瞻芯电子亮相PCIM Europe 2024,全面展示碳化硅(SiC)功率器件、驱动和控制芯片产品

2024-06-07 瞻芯电子公众号
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瞻芯电子将于6月11日-13日,参加德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2024展会。瞻芯电子将全面展示碳化硅(SiC)功率器件、驱动和控制芯片产品,以及多种参考设计方案和应用案例。同时,公司管理团队主要成员将出席参展,欢迎业界伙伴们莅临参观和交流。



瞻芯电子将呈现的展品包括650V~2000V SiC MOSFET,650V~2000V SiC SBD,多种封装的SiC功率模块,驱动与控制芯片产品,还将展示多种参考设计和应用案例:


1. 20kW 3-phase PFC

2. 11kW 3-phase motor drive

3. 2500W Totem-pole PFC

4. 200W & 35W Flyback power supply

5. Solid relay pre-charger

6. On-board charger

7. Micro-inverter

8. H6 Power module


此外,瞻芯电子CTO叶忠博士将分享2份技术报告,欢迎莅临交流。



叶忠 博士

CTO,PHD in EE


Poster presentation:

SiC MOSFET Die Sorting and Parallel for Optimal Module Design

Concise and Reliable SiC MOSFET Driver Circuits


关于PCIM Europe


PCIM Europe始于1979 年在德国纽伦堡举办的电力电子行业会议,此后逐步发展成为全球领先的电力电子行业会议和展览,并汇聚呈现了全球最新的电力电子产品、应用和前沿趋势。



关于瞻芯电子


上海瞻芯电子科技股份有限公司(简称“瞻芯电子”)是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司,2017年成立于上海临港。公司致力于开发碳化硅功率器件和模块、驱动和控制芯片产品,并围绕碳化硅(SiC)应用,为客户提供一站式解决方案。瞻芯电子是中国第一家自主开发并掌握6英寸碳化硅(SiC)MOSFET产品以及工艺平台的公司,拥有一座车规级碳化硅(SiC)晶圆厂,标志着瞻芯电子顺利实现由Fabless迈向IDM的战略转型,进入中国领先碳化硅(SiC)功率半导体公司行列。


瞻芯电子将持续创新,放眼世界,致力于打造中国领先、国际一流的碳化硅(SiC)功率半导体和芯片解决方案提供商。


产品概览





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描述- 上海瞻芯电子科技股份有限公司(简称“瞻芯电子”)是一家聚焦于碳化硅 (SiC) 半导体领域的高科技芯片公司,2017 年成立于上海临港,致力于开发碳化硅 (SiC) 功率器件和模块、驱动和控制芯片产品,围绕 SiC 应用,为客户提供一站式芯片解决方案。

型号- IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12080BD,IV1Q12050T4,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IVCR1801ASR,IVCO1A02DWQR,IV2B12003HA2L,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV2Q20045BD,IV3B20023BA2,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,VSM12080HA2Z,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IVCO1411DDWQR,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D20020T2,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVHD122M1TA2Z,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D20020BD,IV1D12015T2,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1

选型指南  -  瞻芯电子  - March 2024 PDF 中文 下载

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播,带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术,点击了解报名

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SiC Power Device Hammer and Burn-In System

型号- MLX90614ESF-BCC,IVCR1401

技术文档  -  瞻芯电子  - 2021/06/01 PDF 英文 下载

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数据手册  -  瞻芯电子  - Rev1.0  - Oct. 2021 PDF 英文 下载 查看更多版本

数据手册  -  瞻芯电子  - Rev0.5  - Jul. 2020 PDF 英文 下载 查看更多版本

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提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts

实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>

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可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。

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