京能集团旗下北京京能能源科技并购投资基金战略入股。
昕感科技聚焦于第三代半导体SiC功率器件和功率模块的技术突破创新与产品研发生产,致力于成为国内领先和具有国际影响力的功率半导体变革引领者。
昕感科技产品性能和可靠性对标国际一流企业,已在650V、1200V、1700V等电压平台上完成数十款SiC器件和SiC模块产品量产,部分产品已通过AEC-Q101车规级可靠性认证。其中,1200V SiC MOSFET产品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ、13mΩ、7mΩ等导通电阻规格,模块产品对标EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封装形式。截至目前昕感科技SiC MOSFET累计出货客户百余家,产品广泛应用于光伏储能、新能源汽车、工业控制等领域。昕感科技是国内为数不多可进行6吋晶圆特色工艺生产的IDM厂商,后续可为客户提供更好的支持与服务。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由咪猫转载自昕感科技公众号,原文标题为:重磅丨昕感科技再添战略股东,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
北京车展展示新能源汽车行业SiC技术革命,阿基米德半导体赋能技术新纪元
随着全球汽车行业向电动化转型的加速,碳化硅(SiC)技术正成为新能源汽车领域的关键驱动力。碳化硅技术以其高效率、高耐压、高频率的特性,正在重新定义新能源汽车的性能标准。SiC器件的高温稳定性和快速开关能力,使得电动汽车的续航能力得到显著提升,同时大幅缩短了充电时间。在中国,SiC技术的渗透率正以前所未有的速度增长,预示着新能源汽车技术的新时代。
瞻芯电子荣获SiC行业三大奖项,全面突破新能源汽车主驱、光伏储能、充电桩等众多关键领域市场
2024年12月12日,由行家说主办的“2024碳化硅&氮化镓产业高峰论坛”于深圳召开。瞻芯电子凭借极具竞争力的碳化硅(SiC)功率器件和驱动解决方案,全面突破新能源汽车主驱、光伏储能、充电桩等众多关键领域市场,取得出色的业绩表现,在颁奖礼上荣获三项大奖:“中国SiC IDM十强企业”、“年度影响力产品奖”、“第三代半导体应用推动突破奖”。
京能集团副总经理陈国高一行莅临参观昕感科技
5月30日上午,北京能源集团副总经理陈国高一行前往无锡江阴,对北京昕感科技有限责任公司在江阴在建的特色工艺晶圆厂进行了深入的调研和参观。此次考察旨在增进双方了解,并就相关产业技术进行交流。
新能源汽车碳化硅800V平台架构优势及实现方式解析
受限于硅基IGBT的工作频率和偏大的元件尺寸,目前大部分新能源车产品采用的是400V平台。随着碳化硅半导体技术的发展,越来越多车企打造出基于碳化硅的800V甚至更高的高压平台。SMC桑德斯微电子根据客户的需求设计和生产半导体及相关产品。2015年,SMC布局碳化硅产品的设计、研发与制造,并推出了一系列节能可靠、高性价比的大功率碳化硅产品器件,可广泛运用于包括新能源汽车、光伏、储能、电源等各个领域。
SiC模块先进DTS+Cu Bonding工艺,解决车规可靠性最后一块拼图?
半导体技术的进步,特别是碳化硅,产生了具有高功率密度的器件,并允许器件在明显更高的结温度下运行。互连技术在设备和组件的不间断运行中起着重要的作用。以DTS技术和铜线键合的功率模块,可作为新一代基于碳化硅的高功率模块提供有效的技术支持。
秒懂半导体封装技术——银烧结技术
银烧结技术,一种在300℃以下实现高可靠性连接的低温技术,正成为功率模块封装领域的焦点。该技术通过银颗粒间原子扩散实现互连,提供优异的导电和导热性能,满足高温应用需求。银烧结技术环保无铅,但面临设备和材料成本较高的挑战。随着技术优化,其在汽车电子、航空航天等领域有广泛应用前景。
爱仕特(AST)SiC碳化硅芯片及模块选型指南
目录- 公司简介和芯片/模块产品规则 芯片 模块 参数含义和芯片/模块产品可靠性要求介绍
型号- ASC20N650MT3,ASC100N1200MD10,ASC700N1200,ASC800N1200,ASC12N650MT3,ASC100N1700MT3,ASC100N900MT3,ASC100N900MT4,ASC10N1200MT3,ASC5N1700MT3,ASC1000N900,ASC60N650MD8,ASC30N1200MT3,ASC30N1200MT4,ASC100N650MT3,ASC100N650MT4,ASC18N1200MT3,ASC60N1200MT4,ASC60N1200MT3,ASC20N3300MT4,ASC60N650MT3,ASC60N900MT4,ASC60N650MT4,ASC60N900MT3,ASC600N1200,ASC-60-N-650-M-T-4,ASC100N1200,ASC300N1200,ASC60N1200MD8,ASC100N1200MT3,ASC100N1200MT4,ASC8N650MT3,ASC5N1200MT3,ASC1000N1200
1700V SiC MOSFET在大功率能源及工业领域的应用
1700V SiC MOSFET的低开关损耗可提高开关频率,且每个单元的总体尺寸大幅减小。同时,1700V的高阻断电压还可减少达到相同直流电压所需的单元数。在以上种种简化和优化后,终端应用的系统可靠性大大提升,而更少的有源开关和栅极驱动器也降低了整体成本。SMC桑德斯微电子根据客户的需求设计和生产半导体及相关产品。
【IC】爱仕特新款高可靠汽车级碳化硅功率模块DCS12,封装一次铸造成型,为高速发展的新能源汽车注入动力
深圳爱仕特科技有限公司推出新款汽车级碳化硅功率模块DCS12,旨在缩小半导体器件使用尺寸的同时,提高逆变器功率密度、可靠性、耐用性以及寿命周期,给高速发展的新能源汽车注入动力。
瑞之辰的SiC功率模块可以应用在哪些方面?
像瑞之辰的SiC PIM 大功率模块系列,可应用于太阳能光伏、风力发电、大型储能、电动汽车和充电桩领域;瑞之辰的SiC IPM智能功率模块系列,拥有全球最小的650V 30A SiC IPM 封装外形,在低空无人机、电力牵引、变频家电、逆变电源等应用上优势明显。
【视频】蓉矽高可靠性SiC功率器件在光储充与新能源汽车上的应用
型号- NCD30S40TTD,NC1M120C12HT,NC1M120C12W,NC1D120C10AT,NCD30S20TTD,NC1D120C20KT,NC1D120C30KT,NC1M120C40HT,NC1M120C75HT
扬杰科技(YANGJIE)碳化硅产品选型指南
目录- 公司简介 命名规则及包装形态 SiC MOSFET SiC肖特基二极管 SiC SBD模块 SiC MOSFET模块 应用+产品推介 公司实验室平台 长期可II性试验测试参考表
型号- YJD2065100NCTGHQ,YJD106520BQG2,YJD212060B7GH,YJD206560B7GH,YJD212060NCTGH,YJD106520FQG2Q,YJD2065200BGH,MB480U065F2,YJD212040T2GH,YJD112020NCTQG2,YJD2120160NCFG1Q,YJD106508PQG2,YJD2120120NCTGHQ,YJD112002DG1,YJD2120120BGH,YJD217045NCFGH,MB60DU12ST,MB80DU12ST,YJD212080NCFG1,YJD206560NCTGH,YJD2120120NCTGH,YJD2120240NCFGH,YJD2120120NCFGHQ,YJD21701K0B7GH,YJD106520DQG2Q,YJD212030NCFGHQ,YJD106506BQG2,YJD212060T2GH,YJD106520PQG2,YJD212040NCTG2,YJD112020BXGG2,YJD212040NCTG1,YJD106502DQG3,MB60DU12STN,YJD21701K0NCTGH,YJD106504PG1,YJD112015PGG2,YJD212040T2GHQ,YJD212030NCTGH,YJD106520NCTQG2,YJD212030T2GH,YJD106540NCTQG2,YJD106510BQG2,YJD106510PQG2Q,YJD112010BQG2,YJD206525NCTGHQ,YJD106502PQG3,YJD106508BQG2,YJD2120240NCTGHQ,YJD212040NCTGH,YJD106510PQG2,MC16UZ12STN,YJD112040NGG2,YJD206550NCFGHQ,YJD106504DG1,YJD212040NCTGHQ,YJD212080NCTGHQ,YJD206560NCFGHQ,YJD106520DQG2,YJD106550BQG3,YJD212080NCFG1Q,YJD112040NCTG1,YJD2120120B7GH,YJD2120160NCFG1,YJD112005PG1,YJD112030NGG2,YJD2065200NCFGH,YJD112030NGG3,YJD2065100NCTGH,YJD112015NG1,YJD212030T2GHQ,YJD106520NCTQG2Q,YJD2120240BGHQ,YJD212080NCFGH,YJD212040NCFGHQ,YJD206520NCTGH,YJD206550NCFGH,YJD2065100B7GHQ,YJD206525NCFGH,YJD206530NCTG1,YJD2120240B7GHQ,YJD212080NCFGHQ,YJD112002PG1,YJD112005DG1,YJD2120240NCTGH,YJD2065100NCFGHQ,YJD206550B7GH,YJD2120120B7GHQ,YJD206560NCTGHQ,YJD206530NCTG1Q,YJD2065200B7GH,YJD112020BGG2,MB120DU12FJ,YJD206525T2GHQ,YJD112015NGG2,YJD106506PQG2,YJD206520NCTGHQ,YJD112030NCTG1,YJD206560NCFG1,YJD112010DQG2,YJD106508DQG2,YJD206530NCFG1Q,YJD212040NCTG1Q,YJD206560NCFG1Q,YJD206560NCFGH,YJD217045NCTGH,YJD112010NQG2,YJD212080NCTG1Q,YJD2120240B7GH,YJD106520PQG2Q,YJD212040NCFG2Q,MB120DU12ST,YJD2120120BGHQ,YJD106520FQG2,YJD2065100B7GH,YJD212080B7G1Q,YJD212060NCFGH,YJD2120240NCFGHQ,YJD212080T2GHQ,YJD212060B7GHQ,YJD112030NCTGG2,YJD112040NCTGG2,YJD112040NCTGG1,YJD212040NCFG2,YJD21701K0NCFGH,YJD106520NQG2Q,YJD212040NCFG1Q,YJD2120120NCFGH,YJD206560B7GHQ,YJD212030NCFGH,YJD106510FQG2,YJD112010FQG2,MB60DU12FJ,YJD206520NCFGHQ,YJD206525T2GH,YJD206550NCTGHQ,MB80DU12FJ,YJD206560NCTG1Q,YJD106506FQG2,MB200DU12FJ,YJD212040NCFG1,YJD112040NQG2,YJD212060T2GHQ,YJD106520BQG2Q,YJD2120240BGH,YJD206550B7GHQ,YJD112010PQG2,YJD212060NCTGHQ,MB480U12F2,YJD2120160NCTG1Q,YJD106510DQG2Q,YJD212080B7GH,YJD212080B7GHQ,YJD212030NCTGHQ,YJD206525NCTGH,YJD112030NG1,YJD106510FQG2Q,YJD212040NCFGH,YJD212080B7G1,YJD2065100NCFGH,YJD112030NQG2,MB200DU12ST,YJD2065200NCTGH,YJD2120160NCTG1,MB180DU065FJ,YJD106508FQG2,YJD212080T2GH,YJD21701K0BGH,YJD106510BQG2Q,YJD212040NCTG2Q,YJD212060NCFGHQ,MB180DU12FJ,YJD212080NCTG1,YJD112005FG1,YJD206525NCFGHQ,YJD112010BXQG2,YJD106520NQG2,YJD212080NCTGH,YJD206550NCTGH,YJD206560NCTG1,YJD106550NQG3,YJD206520NCFGH,YJD206530NCFG1,YJD106506DQG2,YJD112020NGG2,YJD106510DQG2
瑞之辰授权世强硬创,代理SiC MOSFET/IPM/PIM模块等产品
产品应用涉及储能、白电、充电桩、逆变器、光伏、锂电池保护、新能源汽车、音频功放、小功率适配器、手机充电器、LED驱动等领域。
清华大学电子系党委书记看望昕感科技,期待未来在集成电路领域的合作交流
2024年7月17日下午,清华大学电子系党委书记沈渊带队前往无锡江阴调研北京昕感科技有限责任公司在江阴特色工艺晶圆厂,集成电路学院校友、董事长王哲参与考察接待并进行交流座谈。昕感科技期待未来更多与清华大学在集成电路领域的合作交流。
【元件】长晶科技FST3.0 IGBT新品发布&光伏储能/逆变器/充电模块应用方案
长晶科技全新推出了FST3.0(对标国际Gen7.0)650V和1200V系列的三款IGBT单管,主要用于光伏储能等应用。新品使用最新的微沟槽栅(1.6μm Pitch)+场终止技术,提高载流子密度;芯片元胞/功率密度增大,经济性更好;针对光储类应用优化了通态损耗和开关损耗,同时又保证产品的鲁棒特性。
电子商城
现货市场
服务
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。
最小起订量: 1 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论