凌讯微MBR30100FCT肖特基二极管，TO-220F封装，VRRM 100V

时间： 2024-06-06 来源：凌讯微电子

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型号：MBR30100FCT（肖特基二极管）

封装：TO-220F

品牌：LX（凌讯微电子）

IO：2*15A

VRRM：100V

IFSM：200A

VF MAX：0.86V

肖特基二极管简介

它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。

肖特基二极管的作用

显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)，正向导通压降仅0.4V左右。肖特基(Schotky)二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小，在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点:耐压比较低,漏电流较大。其多用作高频、低压、大电流整流二极管Q(比如开关电源次极整流二极管),续流二极管、保护二极管(DFLS1100-7),也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。

凌讯微电子是一家专注功率半导体器件研发、封装测试、销售于一体的国家高新技术企业，致力于成为卓越的功率半导体器件制造商，助力功率半导体核心器件国产化，能够为客户提供高质量，高可靠性的功率器件产品及全方位的技术支持，现有肖特基、LowVF肖特基、快恢复、高压MOS、中低压MOS、超结MOS、IGBT单管及SiC（碳化硅）二极管等主力产品线，产品广泛应用于各类电源适匹器、LED照明、无刷马达，锂电管理，逆变等领域。

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2023/11/7 - 凌讯微电子 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

肖特基二极管选用原则有哪些？

肖特基二极管因其低正向压降(VF)、快速开关速度和低功耗特性，被广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及高速数字电路中。然而，不同应用场景对肖特基二极管的需求不同，合理选型是确保系统高效运行和长期可靠的关键。

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肖特基二极管代换的原则有哪些？

肖特基二极管因其快速开关特性、低正向压降和高效率而广泛应用于各种电子电路中，包括开关电源、频率变换器、逆变器等。当现有设计中的肖特基二极管需要被替换时，理解其代换的原则至关重要，以确保电路的性能不受影响。

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S4063-XXXN系列肖特基二极管认证表

描述- 本资料详细介绍了S4063系列肖特基二极管的产品特性、技术参数和应用领域。该系列二极管采用SOD123-FL / MINI SMA封装，具有低功耗、高效率、耐高温等特点，适用于低电压高频逆变器、自由轮和极性保护等应用。

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2016.10.21 - NICHTEK - 数据手册代理服务技术支持采购服务

肖特基二极管的失效分析

肖特基二极管以其低正向电压降和快速切换特性，在电源转换、高频应用和逆变器中占据重要位置。然而，尽管它们的设计优化了许多电子系统的性能，但在特定条件下仍可能遭受失效，影响整个系统的可靠性。肖特基二极管失效模式肖特基二极管的失效主要可归纳为以下几种类型：热失效：肖特基二极管在过热条件下会出现热失效，这可能是由于超出其最大结温规格、不当的散热设计或过高的电流导致的。

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