昕感科技1200V/7mΩ SiC MOSFET,采用TO247-4PLUS封装,方便实现大电流并联

2024-05-18 昕感科技公众号
SiC MOSFET,低导通电阻器件,SiC开关器件,MOSFET SiC MOSFET,低导通电阻器件,SiC开关器件,MOSFET SiC MOSFET,低导通电阻器件,SiC开关器件,MOSFET SiC MOSFET,低导通电阻器件,SiC开关器件,MOSFET

众所周知,SiC作为一种性能优异的第三代半导体材料,因其高击穿场强、宽禁带宽度、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特性可以辅助电子器件更好地在高温、高压、高频应用中使用,可有效突破传统Si基半导体材料的物理极限。


目前使用最广泛的SiC开关器件SiC MOSFET,与传统Si IGBT相比,SiC材料的优异性能配合MOSFET单极开关的特点可以在大功率应用中实现高频、高效、高能量密度、低成本的目标,从而推动电力电子系统的发展。


从技术上讲,随着近些年来电力电子系统功率密度和电力电子系统效率的明显发展,电力相关设备代替传统能源设备的趋势已经日益显著。随着SiC MOSFET器件应用的范围越来越广泛,市场以及产业对SiC器件的需求也逐渐提高,需要SiC器件承载更大的功率,导通更大的电流,提升更高的效率。为满足这些需求,一个有效的手段就是降低SiC器件的总电阻,降低总电阻主要有两个思路:

①增加并联器件的数目 

②降低单个器件电阻。


增加并联器件数目的做法属于一种常见的方式,但是同时也存在明显的短板。例如:由于多颗器件是并联使用,对器件性能的一致性要求更高,若一致性出现偏差将产生导致不均流现象。为提升一致性则需要增加筛选成本。更多的器件并联也意味着需要更多的引线互联,这也将引入更多的寄生参数,在越来越高频的应用中引入的寄生参数将带来不必要的效率损失。


所以低导通电阻器件也成为了应用端开始重点考虑的方案。该方案可以减少并联器件数目,降低芯片一致性筛选成本,抑制均流、均温等可靠性问题;同时也优化了打线、布局工艺,降低设计难度。而相比较于多个大电阻器件并联方案,使用单个低导通电阻电阻器件不需要预留芯片间的间距避免串扰问题,提升了器件有源区的占比,可以提升整体电流能力,节约空间实现小型化,降低系统成本。


昕感科技在低导通电阻器件的开发上走在了行业的前列,于2023年推出一款1200V/7mΩ SiC MOSFET产品N2M120007PP0,使用了TO247-4PLUS封装降低器件热阻。该产品工作电流可达300A以上,具有正温度系数,可方便实现大电流并联。同时,昕感新品的漏电流极低,具备优越的高压阻断特性,方便用户使用和节省成本。

参考文献:

1.盛况,中国电机工程学报,2020

2.F. Roccaforte, Microelectronic Engineering, 2017

3.Y. Nakamura, IEEE TPEL, 2023


授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
  • +1 赞 0
  • 收藏
  • 评论 0

本文由子文转载自昕感科技公众号,原文标题为:昕课堂丨低导通电阻SiC器件在大电流高功率应用中的优越性,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。

评论

   |   

提交评论

全部评论(0

暂无评论

相关推荐

【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD,助力高压光伏逆变器系统

为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要,瞻芯电子开发2000V碳化硅(SiC)MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证,并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试,进入整机验证阶段。

产品    发布时间 : 2024-10-09

【元件】扬杰科技推出TOLL封装的SiC MOSFET产品,非常适合大功率、大电流、高可靠性等应用场景

随着新能源市场进入高速发展期,功率器件也需要提供更高的效能,功率分立器件的封装技术也需持续进步。随着下游市场的多样化需求增长,功率分立器件封装产品也逐渐向定制化和专业化方向发展,扬杰科技推出了一系列TOLL封装的SiC MOSFET产品,非常适合大功率、大电流、高可靠性等应用场景的需求。

产品    发布时间 : 2024-06-13

ROHM提供支持电力电子仿真工具PSIM™的第4代SiC MOSFET仿真模型

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开始提供支持电力电子仿真工具PSIM™的第4代SiC MOSFET仿真模型。该模型可在Altair® US公司开发的电力电子和电机控制用的电路仿真工具PSIM™中使用。设计人员可从ROHM官网下载模型文件,轻松进行系统级评估。这一进展使得在更广泛的产业领域中进行高效设计和评估成为可能,并能进一步推动功率元器件的使用。

产品    发布时间 : 2024-09-15

解读SiC MOSFET关键参数——Rds(on)

当代电子技术的发展不仅需要高效性能,还需要可靠和可持续的解决方案。而SiC MOSFET作为一种新型的功率器件,正在引领着未来能源转型的浪潮。今天,我们要聊的主角是碳化硅MOSFET中的一个关键参数——Rdson,这个参数的优化,就像是在节能减排的长跑中,为我们的电动汽车、可再生能源系统换上了更轻盈的跑鞋。

技术探讨    发布时间 : 2024-07-11

HI-SEMICON(深鸿盛)MOSFET/SiC肖特基二极管/SiC MOSFET选型指南

目录- 公司简介    MOSFET Product Introduction    VDMOS    超结MOSFET    中低压MOSFET    碳化硅肖特基二极管    碳化硅MOS    MOSFET/SiC肖特基二极管封装   

型号- SCF60R190C,SFD3006T,SFD6003T,SGP104R5T,SFS0406T4,SFM6005DT,SFD7N70,SFW90N25,SFQ0320T4,SFD18N20,SFM4009T,SFE6001T2,SFM6004T5,SFK2N50,SFF60N06,SFN4006T5,SFM0420T4,SFP10003PT,SFF18N20,SCF65R190TF,SFD2N50,SFM4004PT,SFS6003PT,SFP33N10,SFS4010T,SGS6001T4,SGP6008T,SFS3401,SFQ0318T4,SC3D40120D,SFS3400,SFK1N65,SCD65R960C,SFS4010T2,SFF5N80,SFS0407T4,SFS3407,SFD6005T,SFD10003PT,SFD7N50,SFM6005ST,SFF18N50,SFP40P10,SGS15HR430T,SFA10015T,SFP50N06,SCF65R640C,SFD3003T,SFQ0322T4,SFF12N65,SFD6006T,SGD105R5T,SFP11P20,SFD6N70,SFS6007T,SGM10HR14T,SCF65R380C6,SFS3400.A,SFS3001T2,SCD70R600C,SFQ0420T4,SCF60R580C,SGXXXXXPT,SGM062R3T,SFS4525T,SFD3004T5,SFS3401A,SGM066R5T,SFN3009T,SGM031R7T,SFB11N90,SCD70R900C,SFU3006T,SFP9N20,SFA110P06,SFR0305T2,SFF50N06,SFD6007T,SCD80R500S,SC3D08065G,SCF65R380C,SFD4006T,SC3D08065I,SFN0315T4,SFN3003PT,SFA6005T,SFS4008T2,SFS2300,SGP157R5T,SFS2301,SFM10015T,SFH8402DW,SC3D04065E,SCU70R900C,SCF60R280C,SFS2304,SFS2303,SFF13N50,SFS2305,SC3D04065I,SFF7N50,SCF65R540T,SFD50N06,SFP20007,SFU18N20,SGP104R0T,SCD65R1K2C,SFN0330T2,SFD6008T,SGM107R7T,SC3D04065A,SFM4010T,SFF20N50,SC3D20065D,SFP40N20,SFS0307T4,SFD3012T,SFF7N65,SCD60R580C,SFU5N20,SC3D10065A,SGM105R0T,SCF65R310C,SCF60R360C6,SFS0405T4,SC3D10065G,SC3D10065I,SFP6P10,SFM4005DT,SC3K080120,SCK65R1K15C,SFW50N25,SFU4N65,SFN0413T4,SFD5N65,SFP30P10,SFM10003PT,SC3D08065A,SFP18P10,SFD4N90,SFF7N70,SCF60R125C,SFXXXXXPTX,SFD4006PT,SFD4003T,SCF70R600C,SFF6005T,SFS0306T4,SCF80R950C,SGA104R0T,SFD3010T,SFE3007T,SFD5N50,SFP3006T,SFP3018T,SFP18N20,SGP103R0T,SCW65R075CF,SCF65R170C,SFS6012T2,SGD6008T,SGM041R8T,SFD4001PT4,SFD4001PT5,SFF8N65,SFN3006PT,SC3K040120,SGM6008T,SFD4N70,SCW60R030CF,SFB50N25,SCW65R041CF,SFP6005T,SFS2013PT,SCF70R420C,SCW65R090C,SGM031R1T,SCD70R420C,SC3K075120,SFD33N10,SCW65R099TF,SFP5P03,SCF60R160C,SFR0206T2,SFD4N65,SC3D15120H,SFS2N7002,SFF33N10,SCF70R360C6,SFD2008T,SFN3003T,SFS2302B,SGM109R5T,SFM6008T,SFD3006PT,SFD6003PT,SGA104R5T,SFF20N65,SFK4N65,SFB90N25,SFD5N20,SFR0205PT2,SGM030R7T,SFF8N80,SC3D30065D,SFN3002T,SFU9N20,SFD7N65E,SFD9N65,SFD4004PT,SFF20N70,SGM042R4T,SFP6007T,SFS3401B,SFS4435,SFU6003T,SGU6008T,SFM0430T2,SFF10N70,SCF60R360C,SFD2006T,SC3D06065E,SC3D06065G,SFP75P55,SC3D10120H,SFF3N80,SC3D06065A,SCD70R600C6,SCD65R380C,SFD14N25,SC3K015120,SFSAP4580,SFS6010T2,SCD65R540T,SGP105R5T,SFF4N65,SFF10N65,SC3D30120H,SFM0320T4,SC3D30120D,SC3D16065A,SC3D16065D,SC3D16065G,SFP27P20,SC3K050120,SFU6005T,SFW10P04,SFD3N50,SFF4N70,SFM10008T,SFF9N90,SCXXXXXXXXFX,SFD2003T,SFN0318T2,SFD3009T,SFM3011T,SFD6005PT,SC3K032120,SFP110N55,SFF16N65,SC3D12065A,SFF10N80,SFF5N50,SC3D12065G,SGD10HR20T,SC3D12065I,SC3D20120H,SFP59N10,SFN6004T5,SXXXXXXX,SFD9N20,SCF65R240C,SC3D06065I,SCD65R640C,SFS2012PT,SGA105R5T,SFN0250T2,SFM3012T,SC3D20120D,SGM041R3T

选型指南  -  HI-SEMICON  - 2022/11/18 PDF 中文 下载

SiC MOSFETs在电动工具中的应用概述及典型拓扑

随着SiC MOSFET宽禁带半导体的出现,其优越的开关性能迅速引起电机驱动界的高度关注。SiC MOSFETs能够将开关损耗降低70%左右,或者在接近3倍的开关频率下达到同样的效率。随着更高的电机驱动频率的实现,电机可以设计成更多的极数,以减少电机的尺寸。这些现象都显示了SiC MOSFETs在高速、高效、高密度电机驱动方面的巨大潜力。

应用方案    发布时间 : 2024-11-18

SiC-MOSFET让汽车及工业设备更小更高效,宽耐压,开关损耗降低50%

世强硬创联合瑶芯微,爱仕特,派恩杰,瞻芯电子,中电国基南方,带来让汽车及工业设备更小更高效的SiC MOSFET系列产品,最高1700V宽耐压,开关损耗降低50%。

活动    发布时间 : 2023-04-14

【方案】30~80kW组串式光伏逆变器优选器件方案

描述- 该方案针对30~80kW的组串式光伏逆变器,采用多路BOOST升压电路,减少光伏电池组件最佳工作点与逆变器不匹配的情况,最大程度增加发电量。逆变侧采用T型三电平拓扑,开关频率支持16kHz(最佳频率点),效率最高可达98.54%。辅助电源采用1700V耐压SiC MOSFET,单端反激电源可直接应用在1000V母线系统。同时,在BOOST升压电路和逆变电路中均采用IGBT模块设计,集成度更高。

型号- MKS4J022202D00MSSD,10-FZ12NMA080NS03-M260F,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,BGM111,C2M1000170D,EFR32MG13P732F512GM48-C,RBN75H125S1GP4-A0,10-FY12NMA160SH01-M820F18,KT05,PS9402,SGM6022,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,30-FT12NMA160SH-M669F28,PS9031,LSIC2SD120E30CC,30-FT12NMA200SH-M660F08,LXXXX 15.00/05/90 4.5SN GR,28R1476-100,92ML,LX 15.00/05/90 4.5SN GR BX,MKS4J033305D00KSSD,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9531L3,SI86XX,28B0141-000,WDU50N,SGM6032,WGM110,R5F56514FDLJ,C4D30120D,WDU70N,RBN40H125S1GPQ-A0,C2M0080120D,V23990-P629-L43,SGM2019,LSIC1MO120E0080,SID11X2K,SI8261BCD-C-IS

优选器件方案  -  WEIDMUELLER,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,WIMA,RENESAS,VINCOTECH,STANDEX-MEDER,II-VI MARLOW,WOLFSPEED,PI,ROGERS,MELEXIS,SGMICRO  - V2.1 PDF 中文 下载

昕课堂丨一文了解SiC MOSFET鲁棒性原理

昕感科技基于车规平台推出的1200V SiC MOSFET系列产品拥有优异的鲁棒性。在800V母线电压条件下短路耐受时间达到3us,可以为系统提供充分的反应时间,提升了系统的可靠性。昕感N2M120007PP11同样拥有优秀的最大雪崩击穿耐受能量EAS 。

技术探讨    发布时间 : 2024-10-31

1700V SiC MOSFET在大功率能源及工业领域的应用

1700V SiC MOSFET的低开关损耗可提高开关频率,且每个单元的总体尺寸大幅减小。同时,1700V的高阻断电压还可减少达到相同直流电压所需的单元数。在以上种种简化和优化后,终端应用的系统可靠性大大提升,而更少的有源开关和栅极驱动器也降低了整体成本。SMC桑德斯微电子根据客户的需求设计和生产半导体及相关产品。

应用方案    发布时间 : 2024-06-18

简化电动汽车充电器和光伏逆变器的高压电流检测

在电动汽车充电器中,电流传感器用于测量输入交流电源、直流/直流转换器和输出电源等位置的电流,以确认充电器是否正确地将交流电输送到电动汽车的车载充电器系统,或者将直流电直接输送到电池。如今,400V 电池正在朝着 800V 甚至更高电压的方向发展,以实现更大功率和快速充电。

设计经验    发布时间 : 2023-11-23

昕感科技将携SiC器件、SiC功率模块以及电源模组方案亮相2024慕尼黑上海电子展

2024年7月8号-10号,慕尼黑上海电子展将在上海新国际博览中心隆重举行。昕感科技作为大功率器件及模组解决方案IDM厂商,将携SiC器件、SiC功率模块,以及电源模组方案亮相。最新推出的1200V/7mΩ、1200V/13mΩ SiC MOSFET将会现场展出。展位号: E3馆 3166。

原厂动态    发布时间 : 2024-07-05

【应用】三相全桥1200V SiC MOSFET智能功率模块(IPM)助力电动汽车功率转换器设计

本文讨论了在电动汽车应用的功率转换器设计中选择CISSOID的1200V三相全桥SiC MOSFET智能功率模块(IPM)体系所带来的益处,尤其表现在该体系是一个可扩展的平台系列。该体系利用了低内耗技术,提供IPM这种已整合的解决方案。

应用方案    发布时间 : 2021-08-26

SiC器件在电动汽车无线充电的应用及技术优势

无线电能传输技术是一种新兴的充电技术,通过电磁感应原理将电能从发射侧装置传输到接收侧装置中,再通过功率变换电路给负载进行充电,从而实现非接触式充电。近年来,电动汽车无线充电技术备受关注,并逐步走向商业化应用。本文将重点探讨碳化硅器件在电动汽车无线充电的应用及技术优势。

应用方案    发布时间 : 2024-09-06

展开更多

电子商城

查看更多

品牌:昕感科技

品类:碳化硅功率MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:昕感科技

品类:碳化硅功率MOSFET

价格:¥206.2500

现货: 5

品牌:昕感科技

品类:碳化硅功率MOSFET

价格:¥206.2500

现货: 5

品牌:昕感科技

品类:碳化硅功率MOSFET

价格:¥16.2500

现货: 5

品牌:昕感科技

品类:碳化硅功率MOSFET

价格:¥11.2500

现货: 5

品牌:格瑞宝电子

品类:Dual N-Channel MOSFET

价格:¥0.1527

现货: 6,012,000

品牌:格瑞宝电子

品类:P-Channel MOSFET

价格:¥0.1075

现货: 6,000,000

品牌:格瑞宝电子

品类:N-Channel MOSFET

价格:¥0.0917

现货: 4,515,560

品牌:格瑞宝电子

品类:N-Channel MOSFET

价格:¥0.0904

现货: 3,651,000

品牌:格瑞宝电子

品类:N-Channel MOSFET

价格:¥0.0884

现货: 3,341,070

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

现货市场

查看更多

品牌:扬杰科技

品类:Mosfet

价格:¥1.0500

现货:500,000

品牌:捷捷微电

品类:MOSFET

价格:¥0.7000

现货:500,000

品牌:MCC

品类:MOSFET

价格:¥0.1627

现货:305,993

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥0.2360

现货:263,268

品牌:TOSHIBA

品类:MOSFET

价格:¥0.2034

现货:251,269

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥0.4460

现货:222,500

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥1.3640

现货:196,984

品牌:MCC

品类:MOSFET管

价格:¥0.3248

现货:168,278

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥0.2140

现货:155,504

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥0.1700

现货:121,731

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

服务

查看更多

高热流密度液冷板定制

定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。

最小起订量: 1片 提交需求>

低功耗测试

提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts

实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>

查看更多

授权代理品牌:接插件及结构件

查看更多

授权代理品牌:部件、组件及配件

查看更多

授权代理品牌:电源及模块

查看更多

授权代理品牌:电子材料

查看更多

授权代理品牌:仪器仪表及测试配组件

查看更多

授权代理品牌:电工工具及材料

查看更多

授权代理品牌:机械电子元件

查看更多

授权代理品牌:加工与定制

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
我要提问

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

研发客服
商务客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面