【产品】正向压降低至0.13V的表面安装硅肖特基二极管
CMDSH05-45是CENTRAL半导体公司推出的一款表面安装硅肖特基二极管,其采用了SOD-323表贴封装。CMDSH05-45硅肖特基二极管具有低功耗、低正向压降、低反向电流等特点,该器件专为需要低正向压降的应用而设计。
图1 CMDSH05-45硅肖特基二极管实物图
CMDSH05-45硅肖特基二极管的峰值重复反向电压VRRM为45V,连续正向电流IF为500mA。CMDSH05-45具有低反向电流,其典型值为IR=60μA@30V。CMDSH05-45还具有较低的正向压降,当正向电流IF为100μA时,正向压降VF的最大值仅为0.13V,其输出特性曲线如图2所示。
CMDSH05-45硅肖特基二极管的热阻为500℃/W,工作和存储结温均为-65℃~+150℃,满足工业环境温度要求。在8ms的持续时间内,CMDSH05-45硅肖特基二极管的峰值正向浪涌电流为10A,抗电流冲击能力较强。另外,CMDSH05-45硅肖特基二极管的功耗只有250mW,满足低功耗产品的设计要求。
图2 CMDSH05-45硅肖特基二极管输出特性曲线
CMDSH05-45硅肖特基二极管的产品特性:
• 峰值重复反向电压:45V
• 连续正向电流:500mA
• 峰值正向浪涌电流:10A(tp=8ms)
• 功耗:250mW
• 工作和存储结温:-65℃~+150℃
• 热阻:500℃/W
CMDSH05-45硅肖特基二极管的应用领域:
• 需要低正向压降的应用
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由零点翻译自Central,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】超小规格的高效率硅肖特基二极管,正向电压降典型值为220mV
Central推出的CFSH05-20L硅肖特基二极管,具有极低的正向电压特性,和超小的封装尺寸,因此适用于把小包装尺寸和高能源效率作为首要要求的应用领域,如电池供电的手持应用,包括手机、数码相机、平板电脑和笔记本电脑等,当然在直流-直流转换器、电压钳制技术、保护电路等领域也有独特优势。
【产品】四款低正向电压降的肖特基二极管,最大正向电压降仅为800mV
Central推出的四款CBAT54W、CBAT54AW、CBAT54CW、CBAT54SW系列硅肖特基二极管,适合表面安装。正向电压降较低,IF=100mA、TA=25℃时,产品的正向电压降最大仅为800mV。四款产品均适用于需要低正向电压降的应用领域。
【产品】超小规格低功耗硅肖特基二极管,功耗最大仅100mW
Central Semi推出的CFSH2-4L系列硅肖特基二极管具有极高效率,具有极低的封装尺寸及正向电压降,当TA=25℃时,正向电压降的最大值仅为0.60V(IF=200mA)、功耗损失仅为100mW。产品超适用于把小尺寸和低功耗作为主要考虑因素的场景,如DC/DC转换器、电压钳制技术、保护电路、电池驱动的手持应用等。
【产品】正向压降低至0.29V的表面安装硅肖特基二极管,快速开关设计的理想选择
CMSSH-3系列是CENTRAL半导体公司推出的表面安装硅肖特基二极管,具有低正向压降、低反向电流、低功耗、反向恢复时间短的特点,可用于需要低正向压降的快速开关的应用设计。
电动汽车(EV)充电站应用简介
本文介绍了电动汽车(EV)充电站行业的发展趋势,强调了快速可靠充电的重要性。文章指出,目前存在三种充电架构:一级、二级和直流快充。充电站通过高功率桥式整流器和二极管实现AC/DC转换,并提供了多种整流器和二极管的型号,包括全桥整流器、整流二极管、硅肖特基二极管和碳化硅肖特基整流器。此外,还介绍了功率MOSFET和PB EV CHARGER(R0 0821)等产品。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - SILICON CARBIDE SCHOTTKY RECTIFIERS,FULL-BRIDGE RECTIFIERS,POWER MOSFETS,全桥整流器,硅肖特基二极管,RECTIFIER DIODES,SILICON SCHOTTKY DIODES,整流二极管,碳化硅肖特基整流器,功率金氧半电晶体,CPC13-SIC50-1200,CUDD16-08C,CSHDD16-200C,CDM7-650,CBRHDSH2-40,CR16UD-08FP,CPC11-SIC30-650,CBRDFA4-100,CRSH16D-100FP,CDM3-800,EV CHARGING STATION,ELECTRIC VEHICLE CHARGING STATION,EV CHARGERS,电动汽车充电站,电动汽车充电器,EV充电站
【产品】低正向压降表面安装硅肖特基二极管,具有三重隔离
CMKSH-3T系列是CENTRAL半导体公司推出三重隔离的表面安装硅肖特基二极管,具有低正向压降、低反向漏电流、低功耗和反向恢复时间短等特点。该器件采用SOT-363封装,专为需要低正向压降的开关应用而设计。
【产品】可配置为桥式整流器的双串联低压硅肖特基二极管,VF的最大值仅为0.4V
Central公司推出的肖特基二极管CMXSH2-4LS,由双串联低压的硅肖特基二极管组成,采用SOT-26表面贴装封装,该设备可配置为桥式整流器。其低压降VF的典型值仅为0.24V( IF=10mA),反向恢复时间较短,时间trr最大值为5.0ns。主要配置于桥式整流器等领域。
CMSD6263 CMSD6263A CMSD6263C CMSD6263S表面贴装硅肖特基二极管
该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的CMSD6263系列表面贴装硅肖特基二极管。这些二极管适用于低电流快速开关应用,具有低正向压降的特点,提供单、双极性以及串联配置选项。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - HIGH VOLTAGE SILICON SCHOTTKY DIODES,表面贴装硅肖特基二极管,高压硅肖特基二极管,SURFACE MOUNT SILICON SCHOTTKY DIODES,CMPD6263A,CMSD6263 SERIES,CMSD6263,CMPD6263C,CMPD6263S,CMSD6263C,CMSD6263S,CMPD6263,CMSD6263A
CMWSH-4表面贴装超微型双隔离硅肖特基二极管
该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CMWSH-4型号硅肖特基二极管。这些二极管具有双隔离特性,适用于高速表面贴装开关应用。资料提供了最大额定值、电气特性、工作温度范围和热阻等详细信息。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - 表面贴装超小型双隔离硅肖特基二极管,SURFACE MOUNT SUPERMINITM DUAL ISOLATED SILICON SCHOTTKY DIODES,CMWSH-4,USE IN HIGH SPEED SURFACE MOUNT SWITCHING,用于高速表面贴装开关
【产品】SOT-523表面贴装硅肖特基二极管,专为低正向压降的快速开关应用而设计
CMUSH2-4系列是CENTRAL半导体公司推出的表面安装硅肖特基二极管,该系列具有低正向压降、低反向电流、低功耗、反向恢复时间短的特点。该系列采用了SOT-523表贴封装,专为需要低正向压降的快速开关应用而设计。
CBAT54 CBAT54A CBAT54C CBAT54S表面贴装硅肖特基二极管
该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的硅肖特基二极管系列产品,包括CBAT54、CBAT54A、CBAT54C和CBAT54S。这些二极管采用SOT-23表面贴装封装,具有低正向压降和高反向恢复速度的特点。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - 表面贴装硅肖特基二极管,硅肖特基二极管,SILICON SCHOTTKY DIODES,SURFACE MOUNT SILICON SCHOTTKY DIODES,CBAT54 SERIES TYPES,CBAT54,CBAT54A,CBAT54C,CBAT54S,CBAT54 SERIES
【产品】专为需要低正向压降的快速开关应用设计的表面贴装硅肖特基二极管
Central公司推出的硅肖特基二极管 CMPSH-3系列(CMPSH-3,CMPSH-3A,CMPSH-3C,CMPSH-3S),环氧树脂模塑,采用SOT-23表面贴装封装,当反向连续电压VR为25V时,其反向电流IR的最大值为500nA,具有低反向电流和较高的反向耐压能力。专为需要低正向压降的快速开关应用而设计。
【产品】耐高压、低正向压降、低反向电流、高级集成度硅肖特基二极管
世界顶级分立半导体制作商Central Semiconductor(美国中央半导体公司)推出CPD102X裸片工艺封装的耐高压硅肖特基二极管系列,该工艺下的肖特基二极管具有耐高压、低正向压降、低反向电流、高级集成度等特点,专为需要低正向压降的开关应用而设计。
CFSH05-20L TR PBFREE 有什么优点,可以替代哪些品牌?
Central Semiconductor(美国中央半导体公司)推出的CFSH05-20L硅肖特基二极管,具有极低的正向电压特性,和超小的封装尺寸,因此适用于把小包装尺寸和高能源效率作为首要要求的应用领域,如电池供电的手持应用,包括手机、数码相机、平板电脑和笔记本电脑等,当然在直流-直流转换器、电压钳制技术、保护电路等领域也有独特优势。可以替代ONSEMI的NSR05F20NXT5G。
电子商城
品牌:Central Semiconductor
品类:SURFACE MOUNT SILICON SCHOTTKY DIODES
价格:
现货: 0
现货市场
品牌:CALY Technologies
品类:COMMON CATHODE SILICON CARBIDE SICSCHOTTKY DIODE
价格:¥53.3565
现货:30
服务
可定制插座连接器的间距1.25mm~2.54mm;列数:单列/双列/三列/四列;端子类型:直焊针、直角焊针、表面贴装式、无焊柔性针压接、绕接、载体.;镀层、车针长度/直径、连接针长度等参数可按需定制。
最小起订量: 1 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
最小起订量: 1 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论