凌讯微MBR30100FCT肖特基二极管，TO-220F封装，VRRM 100V
型号：MBR30100FCT（肖特基二极管）
封装：TO-220F
品牌：LX（凌讯微电子）
IO：2*15A
VRRM：100V
IFSM：200A
VF MAX：0.86V
肖特基二极管简介
它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
肖特基二极管的作用
显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)，正向导通压降仅0.4V左右。肖特基(Schotky)二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小，在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点:耐压比较低,漏电流较大。其多用作高频、低压、大电流整流二极管Q(比如开关电源次极整流二极管),续流二极管、保护二极管(DFLS1100-7),也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。
凌讯微电子是一家专注功率半导体器件研发、封装测试、销售于一体的国家高新技术企业，致力于成为卓越的功率半导体器件制造商，助力功率半导体核心器件国产化，能够为客户提供高质量，高可靠性的功率器件产品及全方位的技术支持，现有肖特基、LowVF肖特基、快恢复、高压MOS、中低压MOS、超结MOS、IGBT单管及SiC（碳化硅）二极管等主力产品线，产品广泛应用于各类电源适匹器、LED照明、无刷马达，锂电管理，逆变等领域。
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型号- 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肖特基二极管选用原则有哪些？
肖特基二极管因其低正向压降(VF)、快速开关速度和低功耗特性，被广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及高速数字电路中。然而，不同应用场景对肖特基二极管的需求不同，合理选型是确保系统高效运行和长期可靠的关键。
肖特基二极管代换的原则有哪些？
肖特基二极管因其快速开关特性、低正向压降和高效率而广泛应用于各种电子电路中，包括开关电源、频率变换器、逆变器等。当现有设计中的肖特基二极管需要被替换时，理解其代换的原则至关重要，以确保电路的性能不受影响。
MOS管使用推挽电路来放大电流时，为什么要考虑电流大小呢？∣ 视频
我们通常会使用推挽电路是因为有时一些IC或者CPU的电流比较小，不足以驱动MOS管，所以加入推晚来增加驱动能力。那为什么MOS管是压控性器件，还需要考虑电流大小进行驱动呢？跟随凌讯微电子视频来了解下吧。
肖特基二极管的失效分析
肖特基二极管以其低正向电压降和快速切换特性，在电源转换、高频应用和逆变器中占据重要位置。然而，尽管它们的设计优化了许多电子系统的性能，但在特定条件下仍可能遭受失效，影响整个系统的可靠性。肖特基二极管失效模式肖特基二极管的失效主要可归纳为以下几种类型：热失效：肖特基二极管在过热条件下会出现热失效，这可能是由于超出其最大结温规格、不当的散热设计或过高的电流导致的。
时科Q-SSC20120-T碳化硅肖特基二极管全应用解析：光伏逆变器、开关电源和新能源汽车充电桩
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HI-SEMICON（深鸿盛）碳化硅肖特基二极管选型表
目录- 碳化硅肖特基二极管
型号- SC3D10065E,SC3D04065E,SC3D12065A,SC3D10065A,SC3D04065I,SC3D02065A,SC3D06065E,SC3D30065H,SC3D08065A,SC3D06065A,SC3D10065I,SC3D04065A,SC3D08065E,SC3D16065A,SC3D06065I,SC3D16065H,C3D02065I,SC3D20065D,SC3D50065H,SC3D20120D
肖特基二极管与快恢复整流二极管的性能有什么区别？
其实被大量应用的整流二极管主要有两种：一种是快恢复整流二极管，另一种便是肖特基势垒二极管（SBD）。本文中凌讯微电子从反向恢复时间trr、反向电压以及正向电压三方面对两者进行比较，为大家讲述二者之间的区别。
怎样合理选用肖特基二极管？
经常有客户会用凌讯（LX）的“肖特基二极管”或者“快恢复二极管”去替代其他品牌，在这过程之中总是有一些问题发生，本文指出了在更换产品的时候应该有几个方面需要注意的地方。
【应用】TO-220AB封装的SMC肖特基二极管用于户外电源，反向电压600V，浪涌电流110A
大功率的逆变电源可以满足电器的户外用电需求，其中锂电池电压通过变压器进行升压，推荐SMC SDUR1660CT与SDUR1660CTR组成肖特基整流桥，整流后输出400V电压供给后端IGBT进行逆变，并同步提供直流电压至DC/DC降压模块来驱动后端SPWM芯片工作。
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