芯片瞬态热测试实际应用案例分享

时间： 2024-06-08 来源：贝思科尔官网

技术问答

随着集成电路封装轻薄短小以及发热密度不断提升的趋势，散热问题只益重要，如何降低封装热阳以增讲散热效能是封装设计中很重要的技术。热生成的主要因素是由于芯片中数量庞大的品体管计算时所产生的功率消耗，这些热虽然可藉由提升芯片制程能力来降低电压等方式来减少，但是仍然不能解决发热密度增加的趋势。散热问题如不解决，会使芯片因过热而影响到产品的可靠性，造成寿命减低甚至损毁的结果。

T3Ster是一款先进的半导体器件封装热特性测试仪器，其独创的Structure Function(结构函数)分析法，能够分析器件热传导路径上每层结构的热阻和热容参数，构建器件等效热学模型，是器件封装工艺、可靠性试验、材料热特性以及接触热阻的强大支持工具。

贝思科尔联合实验室配备了一套完整的T3Ster热阻测试设备，本次活动将介绍如何利用T3ster测试IC类样品的RJc，RJb，RJa分析IC的散热路径和散热能力，并分享实际系例。有相关需求的客户，可联系贝思科尔获取产品/方案资料。

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