负荷开关电路中不可或缺的MOS选择——时科SK58N06A-T,导通电阻仅10.8mΩ@10V

2024-05-26 时科(時科電子公众号)
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型号- 30V-050,YAZ1P5D47,25D301K,SMAJ6.0CA,SMAJ40CA,ESDLC24VD8B,3R075L-8X10,HLT9P04C,HLS150N30K,YAZ1P5D51,5.0SMDJ170A,P8SMB120CA,16V-110,15KP58A,SMD1206-351,YAZ1P5D3V3,ESDLC15VD3B,YAZ1P5D3V6,RS3BBF,YAZ1P5D56,5D361KJ,HLS135N100,P8SMB13CA,YAZ1P5D3V9,HLS80R1K5,SMDJ78CA,HLP9N90,ES2JBF,ESDLC8V0D3B,S2MB,1812 SERIES,PGB0603-05,YC2M2012B121GBE,YAZ1P5D62,Y1ZP35D43G,HLS80R1K1,10D560KJ,SMCJ14CA,5D121KJ,P8SMB60A,S2MF,YAZ1P5D68,HLT30P55,HLS70N40K,HLP9N80,30V-075,5.0SMDJ85A,PGB0603-12,SMCJ100CA,SMBJ300A,YAZ1P5D75,5KP30A,HLS55N100PF5,SMF120CA,SMBJ150CA,16V-135,SMDJ170A,SMAJ70A,33D-7,250V SERIES,HLP9N70,33D-5,PGB0603-24,HLT9P03C,SMDJ58A,33D-9,HLG3401A1N,32D122K,SA48CA,SMCJ30A,YAZ1P5D82,ESD12VAP,HLP2P06C,10D-11,HLP14N80,SA180A,10D-13,10D-15,15KP54A,20D781KH,20D781KJ,15KP120CA,YAZ1P5D91,SA22CA,P6KE8.2CA,SMAJ100A,16V-160,5.0SMDJ170CA,SA110CA,HLS60200K,ESD12VD3,HLT30P10,SMDJ54A,10D680KJ,SMD1210-150-6V,SMDJ160CA,3KP14CA,SMBJ400CA,5KP SERIES,SMF36CA,ESD24VAP,ESD12VD8,ESD12VD5,7D220KJ,P6SMB51CA,ESD12VD9,10D K 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SERIES,100D-9,1N4007W,YAZ1D6V2,ESD24VD8,HLP9N20,SMBJ12A,SMAJ6.0A,ESD24VD3,P6KE62CA,ESD24VD5,YAZ1D6V8,20D511KH,20D511KJ,SA7.5CA,ESD36VD3,5.0SMDJ78A,SMCJ7.0A,SMDJ51CA,HLG2301BA1N,5.0SMDJ48CA,Y5ZP2D3V9,Y5ZP2D3V3,ES5JC,Y5ZP2D3V6,SMBJ13A,15KP51A,Y5ZP2D3V0,S3GF,P6KE75A,S3GC,S3GB,10D201KJ,SMCJ150A,30V-110,HLS18N200K,SMD1812-200-16V,3R075L-6X8,SA6.0A,S3JF,5KP8.5A,SMAJ78A,S3JB,YAZ2D110,S3JC,ESDSMDA15C,HLP14N10,ESD36VAP,US3ABF,5KP120A,30V-120,SMBJ10A,SMD1210-075-6V,SMBJ11A,SMAJ22CA,7D180KJ,5D330KJ,SMCJ6.5CA,HLS2045N2,2R***S-8X6,YAZ2D100,SMAJ75A,SMCJ36A,RS2KB,SMDJ210A,SA190CA,15KP75CA,RS2KF,7D K SERIES,5.0SMDJ75A,P0300DA,ES5GC,SMF54CA,YAZ2D130,1.5KE100A,3R600L-6X8,P6SMB170A,HLS16N100C,SMCJ45CA,3KP60A,US5GBF,RS2JB,15KP240CA,HLT40P03PF5,RS2JF,HLT40P03PF4,P6KE75CA,S3KB,HLT9P01C,YAZ2D120,S3KF,S3KC,SMAJ6.5A,SMBJ440A,Y1ZP35D47G,RS2MF,7D 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解析导热绝缘材料在MOS管散热中的关键作用

传统的散热方案通过增加散热器尺寸和数量来应对热管理的需求,这往往导致设备体积增大,不利于系统的优化和迷你化。为了有效解决这一问题,需要一种既能导热又能提供电气绝缘的材料,以降低MOS管和散热器之间的热阻,提高散热效率。这里,导热绝缘材料应运而生,成为解决MOS管散热问题的理想选择。本文中盛恩来给大家介绍导热绝缘材料在MOS管散热中的关键作用。

技术探讨    发布时间 : 2024-09-17

合科泰NMOS管HKTQ60N02凭借强大特性和低功耗,广泛用于电机驱动和BMS、便携式设备负载开关等

合科泰电子生产的NMOS管HKTQ60N02具有很好的电气性能,其能承受的最大漏源电压达20V,栅源电压2.5V,连续漏极电流50A,漏源导通电阻0.0075欧,最小栅极阈值电压0.5V,最大栅极阈值电压1V,耗散功率83mW。重量约0.012克,非常轻薄便捷。它作为一款低压MOS产品,具有强大特性和低功耗,适用于物联网设备、小信号驱动和通讯领域等。

技术探讨    发布时间 : 2024-09-16

【应用】N和P沟道V互补MOSFET HM607K助力缩小H型电桥电机控制电路设计面积,具有超低漏源导通电阻

虹美功率拥有双芯合封的技术,使得一个HM607K芯片内同时包含P-MOS管和N-MOS管,H型电桥的上桥臂用P-MOS管,而下桥臂用N-MOS管,方便简化了控制电路的设计,同时使H型电桥控制电路的设计面积进一步缩小。

应用方案    发布时间 : 2023-05-08

合科泰MOS管HKTG120N04,具有高电流承受能力和低导通电阻,为电子设备提供稳定可靠的电力支持

本文主要给大家介绍合科泰生产的一款高性能NMOS管及其应用。合科泰生产的HKTG120N04采用N沟道制作,其能承受的最大漏源电压为40V,栅源电压±20V,连续漏极电流120A,漏源导通电阻0.0018欧姆,最小栅极阈值电压1.1V,最大栅极阈值电压2.2V,耗散功率110mW。

产品    发布时间 : 2024-08-29

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