ROHM开发出世界超小CMOS运算放大器TLR377GYZ,适用于智能手机和小型物联网设备等应用
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出一款超小型封装的CMOS运算放大器“TLR377GYZ”,该产品非常适合在智能手机和小型物联网设备等应用中放大温度、压力、流量等的传感器检测信号。
图 1
智能手机和物联网终端越来越小型化,这就要求搭载的元器件也要越来越小。另一方面,要想提高应用产品的控制能力,就需要高精度地放大来自传感器的微小信号,因此需要在保持高精度的前提下实现小型化。在这样的背景下,ROHM通过进一步改进多年来铸就的“电路设计技术”、“工艺技术”和“封装技术”,开发出同时满足“小型”和“高精度”两种需求的运算放大器。
新产品通过进一步改进ROHM多年来铸就的“电路设计技术”、“工艺技术”和“封装技术”,成功地实现了通常认为运算放大器难以同时实现的小型化和高精度。
造成运算放大器误差的因素通常包括“输入失调电压”*1和“噪声”。两者都是与放大精度相关的项目,都可以通过扩大内置晶体管尺寸得到抑制,然而这又涉及到与小型化之间的权衡关系。通过嵌入利用ROHM自有电路设计技术开发出来的失调电压校正电路,新产品在保持晶体管尺寸不变的前提下实现了最高仅1mV的低输入失调电压。另外,新产品不仅利用ROHM自有的工艺技术改善了常见的闪烁噪声*2,还通过从元件层面重新调整电阻分量,实现了超低噪声,等效输入噪声电压密度*3仅为12nV/√Hz。此外,新产品采用了WLCSP(Wafer Level Chip Size Package)封装,该封装利用ROHM自有的封装技术将引脚间距减小到了0.3mm。与以往产品相比,尺寸减小了约69%;与以往的小型产品相比,尺寸减小了约46%。
新产品已于2024年5月开始暂以月产10万个的规模投入量产(样品价格220日元/个,不含税)。为了便于客户进行替换评估和初期评估,ROHM还提供已安装了IC可支持SSOP6封装的转换板。新产品和转换板均已开始网售,通过Ameya360电商平台均可购买。另外,还可以从ROHM官网上获取验证用的仿真模型——高精度SPICE模型“ROHM Real Model”*4。
未来,ROHM将继续致力于提高运算放大器的性能,追求更小型、更高精度、以及融入ROHM自有超低静态电流技术的更低功耗,通过更先进的应用产品控制技术,为解决社会问题持续贡献力量。
图 2
<产品主要特性>
新产品精度高且尺寸超小,并内置移动设备所需的关断功能,可减少待机期间的消耗电流。
图 3
<应用示例>
智能手机、配有检测放大器的小型物联网设备等
<关于高精度仿真模型“ROHM Real Model”>
在新产品验证用的仿真模型中,利用ROHM自有的建模技术,忠实地再现了实际IC的电气特性和温度特性,成功地使仿真值与IC实物的值完全一致。ROHM提供这种高精度SPICE模型“ROHM Real Model”,通过可靠的验证,可有效防止实际试制后的返工等情况发生,有助于提高应用产品的开发效率。这种SPICE模型可通过ROHM官网获取。
图 4
*1)输入失调电压运算放大器输入引脚间产生的误差电压称为“输入失调电压”。
*2)闪烁噪声半导体等电子元器件中一定会产生的一种噪声。由于功率与频率成反比,因此频率越低,闪烁噪声越大。也被称为“1/f噪声”或“粉红噪声”。除此之外,噪声还包括热噪声(白噪声)等不同类型的噪声。
*3)等效输入噪声电压密度使输入引脚间短路、并将输出端出现的噪声电压密度折算到输入端后得到的值。由于放大器存在增益(放大系数),因此可以通过输出噪声电压密度除以增益来合理评估放大器本身的噪声特性。
*4)ROHM Real Model使用ROHM自有的建模技术,成功地使仿真值与实际IC的值完全一致的高精度仿真模型。
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ROHM高性能运算放大器选型表
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产品型号
|
品类
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Grade
|
I/O
|
Channel
|
Power supply (Min.) [V] (+5V=5, +/-5V=10)
|
Power supply (Max.) [V] (+5V=5, +/-5V=10)
|
Input Voltage Range [V]
|
Output Voltage Range [V]
|
Circuit Current (Typ.) [mA/ch]
|
Input Offset Voltage (Max.) [mV]
|
Input Bias Current (Typ.) [nA]
|
Slew Rate (Typ.) [V/µs]
|
Equivalent input noise voltage (Typ.) [nV/√Hz]
|
GBW (Typ.) [MHz]
|
Series
|
Temperature (Min.)[°C]
|
Temperature (Max.)[°C]
|
Package
|
Functional Safety
|
Common Standard
|
BD7280YG-C
|
高性能运算放大器
|
Automotive
|
Rail-to-Rail Input/Output
|
1
|
2.5
|
5.5
|
VSS to VDD
|
VSS+0.010 to VDD-0.010
|
1.7
|
2
|
0
|
10
|
12
|
7
|
Nano Cap
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-40
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125
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SSOP6
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FS supportive
|
AEC-Q100 (Automotive Grade)
|
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型号- BD87581YG-C,BD87581YG-CTR
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型号- BU7262SFBU7262FVMBU7262NUX,BU7475SHFV,BU7242SF,BU7421SG,BU7444SF,BU7261SG,BU7442SF,BU7465SHFV,BU7445HFV,BU7245SHFV,BU7462F,BU7275HFV,BU7244F,BU7442F,BU7264F,BU7205SHFV,BU7295HFV,BU7242NUX,BU7465HFV,BU7271SG,BU7411SG,BU7205HFV,BU7462SF,BU7411G,BU7475HFV,BU7242FVM,BU7295SHFV,BU7241G,BU7261G,BU7265G,BU7442FVM,BU7262NUX,BU7264SF,BU7442NUX,BU7445SHFV,BU7241SG,BU7464SF,BU7441SG,BU7444F,BU7262FVM,BU7262F,BU7275SHFV,BU7464F,BU7242F,BU7462NUX,BU7245HFV,BU7461SG,BU7265SG,BU7244SF,BU7271G,BU7461G,BU7441G,BU7462FVM,BU7421G
运算放大器双极型和CMOS运算放大器其各自的输入偏置电流方向(极性)。
当输入为双极型晶体管时,输入段晶体管的基极电流为偏置电流。NPN为流入,PNP为流出。输入为MOSFET时,由于电流不会流入栅极,因此在输入端子和VDD间、输入端子和VSS间分别连接的静电保护元件漏电流流出和流入之差就是输入偏置电流。由于漏失的偏差,虽然有时会存在流入和流出的情况,但在室温中,绝对值为pA级。
运算放大器产生输入偏置电流的原因。另外,请告知最大条件(温度及电源电压)。
输入偏置电流在双极型产品和CMOS产品中不同。双极型产品的输入偏置电流取决于输入段晶体管的基极电流和内部电流源,由于温度及电源电压,hFE受影响,输入偏置电流发生变化。在CMOS产品中,分别连接在输入端子和VDD之间、输入端子和VSS之间的静电保护元件漏电流流出和流入之差就是输入偏置电流,由于保护元件的漏失受温度及电源电压的影响而发生变化,因此该差分也会随之变化,从而导致输入偏置电流变化。详情请参考技术资料。温度及电源电压依赖性因各产品的电路结构而异,因此请确认Datasheet图及标准值。
运算放大器输入、输出阻抗的值。
作为参考值,一般运算放大器的输入阻抗为,Bipolar输入段:数100MΩ~数GΩ; CMOS输入段:数10GΩ~数TΩ; 输出阻抗为数10mΩ~数100mΩ;
电子商城
品牌:ROHM
品类:Rail-to-Rail CMOS Operational Amplifier
价格:¥6.8911
现货: 100
现货市场
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