【产品】30V/18A采用HSMT8的小型模具封装的功率MOSFET RQ3E075AT
罗姆(ROHM)是半导体、电子零部件等应用的全球最知名主要供应商之一。近期其推出了30V/18A的RQ3E075AT功率MOSFET，采用HSMT8的小型模具封装设计，具有具有反向恢复快、导通电阻低、无铅电镀（符合RoHS标准）和无卤素等特点，是开关电路领域的不二选择，其产品图及其电气原理图如图1。
图1 该功率MOSFET的产品图及其电气原理图
RQ3E075AT功率MOSFET的漏源电压为-30V，连续漏极电流为±18A，单脉冲雪崩能量均为20mJ，可有效抑制雪崩效应，耗散功率为15W，最大漏源导通电阻为23mΩ。同时，其具有低电容特性，其输入电容典型值为930pF、输出电容典型值为170pF、反向传输电容130pF。此外，产品开启延迟典型值为9.8ns，关断延迟典型值为58ns，上升时间为9.2ns，下降时间为27ns，具有高速开关的特性，可以满足高频开关电路设计需求。另外，该功率MOSFET的工作结温为150℃，存储温度范围为-55℃~150℃，同时结壳热阻最大值为8.2℃/W ，可以在温度苛刻的环境下长时间工作，具有高电气可靠性和安全性。
表1 该功率MOSFET最大额定值
该功率MOSFET产品特性：
•低导通电阻
•高功率小型模具封装（HSMT8）
•无铅电镀，符合RoHS标准
•无卤素
该功率MOSFET应用领域：
•开关电路
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由民工提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】75V采用薄型SMD封装的功率MOSFET，漏源导通电阻最低为4.5mΩ，可提高电源效率
P46LF7R5SL、P46LF7R5SN、P72LF7R5SL、P72LF7R5SN是新电元推出的四款功率MOSFET，允许大电流，结构紧凑，采用薄型SMD封装，均符合ROHS无铅标准，是环境友好型器件，四款产品漏源导通电阻最低为4.5mΩ，有助于降低MOSFET通过大电流时的自身发热，同时提高电源效率。主要应用于负载/电源开关、电源转换器电路、DC-DC转换器、电源管理等领域。
【产品】120V/25A大电流、小型SMD功率MOSFET P25LF12SL、P25LF12SN
P25LF12SL、P25LF12SN是新电元（shindengen）推出的两款性能优异的功率MOSFET，漏源电压均为120V，连续漏极电流（DC）均为25A，允许大电流，小型SMD，均符合ROHS无铅标准，主要应用于负载/电源开关、电源转换器电路、DC-DC转换器、电源管理等领域。两款产品尺寸均为6.05mm*5.3mm*1.05mm。
【产品】30V/16A的N沟道中功率MOSFET RQ3E160AD，HSMT8封装
ROHM的N沟道中功率MOSFET RQ3E160AD，具有低导通电阻为4.5mΩ，内置G-S保护二极管，采用HSMT8封装，漏源电压为30V，连续漏极电流为±16A，工作结温和存储温度范围-55 to +150 ℃，产品无铅，符合RoHS标准，可应用于开关应用等领域。
【经验】功率MOSFET重要特性——阈值、ID-VGS特性及温度特性经验之谈
本篇介绍ROHM推出功率MOSFET的重要特性–栅极阈值电压、ID-VGS特性、以及各自的温度特性。其中，使MOSFET导通的电压称为“栅极阈值”。当VGS恒定的话，ID会随温度上升而増加，因此有些条件需要注意。我们可根据VGS(th)的变化，推算大致的Tj。
【产品】采用VDMOS芯片技术的功率MOSFET 7N65D，具有高耐压、驱动功率小、导通电阻低等特点
MDD推出的MDD7N65D这款功率MOSFET，采用VDMOS芯片技术，具有高耐压、驱动功率小、导通电阻低、卓越的开关特性和电容特性，可满足应用中各种频率、能效要求、EMI要求，广泛应用于中小功率开关电源电路中的PFC电路、开关电路、同步整流电路中。
【经验】功率MOSFET并联时产生寄生振荡的原因及解决方案
MOSFET工作于高频率开关状态，任何电气特性差异和电路杂散电感均可导致瞬时电压峰值，以及并联MOSFET之间的电流分配不平衡。这是非常有害的，因为电流不平衡可能导致功率损耗过大并损坏器件。合科泰半导体将在本文介绍功率MOSFET并联时产生寄生振荡的原因及解决方案。
【产品】ROHM低导通电阻的N沟道功率MOSFET RS6R035BH，漏源电压最大值为150V
RS6R035BH是ROHM推出的一款具有低导通电阻的N沟道功率MOSFET。在Ta=25°C条件下，其漏源电压最大值为150V，连续漏极电流（VGS=10V）最大值为±35A（*1），单脉冲雪崩电流最大值为18A（*3）。
【经验】简析功率MOSFET的开关特性及其温度特性
本篇将介绍ROHM推出的MOSFET的开关特性及其温度特性。MOSFET的开关特性参数提供导通延迟时间、上升时间、关断延迟时间、下降时间，这些参数的测量受测量条件和测量电路的影响较大，因此一般确认提供条件。对于温度特性，开关特性几乎不受温度变化的影响。
【产品】最大导通内阻仅3.6mΩ的功率MOSFET RH6G040BG，耗散功率高达59W
ROHM推出的功率MOSFET RH6G040BG就具有超低导通内阻，最大只有3.6mΩ，最大漏极直流电流可达95A，耗散功率达到59W；小型封装，可满足各种大功率开关需求；无铅焊接，符合RoHS标准；无卤素。
【产品】1200V N沟道SiC功率MOSFET SCT4036KE，采用TO-247N封装，可用于太阳能逆变器等领域
最近罗姆（ROHM）公司最近推出了一款TO-247N封装的N沟道SiC功率MOSFET——SCT4036KE，该产品采用无铅电镀，符合RoHS标准。驱动电路简单，易于并联使用，可用于太阳能逆变器，DC/DC转换器，开关电源，感应加热和电机驱动。
【产品】TO-247封装的R6030ENZ4功率MOSFET，600V/30A，导通电阻最大仅0.130Ω
R6030ENZ4是ROHM最新推出的N沟道功率MOSFET，为无铅电镀产品，符合RoHS标准，产品漏源电压为600V，连续漏极电流高达30A，耐压能力强，可满足大电流应用对电流的需求，产品易于并行使用，具有低导通电阻和快速开关的特点，用于各种开关应用。
【产品】HSMT8封装的N沟道功率MOSFET RH6P040BH，静态漏源导通电阻仅15.6mΩ
罗姆（ROHM）推出的RH6P040BH是一款N沟道功率MOSFET，该器件具有低导通电阻、高功率封装等特点。在绝对最大额定值（Ta =25℃）方面，其漏源电压为100V，连续漏极电流（VGS=10V）为±40A，耗散功率为59W。
【产品】60V/180A功率MOSFET RZ2L18CGN，采用TO-247N小封装，结壳热阻最大仅为0.75℃/W
罗姆(ROHM)推出了60V/180A的RZ2L18CGN功率MOSFET，采用TO-247N的封装设计，具有具有导通电阻低、高速开关、高电气可靠性和安全性、高功率小型模具封装和无铅电镀（符合RoHS标准）等特点，是开关电路领域的不二选择。
ROHM（罗姆）RQ3E120AT 功率MOSFET数据手册
描述- 本资料为ROHM公司生产的RQ3E120AT型号功率MOSFET的数据手册。该器件具有低导通电阻、高功率小型封装（HSMT8）等特点，适用于开关电源等领域。
型号- RQ3E120AT
【产品】开关速度快的车规级N沟道碳化硅功率MOSFET SCT4026DW7HR，符合RoHS标准
SCT4026DW7HR是罗姆（ROHM）推出的一款车规级N沟道碳化硅功率MOSFET。该器件无铅电镀，符合AEC-Q101和RoHS标准；在绝对最大额定值 (Tc=25℃)方面，其漏源电压为750V，脉冲漏极电流为91A。
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论