凌讯MBR1645CT肖特基二极管VRRM 45V，IO 2*8A，封装TO-220AB

时间： 2024-05-20 来源：凌讯微电子

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型号：MBR1645CT（肖特基二极管）

封装：TO-220AB

品牌：LX（凌讯微电子）

IO：2*8A

VRRM：45V

IFSM：275

VF MAX：0.55V

肖特基二极管简介

它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。

肖特基二极管的作用

显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)，正向导通压降仅0.4V左右。肖特基(Schotky)二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小，在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点:耐压比较低,漏电流较大。其多用作高频、低压、大电流整流二极管Q(比如开关电源次极整流二极管),续流二极管、保护二极管(DFLS1100-7)，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。

凌讯微电子是一家专注功率半导体器件研发、封装测试、销售于一体的国家高新技术企业，致力于成为卓越的功率半导体器件制造商，助力功率半导体核心器件国产化，能够为客户提供高质量，高可靠性的功率器件产品及全方位的技术支持，现有肖特基、LowVF肖特基、快恢复、高压MOS、中低压MOS、超结MOS、IGBT单管及SiC（碳化硅）二极管等主力产品线，产品广泛应用于各类电源适匹器、LED照明、无刷马达，锂电管理，逆变等领域。

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