【产品】30V/18A采用HSMT8的小型模具封装的功率MOSFET RQ3E075AT
罗姆(ROHM)是半导体、电子零部件等应用的全球最知名主要供应商之一。近期其推出了30V/18A的RQ3E075AT功率MOSFET，采用HSMT8的小型模具封装设计，具有具有反向恢复快、导通电阻低、无铅电镀（符合RoHS标准）和无卤素等特点，是开关电路领域的不二选择，其产品图及其电气原理图如图1。
图1 该功率MOSFET的产品图及其电气原理图
RQ3E075AT功率MOSFET的漏源电压为-30V，连续漏极电流为±18A，单脉冲雪崩能量均为20mJ，可有效抑制雪崩效应，耗散功率为15W，最大漏源导通电阻为23mΩ。同时，其具有低电容特性，其输入电容典型值为930pF、输出电容典型值为170pF、反向传输电容130pF。此外，产品开启延迟典型值为9.8ns，关断延迟典型值为58ns，上升时间为9.2ns，下降时间为27ns，具有高速开关的特性，可以满足高频开关电路设计需求。另外，该功率MOSFET的工作结温为150℃，存储温度范围为-55℃~150℃，同时结壳热阻最大值为8.2℃/W ，可以在温度苛刻的环境下长时间工作，具有高电气可靠性和安全性。
表1 该功率MOSFET最大额定值
该功率MOSFET产品特性：
•低导通电阻
•高功率小型模具封装（HSMT8）
•无铅电镀，符合RoHS标准
•无卤素
该功率MOSFET应用领域：
•开关电路
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型号- RQ3E120AT
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