【产品】20V/0.75A规格的科信N沟道MOSFET 2KK6009DFN，耗散功率低至100mW
科信（KEXIN）推出一款采用DFN1006-3封装的N沟道MOSFET 2KK6009DFN。Ta=25℃条件下，漏源电压为20V，连续漏极电流为0.75A，栅源电压为±10V，耗散功率为100mW。
产品实物图
产品特点：
● 漏源电压VDS (V) =20V
● 连续漏极电流ID=0.75A
● 漏源导通电阻RDS(ON)<380mΩ (VGS=4.5V)
● 漏源导通电阻RDS(ON)<450mΩ (VGS=2.5V)
● 漏源导通电阻RDS(ON)<800mΩ (VGS=1.8V)
绝对最大额定参数（Ta=25℃，除非另有说明）：
电气特性（Ta=25℃，除非另有说明）：
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科信电子N沟道场效应管选型表
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产品型号
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BVDSS(V)
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ID(A)
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2KK5001DS
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N-Channel MOSFET
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选型表 - 科信 立即选型
科信电子MOSFET选型表
提供科信电子MOSFET选型：自主芯片设计，具有超低内阻大电流的特点，采用8英寸沟槽和SGT工艺，封装外形有：SOT23\SOT23-3\SOT23-5\SOT23-6\SOP08\DFN2*2\PDFN5*6\PDFN3.3*3.3 \TO252\TO220等
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产品型号
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品类
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Package
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Configuration
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ESD Diode
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VDS (V)
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VGS (V)
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ID(25℃）(A)
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PD(25℃）(W)
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RDS(ON) (mΩ max)* at VGS=4.5V
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VGS(th)(min)(V)
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2KJ6006
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P-Channel MOSFET
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SOT23-3
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Single
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No
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-30V
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选型表 - 科信 立即选型
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
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