【产品】30V/180A大功率N沟道增强型场效应晶体管，采用TO-252封装
扬杰科技推出的YJD180N03A为一款30V/180A的大功率N沟道增强型场效应晶体管，已100%通过UIS（非嵌位感性负载开关过程）和▽VDS测试，非常适用于DC-DC转换器、电源管理功能、背光源等相关应用。
图1 YJD180N03A封装及电路图
YJD180N03A的漏源电压VDS为30V，栅源电压VGS为±20V；漏极电流ID为180A，RDS(on)( 在VGS=10V时) ＜2.5 mohm，具有极低的开关损耗。结温和储存温度范围均为-55°C～+150°C，极宽的温度范围可使YJD180N03A具有更强的环境适用性和稳定性。
YJD180N03A特点：
沟槽功率中压MOSFET技术
具有出色散热的封装
高密度单元设计，具有低RDS(on)
YJD180N03A应用：
DC-DC转换器
电源管理功能
背光源
YJD180N03A订购信息：
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