【产品】30V/18A采用HSMT8的小型模具封装的功率MOSFET RQ3E075AT
罗姆(ROHM)是半导体、电子零部件等应用的全球最知名主要供应商之一。近期其推出了30V/18A的RQ3E075AT功率MOSFET，采用HSMT8的小型模具封装设计，具有具有反向恢复快、导通电阻低、无铅电镀（符合RoHS标准）和无卤素等特点，是开关电路领域的不二选择，其产品图及其电气原理图如图1。
图1 该功率MOSFET的产品图及其电气原理图
RQ3E075AT功率MOSFET的漏源电压为-30V，连续漏极电流为±18A，单脉冲雪崩能量均为20mJ，可有效抑制雪崩效应，耗散功率为15W，最大漏源导通电阻为23mΩ。同时，其具有低电容特性，其输入电容典型值为930pF、输出电容典型值为170pF、反向传输电容130pF。此外，产品开启延迟典型值为9.8ns，关断延迟典型值为58ns，上升时间为9.2ns，下降时间为27ns，具有高速开关的特性，可以满足高频开关电路设计需求。另外，该功率MOSFET的工作结温为150℃，存储温度范围为-55℃~150℃，同时结壳热阻最大值为8.2℃/W ，可以在温度苛刻的环境下长时间工作，具有高电气可靠性和安全性。
表1 该功率MOSFET最大额定值
该功率MOSFET产品特性：
•低导通电阻
•高功率小型模具封装（HSMT8）
•无铅电镀，符合RoHS标准
•无卤素
该功率MOSFET应用领域：
•开关电路
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罗姆集团综合产品目录
型号- DTC143TE3,KA2004-H05N20A,ML62Q20XX,RCJ220N25,SML-S13UT,DTC143TEB,RSX101VYM30,SDR,R6002JND4,BD60A00NUX,RB238NS150,SML-D12Y8W,SMLA12BN8T,MG6405WZ,BD00HC5WEFJ-M,SML-811UT (A),SML-010VT,BD94130EFV-M,DTA124XM,BM2SC123FP2-LBZ,RS3L110AT,RB298T100,DTC143TCA,RSS060P05,BD71L4LG-1,SFR,BR25A512,RGPR20BM36HR,BD95821MUV,BD6995FV,KD2002-G0JB10A,BU23TD2W,SML-S13VT,BU97941FV,RQ5L015SP,BH7673G,SML-811UT (C),BD52XXG-2C,BD6046GUL,RGW60TS65HR,SML-D12Y3W,BM6241FS,MH2206WZ,BD63521EFV,BU94702AKV,SML-S13PT,RB168MM200,DTC144WCA,BD22621G-M,SLI-343URC,RS6R035BH,RGT20NL65,DTD123TC,DTA015TUB,BD750L5FP-C,BM521Q25F,R8003KNX,BD52XXG-1 SERIES,SML-D12D8W (C),DTA023YEB,UCR006,BD95514MUV,BD9S200MUF-C,SML-H10PD2B,DTD123TK,RFN6T2D,IMX25,R6000ENH,SML-S13RT,BU64253GWZ,BD70GC0VEFJ-M,BR93HXX-2C系列,BD52XXG-2M,RBR2LAM30A,CSL0902DT (C),RBR5L30B,RBR5L30A,RSX501LAM20,RCX300N20,KD2003-F0FW00A,BH76363FV,RQ1E075XN,TFZV,RF4G060AT,BD83A04EFV-M,BV1LC085EFJ-C,BU2394KN,SML-A12MT 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【经验】功率MOSFET重要特性——阈值、ID-VGS特性及温度特性经验之谈
本篇介绍ROHM推出功率MOSFET的重要特性–栅极阈值电压、ID-VGS特性、以及各自的温度特性。其中，使MOSFET导通的电压称为“栅极阈值”。当VGS恒定的话，ID会随温度上升而増加，因此有些条件需要注意。我们可根据VGS(th)的变化，推算大致的Tj。
设计经验 发布时间 : 2019-01-03
【经验】简析功率MOSFET的开关特性及其温度特性
本篇将介绍ROHM推出的MOSFET的开关特性及其温度特性。MOSFET的开关特性参数提供导通延迟时间、上升时间、关断延迟时间、下降时间，这些参数的测量受测量条件和测量电路的影响较大，因此一般确认提供条件。对于温度特性，开关特性几乎不受温度变化的影响。
设计经验 发布时间 : 2019-01-03
650V/11A的高压MOS管SL11N65CF1，导通电阻为318mΩ，可提供卓越的开关性能
萨科微半导体推出的高压MOS管SL11N65CF1，是一款性能卓越的功率MOSFET，采用了Slkor公司的先进超级功能技术进行生产，具有出色的性能和可靠性。这种先进技术经过专门定制，极大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲，为电子系统的高效运行提供了重要支持。
产品 发布时间 : 2024-05-25
各位前辈，我的毕业设计要做一个大功率交流恒流源，首先需要将24v蓄电池电压升到150v左右，就是一个24v升150v左右的，输出电流5A左右的DCDC模块，现在正在寻找合适的芯片，一直找不到，希望各位前辈指点一下。十分感谢。
推荐用逆变，变压器升压，滤波的方法实现，可以用MCU控制，并提供逆变驱动信号，推荐EFM8LB11F16ES0-C-QFN24R,参考EFM8 Laser Bee Family EFM8LB1 Data Sheet 。推荐功率MOSFET作为逆变开关电路，参考Shindengen（新电元） P175FP4SNK 功率MOSFET数据手册 。
技术问答 发布时间 : 2020-02-19
【产品】采用VDMOS芯片技术的功率MOSFET 7N65D，具有高耐压、驱动功率小、导通电阻低等特点
MDD推出的MDD7N65D这款功率MOSFET，采用VDMOS芯片技术，具有高耐压、驱动功率小、导通电阻低、卓越的开关特性和电容特性，可满足应用中各种频率、能效要求、EMI要求，广泛应用于中小功率开关电源电路中的PFC电路、开关电路、同步整流电路中。
产品 发布时间 : 2022-10-21
【应用】国产P沟道功率MOSFET管AO3401在开关电源的应用，满足严苛的环境要求
我们知道MOS管在电路中可以起到开关作用，还有放大、阻抗变换、振荡等等作用。在设计中，很多客户就是利用MOS管的低导通内阻特点作为开关的比较多。本文将介绍辰达行的P沟道功率MOSFET管AO3401是如何应用在开关电源的。
应用方案 发布时间 : 2022-03-26
【产品】方舟微耗尽型功率MOSFET DMX1072/DMS1072，电压100V，可用于抑制浪涌电流、常开开关等领域
方舟微推出耗尽型功率MOSFET DMX1072/DMS1072。该器件采用专有的高级平面技术、可靠的多晶硅栅单元结构工艺、改进的ESD能力和快速开关速度能力，符合RoHS标准，无卤素添加。可应用于抑制浪涌电流、常开开关、恒流源和保护电路等应用领域。
产品 发布时间 : 2022-11-23
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
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