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2024-05-24 派恩杰半导体公众号
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国产派恩杰SiC器件性能已媲美国外大厂,电车800V趋势下或迎来爆发

碳化硅MOSFET对于未来最大的应用去世电动汽车来讲,能让整车重量更轻、体积更小、效率更高。派恩杰从晶圆到封装的整条供应链完全符合车规要求,已发布50余款SiC SBD、SiC MOS、650V GaN HEMT功率器件,在海内外被部分一线客户导入使用。

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原厂动态    发布时间 : 2024-04-30

派恩杰(PN Junction)碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南

目录- 碳化硅肖特基二极管    碳化硅MOSFET   

型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4

选型指南  -  派恩杰 PDF 中文 下载

中电国基南方SiC SBD选型表

中电国基南方提供工业级SiC SBD的以下参数选型:VR:650V~1700V,VF:1.27~1.5V,IF:4A~60A,IFSM:28A~450A,最高耐温175℃,TO-252、TO-220C-2L等多种封装形式。

产品型号
品类
VR(V)
IF(A)
GEN
VF(V)
IFSM(A)
QC(nc)
PTOT(W)
TJ(MAX)(℃ )
Package
质量等级
WS4A004065E0
SiC SBD
650V
4A
G4
1.28V
32A
11.5nc
60W
175℃
TO-252
工业级

选型表  -  中电国基南方 立即选型

【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD,助力高压光伏逆变器系统

为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要,瞻芯电子开发2000V碳化硅(SiC)MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证,并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试,进入整机验证阶段。

产品    发布时间 : 2024-10-09

SiC SBD/MOS供应商芯众享授权世强硬创代理,加速国产化替代

SiC MOSFET实现了更高的开关频率、更低的开关损耗、低导通电阻和小型芯片尺寸确保了较低的电容和栅极电荷,并实现更高阻断电压和雪崩能力。

签约新闻    发布时间 : 2023-08-14

SiC器件在电动汽车无线充电的应用及技术优势

无线电能传输技术是一种新兴的充电技术,通过电磁感应原理将电能从发射侧装置传输到接收侧装置中,再通过功率变换电路给负载进行充电,从而实现非接触式充电。近年来,电动汽车无线充电技术备受关注,并逐步走向商业化应用。本文将重点探讨碳化硅器件在电动汽车无线充电的应用及技术优势。

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型号- CEB002D330R2G,CEB040M120R3G,CEB040D065R3G,CEB080M120R3V,CEB010D120V2G,CEB005D330R2G,CEB025M120R3G,CEB030M065R3G,CEB020D065R3G,CEB010D065O2G,CEB005D170R2G,CEB020D170R3G,CEB015D120R2G,CEB006D065V2G,CEB120M065R3G,CEB010D065S2G,CEB020D120S2G,CEB080M120R4G,CEB010D120R2G,CEB480N120MTV,CEB020D065R3V,CEB030D120R3V,CEB080M120R4V,CEB360N120MTV,CEB015D065R2G,CEB015D065V2G,CEB020D065R2G,CEC140G065DB8G,CEC150G065PDG,CEB030D120R3G,CEB060M065R3G,CEB600N120MTV,CEB020D065V2G,CEB1000M170R4G,CEB300N120HPV,CEB040D065R2G,CEB006D065BDG,CEB010D120R3G,CEB200N120EAG,CEB016M120R4G,CEB015D065R3G,CEB020D120V2G,CEB010D065V2G,CEB030D065R3G,CEB040D120R3G,CEB010D170R2G,CEB045M170R4G,CEB020D120R2G,CEB160M120R3G,CEB010D065R2G,CEB010D120S2G,CEB480N120HPV,CEC140G065BDG,CEB006D065S2G,CEB030D065R3V,CEB016M120R3G,CEB300N120EAG,CEB006D065O2G,CEB040D120R3V,CEB040M120R4V,CEB400N120EAG,CEB020D120R3V,CEB006D065DA8G,CEB015D065S2G,CEB025D170R2G,CEB030D065R2G,CEB040M120R4G,CEB020D065S2G,CEC140G065DA8G,CEB010D065BDG,CEB080M120R3G,CEB080M170R4G,CEB160M120R4G,CEB020D120R3G,CEB006D06502G,CEB015D120R3G,CEB040M120R3V,CEB010D065DB8G,CEB600N120HPV,CEB045M170R3G

选型指南  -  芯众享  - 2023/4/25 PDF 中文 下载

【应用】芯众享量产1200V多种封装形式的SiC SBD和SiC MOSFET系列产品,助力电动汽车快速充电

芯众享面对充电模块等客户,量产了1200V多种封装形式的SiC SBD系列产品和SiC MOSFET系列产品,对应表1和表2。可以满足效率性能、运维成本、功率密度、稳定性等多方面的需求和现有的各种拓扑电路应用,针对其他应用也有650V 6A/10A/15A/20A TO252/TO263/TO220AC/TO247封装等SiC二极管对应产品。

应用方案    发布时间 : 2023-07-20

PAAC12600CM SiC Six-pack Module

型号- PAAC12600CM

数据手册  -  派恩杰  - Ver.1.2  - Jul. 2024 PDF 英文 下载 查看更多版本

数据手册  -  瞻芯电子  - Rev1.0  - Dec. 2023 PDF 英文 下载

中电国基南方SiC应用方案(DC-DC/LED电源/OBC/UPS/充电/服务器电源/光伏逆变器/通信电源)

型号- WS3A010120D,WS3A008065X,WS3A008120X,WS3A020065X,WS3A010170D,WS3A012065X,WS3A040120K,WS3A030065X,WS1A025170D,WS3A004065X,WS3A006065X,WS3A020120K,WS3A015065X,WS3A015120X,WS3A010065X,WS3A010120X,WS3A020120D,WS3A030120K,WS3A002120E,WS3A015120D

应用及方案  -  中电国基南方 PDF 中文 下载

P3D06020I2 650V SiC SBD

型号- P3D06020I2

数据手册  -  派恩杰  - Ver. 1.2  - Sep. 2020 PDF 英文 下载

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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。

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