蓉矽1200V 75/40mΩ工规级SiC MOS，采用多晶硅网络优化技术，充分降低栅极内阻

时间： 2024-06-07 来源：NOVUSEM

技术问答

逆变器是光伏发电系统的核心，通过有规律地高频开关，将直流电转换为交流电，以满足长距离输送和大规模电力需求。当前市场上主流的逆变器拓扑结构通常由两级电路组成：前级电路和后级电路。其中，前级电路采用带MPPT(MaximumPower Point Tracking)功能的DC/DC电源，负责最大功率跟踪控制、产生高压直流母线电压；后级DC/AC逆变桥式电路则负责产生交流电。

蓉矽半导体工规级NovuSiC®光伏逆变器解决方案包含SiC EJBS™二极管与1200V 75/40mΩ SiC MOSFET。相较于二极管+硅基IGBT的传统解决方案，基于SiC器件的解决方案可将逆变器体积缩小60%左右，大幅提高功率密度。在相同的开关频率下（20kHz@10kW），蓉矽半导体NovuSiC® MOSFET可降低50%的损耗；在相同损耗下（98W@10kW），蓉矽半导体EJBS™+SiC MOSFET方案可将开关频率提升2倍左右，即可从20kHz提高至40kHz。

图 1

EJBS™ 二极管产品亮点：

1.高抗浪涌电流能力（11倍）；

2.低反向漏电（5μA）；

3.低正向导通压降；

4.零反向恢复电流；

5.最高工作结温为175℃。

蓉矽半导体1200V 75mΩ SiC MOSFET产品特点如下：

1.采用沟道自对准工艺和凸多边形密铺的元胞布局形式，增加沟道密度、降低沟道电阻，提升器件在单位面积内的电流能力；

2.采用多晶硅网络优化技术，充分降低栅极内阻，提高器件在开关过程中对输入电容的充放电速度，降低器件开关损耗；

3.采用结终端优化技术，降低器件在结终端的曲率效应，提高器件耐压能力；采用开尔文源的PAD设置，降低封装中的杂散电感；

4.VDD=800V时，短路耐受时间≥3μs，TO-247-4封装测试开启损耗为635μJ；

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