蓉矽受邀参加2024新能源光储充产业创新发展高峰论坛并发表主题演讲，荣获“年度创新明星供应商”
2024年5月15-17日，“2024新能源光储充产业创新发展高峰论坛”在合肥市举行。蓉矽半导体受邀进行“高频高效：基于SiC的光储充解决方案”的主题演讲并荣获“2024光储充及制氢产业链年度创新明星供应商”。
不负荣誉，再接再厉
高频高效，赋能碳中和
在演讲中，蓉矽半导体应用工程部总监王德强首先指出，推动新能源高质量发展是我国实现“双碳”目标的根本保证，而要提高能效，降低碳排放的核心就在于功率半导体器件。面对当前活跃的光伏、储能和直流充电桩市场，碳化硅大有可为。
光伏逆变器解决方案
在光伏逆变器主拓扑应用中，蓉矽半导体工规级NovuSiC®光伏逆变器解决方案包含SiC EJBS™二极管与1200V 75/40mΩ SiC MOSFET。相较于二极管+硅基IGBT的传统解决方案，基于SiC器件的解决方案可将逆变器体积缩小60%左右，大幅提高功率密度。在相同的开关频率下（20kHz@10kW），蓉矽半导体NovuSiC® MOSFET可降低50%的损耗；在相同损耗下（98W@10kW），蓉矽半导体EJBS™+SiC MOSFET方案可将开关频率提升2倍左右，即可从20kHz提高至40kHz。
针对1500V光伏和储能系统的新需求，蓉矽半导体专门开发了2000V碳化硅EJBS™和MOSFET，将三电平拓扑简化为两电平拓扑，可减少50%的器件使用，提升0.5%的全功率段效率。
蓉矽M-MOS技术助力EV高效可靠
我国新能源汽车发展势头强劲，释放了巨大的需求空间。为解决里程焦虑和充电便捷性的问题，800V或更高电池电压平台是大势所趋。
蓉矽半导体创新性的M-MOS™技术，可助力EV与EV充电桩实现更高效率和可靠性。20kW直流充电模块中，基于蓉矽半导体第二代1200V 75/40mΩ SiC MOSFET的两电平方案采用三相全桥PFC+CLLC系统拓扑，结构简单、控制方便，可减少50%的器件用量，降低50%的总损耗，峰值效率可达97%以上，助力800V高压快充充电桩行业的发展。
储能变流器解决方案
储能系统是能源存储与管理的核心环节，在推动新能源高质量发展的过程中起着关键作用。
100kW工商业储能变流器中，蓉矽半导体通过提供采用1200V NovuSiC® MOSFET的T型三电平解决方案，在双向应用中可以有效解决IGBT+FRD热分布不均的问题，可以助力储能变流器（PCS）降本增效。
第二代SiC MOSFET设计亮点
在本次演讲中，他还分享了蓉矽半导体第二代1200V/20mΩ SiC MOSFET的设计亮点、关键特性。相较前代产品，具有以下特点：
降低动态损耗，改善串扰影响
器件元胞尺寸缩减37%
驱动电压降低，-5/+20V → -3/+18V
密勒电容降低70%，可靠性大幅提升，Eox@1200V降低50%
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型号- MKS4J022202D00MSSD,10-FZ12NMA080NS03-M260F,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,BGM111,C2M1000170D,EFR32MG13P732F512GM48-C,RBN75H125S1GP4-A0,10-FY12NMA160SH01-M820F18,KT05,PS9402,SGM6022,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,30-FT12NMA160SH-M669F28,PS9031,LSIC2SD120E30CC,30-FT12NMA200SH-M660F08,LXXXX 15.00/05/90 4.5SN GR,28R1476-100,92ML,LX 15.00/05/90 4.5SN GR BX,MKS4J033305D00KSSD,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9531L3,SI86XX,28B0141-000,WDU50N,SGM6032,WGM110,R5F56514FDLJ,C4D30120D,WDU70N,RBN40H125S1GPQ-A0,C2M0080120D,V23990-P629-L43,SGM2019,LSIC1MO120E0080,SID11X2K,SI8261BCD-C-IS
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