用于定位机器人的精密齿轮箱:德欧泰克快速开关MOSFET DI100N10PQ,导电阻通仅4.5mΩ
在农业自动化领域,为了实现精确定位,工件和工具必须在高速情况下以微米级精度定位。特殊的齿轮箱用于高速处理和机器人的定位。这使得机器人能够在工业环境中以越来越高的速度进行拾取和放置应用。为了降低设计和组装成本,伺服电机直接安装在电机适配板和电机轴联轴器上。
德欧泰克的快速开关MOSFET DI100N10PQ PowerQFN 5x6封装与它完美配合。该器件是一个80A/100V N沟道MOSFET,可提供最佳性能。典型的导电阻通非常低,仅为4.5mΩ,有助于减少热量的产生。其超快的开关时间使得即使在高频开关驱动逆变器时也能保持低功率损耗。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由玉鹤甘茗转载自DIOTEC(德欧泰克半导体公众号),原文标题为:用于定位机器人的精密齿轮箱,快速开关MOSFET DI100N10PQ,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【应用】80V N沟道MOSFET TMB160N08A应用于机器人机械手臂电机驱动,导通电阻最大仅4.5mΩ
自动化机械手臂可替代人手精确的抓取物品以及搬运,广泛运用于工业自动化生产设备以及自动服务等行业;有些机器人手臂使用马达和螺线管作为传动装置,如下图,通过4个MOS管分别组成两个桥路,分别控制电机的正转和反转,以实现机械手臂的抓取、旋转、移动等功能。
应用方案 发布时间 : 2020-11-27
德欧泰克P沟道MOSFET DI077P06D1驱动自动物流机器人,典型导通电阻11.5 mΩ
H桥电机控制器允许机器人的直流电机向前或向后运行,配备了N沟道和P沟道MOSFET的组合。DIOTEC的P沟道MOSFET DI077P06D1采用TO-252AA(D-PAK)封装,在100℃时提供了45A的连续漏极电流和328A的峰值电流。典型的导通状态电阻为11.5mΩ,有助于节省能源,从而延长电池使用时间。
应用方案 发布时间 : 2024-05-22
【应用】N沟道MOSFET DI075N04PT-AQ用于驱动汽车天窗电机,最大导通电阻仅2.9mΩ
DIOTEC的N沟道MOSFET DI075N04PT-AQ用于驱动额定扭矩在10至12Nm之间的电机。凭借其1.2V~2.5V的逻辑兼容栅极阈值电压,可由微控制器(μC)直接控制;具有最大2.9mΩ的低Rds(on),非常适合用于汽车天窗驱动。
应用方案 发布时间 : 2023-09-01
【经验】N沟道MOSFET和P沟道MOSFET在防反接电路该如何进行设计
在一些较大负载电流的应用中,采用传统二极管做防反接电路,会因较高的正向压降产生较高的能耗,此时一般采用内阻较低的MOS管来替代二极管做防反接电路。然而在实际应用中,是选NMOS还是PMOS来设计防反接电路是比较棘手的问题,本文将讨论一下NMOS和PMOS在防反接电路该如何进行设计以及两者间的区别,并推荐Diotec的NMOS产品DIT150N03。
设计经验 发布时间 : 2020-02-11
【产品】QFN5×6薄型封装的N沟道功率MOSFET DI008N10PQ, 漏极峰值电流高达20A
Diotec推出型号为DI008N10PQ的N沟道功率MOSFET,器件采用QFN5x6薄型封装,具有低导通电阻和开关速度快等特点,产品适用于DC/DC转换器,电源,直流驱动器,电动工具,同步整流器以及工业和商业级应用等领域。
产品 发布时间 : 2022-05-26
70V/100mA的N沟道MOSFET BAS70W-05,适用于中低压开关柜
BAS70W-05是一款具有70V漏源电压和100mA正向平均整流电流的N沟道MOSFET,具有大电流承受能力、正向压降低、开关速度快等特性。这些特性使得BAS70W-05成为中低压开关柜系统中理想的电流控制和电压调节元件,它不仅可以提高系统的能效和稳定性,还可以为系统提供多种功能,满足不同工业和电力场景下的需求。
产品 发布时间 : 2024-05-23
【产品】150V N沟道MOSFET TMD02N15AT,TMU02N15AT,采用沟槽功率技术
无锡紫光微电子推出的N沟道MOSFET TMD02N15AT,TMU02N15AT,采用沟槽功率技术,具有低RDS(ON),低栅极电荷等特点,漏源电压为150 V,结温和存储温度范围为-55 ºC至 175 ºC,可应用于DC / DC和AC / DC转换器中的同步整流,通信和工业中的隔离式DC / DC转换器等领域。
新产品 发布时间 : 2020-10-04
【应用】N沟道增强型MOSFET 2N7002 TR PBFREE在智能机器人中的应用
作为控制驱动器的MOS开关,它的开关速度极为重要。这里,为大家带来Central Semi (美国中央半导体公司)推出的2N7002 N沟道增强型MOSFET,该MOSFET采用N沟道DMOS工艺制造,采用小型SOT-23表面贴装封装
应用方案 发布时间 : 2019-03-29
【产品】采用TO-220AB外壳封装的N沟道功率MOSFET DIT110N08,漏源导通电阻典型值可低至3.9mΩ
Diotec推出型号为DIT110N08的N沟道功率MOSFET,采用TO-220AB外壳封装。该器件采用先进的沟道技术工艺,具有低导通电阻、开关速度快和低栅极电荷等产品特性,产品适用于DC/DC转换器,电源,直流驱动器,电动工具以及商业、工业应用等领域。
产品 发布时间 : 2022-09-09
电子商城
现货市场
服务
可加工PCB板层数:1~30层,板材类型:单双面板/多层板/HDI盲埋孔板/高频高速板/微波射频天线板/高精度阻抗板/厚铜板/微波FR4/耐腐蚀光模块PCB等,成品尺寸:5*5cm~58*70cm; 板厚0.2~6mm。
最小起订量: 1 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论