Diotec‘s MOSFET MD06P115 Provides Polarity Protection for Solar-Operated Power Bank
Solar-Operated Power Bank Keeps Your Devices Charged On the Way—Polarity Protection Provided by DIOTEC's MD06P115.
Solar Power Banks are an absolute must for all outdoor enthusiasts! A solar power bank works by harnessing sunlight to generate electricity through photovoltaic cells. An ideal travel companion on the go! If you choose a solar power bank with a very high capacity you can charge your smartphone many times. Such a power bank is also suitable for tablets, digital cameras, drones, GPS devices, and any battery that can be charged via USB.
The P channel MOSFET MD06P115 by Diotec Semiconductor is used for reverse battery polarity protection. Assembled in the small SOT-26 case outline, it offers a continuous Drain current rating of -3.1 A and a very low on-state resistance of a maximum 115mΩ. Due to its logic level Gate threshold, it can be operated at the USB voltage level of typically 5V. An additional resistor and a Zener diode are required to provide a simple yet power-saving polarity protection on the smallest PCB space demand.
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描述- 本资料介绍了江苏长景电子科技有限公司生产的CJ2101型SOT-323封装P沟道MOSFET。该器件采用领先的沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)），适用于高侧负载开关、充电电路和单节电池应用。
型号- CJ2101
DIOTEC MOSFETs选型表
DIOTEC提供以下参数选型： Drain Source Voltage VDS[V]:-100~700、Drain Current ID[A]：-70~280、Junction Temperature Tjmax[℃]：150~175、Power Dissipation Ptot [W]：0.2~425、Peak Drain Current IDM [A]：-350~1200、Threshold Voltage VGSth[V]：-4~4.2、On-Resistance RDSon[Ω]：0.0013~15、On-Resistance ID[A]:-30~100、On-Resistance VGS[V]：-10~10、Turn-OnTime ton[ns]：3~1206、Turn-Off Time toff[ns]：7~991
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产品型号
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品类
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Type
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Package
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Drain Source Voltage VDS[V]
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Drain Current ID[A]
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Junction Temperature Tjmax[℃]
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Polarity pol
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Power Dissipation Ptot [W]
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Peak Drain Current IDM [A]
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Threshold Voltage VGSth[V]
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On-Resistance RDSon[Ω]
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On-Resistance ID[A]
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On-Resistance VGS[V]
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Turn-OnTime ton[ns]
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Turn-Off Time toff[ns]
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2N7000
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MOSFETs
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Wire-lead
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TO-92
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60
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0.2
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150
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N
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0.35
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0.5
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0.8
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5
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1
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10
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10
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10
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选型表 - DIOTEC 立即选型
DI035P04PT P沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DI035P04PT型P沟道功率MOSFET的特性，包括静态和动态特性、热特性、封装尺寸等。产品适用于电源管理、电池供电设备、负载开关和极性保护等应用。
型号- DI035P04PT,DI035P04PT-AQ
Diotec（德欧泰克）MOSFET/三极管选型指南
型号- DI035P04PT,DIT050N06,DI050N04PT,2SA1012R,DI080N03PQ,DI035N10PT,DI015N25D1,DIT100N10,DIT090N06,DIT195N08,DI110N15PQ,DIT120N08,DI080N06PQ,DI150N03PQ,DI020N06D1,DI068N03PQ,DI045N03PT,DI040N03PT,2SC3851,DI028P03PT,2SC2983,DIT095N08,DI030N03D1,DI110N04PQ,DI010N03PW,DI045N10PQ,DI100N10PQ,DIT150N03,DI038N04PQ2,DI110N03PQ
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描述- 该资料介绍了DI070P04PQ型号的P沟道功率MOSFET的特性，包括静态和动态特性、热特性、封装尺寸等。此外，还提供了产品的应用领域、最大额定值、标记代码、机械数据等信息。
型号- DI070P04PQ-AQ,DI070P04PQ
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型号- DI050P04D1
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型号- GP2101
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型号- MD06P115-AQ,MD06P115,MD06P115-Q
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型号- DI006P02PW
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型号- DI040P04D1,DI040P04D1-AQ,DI040P04D1-Q
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描述- 该资料介绍了DI040P04PT型号的P沟道功率MOSFET的特性。它是一种低导通电阻、快速开关时间的器件，适用于电源管理单元和电流检测设备。资料提供了详细的静态和动态特性数据，包括最大额定值、热阻、封装尺寸和应用领域。
型号- DI040P04PT-AQ,DI040P04PT
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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