【产品】高速大功率碳化硅MOSFET，反向传输电容仅13pF

时间： 2018-05-08 来源：Littelfuse

技术问答

IXYS公司（LITTELFUSE子公司）推出的IXFN50N120SiC系列碳化硅MOSFET具有开关速度快、传输电容低的特点，其采用SOT-227B封装，隔离电压达3000V（t=1s），具有更高的电源效率，采用氮化铝基板，符合RoHS、阻燃等级符合UL 94V-0标准，符合行业标准大纲。主要应用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、高电压DC/DC转换器、电机驱动器、电池充电器、开关电源、感应加热等领域。

该系列碳化硅MOSFET重量典型值为30g，操作温度和储存温度范围均是-40℃~150℃，结温范围为-40℃~175℃，结壳热阻为0.55K/W，具有较好的热性能。在大功率系统中，可确保系统不会因为损耗过大导致结温过高而损坏芯片，更好的应用于高温环境。

IXFN50N120SIC系列碳化硅MOSFET漏源击穿电压最小值1200V（V_GS = 0 V, I_D = 200μA），在T_C=25℃的标准下，漏极电流为47A，静态漏源导通电阻R_DSon最大值为50mΩ（T_VJ=25℃）。栅极总电荷为100nC，使得MOSFET对驱动电流的要求低，可以更加显著的降低开关损耗，提升电源效率,使其非常适合高可靠性的系统设计。具体性能参数如下图所示：

图1 碳化硅MOSFET外观图

图2 电路图

图3 IXFN50N120SIC系列尺寸图

图4 IXFN50N120SIC系列典型输出特性图（-25℃、25℃）

图5 IXFN50N120SIC系列典型输出特性图（150℃）

图6 IXFN50N120SIC系列正向压降与V_DS关系曲线（-55℃）

图7 IXFN50N120SIC系列正向压降与V_DS关系曲线（25℃、150℃）

IXFN50N120SIC系列电容器特点：

·超快的开关速度

·反向传输电容典型值为13pF

·漏源击穿电压最小值1200V（V_GS = 0 V, I_D = 200μA）

·符合RoHS、阻燃等级符合UL 94V-0标准

·符合行业标准大纲

·操作温度和储存温度范围均是-40℃~150℃

·结温范围为-40℃~175℃

·结壳热阻为0.55K/W

IXFN50N120SIC系列电容器应用领域：

·太阳能逆变器

·不间断电源（UPS）

·高压DC/DC转换

·电机驱动器

·电池充电器

·开关电源

·感应加热

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