提升微型逆变器能效转换，首推森国科1200V、40A SiC MOSFET

时间： 2024-06-12 来源：森国科

技术问答

在可再生能源领域，特别是太阳能发电系统中，微型逆变器因其高效的能源转换和优化的系统性能而日益受到重视。随着技术的不断进步，对微型逆变器中关键电子组件的要求也越来越高。在这样的背景下，森国科推出的1200V、40A碳化硅（SiC）MOSFET成为了行业的焦点，该系列产品以其卓越的性能和可靠性，为微型逆变器的设计和应用带来了革命性的改进。

碳化硅MOSFET相比传统的硅基MOSFET具有显著的性能优势。碳化硅材料本身的物理特性使得其能够在更高的电压和电流下工作，同时具有更好的热导性和更宽的带隙。这意味着SiC MOSFET能够在更高的温度和更苛刻的环境下稳定运行，这对于提高微型逆变器的可靠性和延长其使用寿命至关重要。

森国科的1200V、40A SiC MOSFET具有较高的开关速度和较低的导通电阻。这些特性使得微型逆变器能够更高效地转换能量，减少能量损耗，从而提高整个太阳能发电系统的效率。在太阳能面板产生的能量转换为可用电力的过程中，这种高效率的转换是至关重要的，因为它直接关系到系统的经济性和可行性。

由于SiC MOSFET的高温稳定性和高频工作能力，微型逆变器的设计可以更加紧凑和轻便。这不仅减少了材料的使用，降低了成本，还提高了系统安装的灵活性和便捷性。在空间受限或难以接近的地方，如城市屋顶或偏远地区，这种小型化的设计理念尤为重要。

此外，使用SiC MOSFET的微型逆变器还具有更好的电磁兼容性。由于SiC器件在切换过程中产生的电磁干扰较小，因此可以减少对周围电子设备的干扰，同时也降低了对外部电磁屏蔽的需求。这不仅有助于简化系统设计，还能降低额外的屏蔽成本。

最后，从长远来看，虽然SiC MOSFET的成本目前高于传统硅器件，但其带来的能效提升和维护成本降低可以在长期内为使用者节省更多的费用。随着生产规模的扩大和技术的成熟，SiC MOSFET的成本预计将进一步下降，使其在微型逆变器的应用中更具成本效益。

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选型指南 - 纳芯微电子 - April 2024 PDF 英文下载

深圳市森国科科技股份有限公司（SGKS）是一家专业从事功率器件、模块，功率IC的高新科技企业。功率器件主要包括碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、IGBT、SJMOS，功率芯片主要包括功率器件驱动芯片、无刷电机驱动芯片两大类。公司总部在深圳市南山区深圳湾生态科技园10A栋，在深圳、成都、苏州设有研发及运营中心。

SIC功率器件碳化硅二极管碳化硅MOSFET SiC二极管模块 SiC MOSFET模块

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森国科KS10065-A碳化硅二极管助力1500W充电器实现更高的效率和更小的温升

SiC二极管KS10065-A超低的正向导通电压（VF值），这有助于降低正向导通损耗，提高整体效率。同时，由于其零反向恢复特性，它在反向恢复过程中极大地减少了反向恢复损耗，并减少了EMI干扰，这使得1500W充电器能够实现更高的效率和更小的温升。

应用方案发布时间 : 2024-09-27

芯众享面向光伏及储能领域推出碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET产品，电流范围10~40A可选

芯众享面向光伏及储能领域推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET产品。其中碳化硅肖特基二极管已经在工商业光伏逆变器、组串式光伏逆变器、微型光伏逆变器领域广泛应用。

原厂动态发布时间 : 2023-08-07

纳芯微可再生能源与电源系统解决方案

型号- NSI6801,NSI1311,NSI1312,NSI6601,NSIP884X,NSR2240X,NPD0X0N120A,NCA8244,NSM2017,NIRSP31,NSI33085,NSM2019,NSM2013,NSIP83086,NSM2015,NSI68515,NSM2011,NSI8300XE,NSR28C4X,NSR33XXX,NSOPA9XXX,NSI1300,NSI6801M,NSI824X,NSIP21,NSREF31XX,NSCSA24X,NPS0X0N065A,NSI10,NSR7808,NSR EF30XX,NSI8100,NSHT3X,NSD7312,NSD2621,NIRS21,NSIP8942,NSOPA8XXX,NCA9555,NSI1200C,NSIP31,NSI823X,NSIP894X,NSD1026V,NCA1042B,NSCSA21X,NPC0X0N120A,NCA1042E,NCA3176,NSI83086,NSI83085,NSI6602V,NSM2311,NSM2113,NST235,NSR31XXX,NSIP1042,NSD1624,NS16801,NPI030N065A,NST20,NSR35XXX,NSR104XX,NIRS31,NSD1224,NSREF30XX,NCA1043(B),NSI1042,NS0PA9XXX,NSI6611,NSI1400,NSI822X,NS0PA8XXX,NCA1051A,NSI6601M,NCA3485,NCA1042B2,NST1002,NST1001,NSM211X,NSI82XX,NSI8200,NSI1050,NSI3190

应用及方案 - 纳芯微电子 - 2024年4月 PDF 中文下载查看更多版本

森国科碳化硅二极管，高效率且降低运营成本，为充电桩运营商提供更具竞争力的充电服务

随着电动汽车市场的蓬勃发展，对于快速、高效的充电设备需求日益增长。在这一背景下，SiC模块因其卓越的性能，正逐渐成为超级充电桩的核心器件，有望取代传统的硅基器件。这一变革预计将推动充电技术的重大进步，为电动车的普及和能源结构的优化提供强有力的支撑。

应用方案发布时间 : 2024-04-18

解析SiC MOSFET短路特性及技术优化

SiC器件管芯面积小，电流密度大，短路能力相对较弱，因此需要充分认识SiC器件的短路机理，揭示影响短路特性的关键因素，从而实施有效的保护，以保证SiC功率器件及SiC基变换器安全可靠工作。本文中森国科就来给大家解析SiC MOSFET短路特性及技术优化。

技术探讨发布时间 : 2023-11-02

Residential Solar Solutions

型号- 7000,SMBJ,L75QS,M3,SPD,TMOV,SPF,SPE,HV,LSIC1MO170E0750,CLASS RK5,X3-CLASS,CLASS T,SMBJ30CA,CLASS J,DSI,SM7,SPD TYPE 2,DSP,MIXA,ULTRAMOV,IXD_6XXSI,1500V POLAR,SPXI,SP712,SP2555NUTG,SMF,ES,X2-CLASS,RA,1200 V DIODE,MIXG,RB,LPHV,X CLASS,324,369,DLA,LSIC1MO120E0120,SP3130,IXDN604SIA,650 V TRENCH,IX4351NE,SPXV,SM20,IXG*N170(A),SM15-02HTG,SPD2 PV,SMDJ,SPFI,SPFJ,SM712,CG3,1.5SMC,CG2,CG4,650V X2-CLASS,DSEI,215,KLKD,HIGH VOLTAGE SERIES,KSC,DSEP,XPT,TRENCH GATE GEN2,CG,XTREME,SMCJ,KR,ULTRA-JUNCTION X2,KSR,SMBJ18CA,LA,1200,IX4427,IXDN602SIATR,650V X3-CLASS,650V DIODES,SIC1MO170E1000,X4-CLASS

应用及方案 - LITTELFUSE - 2023/12/4 PDF 英文下载