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希尔电子整流器件、FRD器件、IGBT器件和SiC SBD/MOSFET四大产品线亮相2024年慕尼黑上海展
2024年7月8-10日的慕尼黑上海电子展已完美落幕。在这场电子行业的盛会中，希尔电子紧扣主题，四大核心产品线闪耀登场——整流器件、FRD器件、IGBT器件和SiC SBD/MOSFET，吸引了行业客户瞩目。
昕感科技碳化硅场效应晶体管选型表
昕感科技提供以下碳化硅场效应晶体管（SiC field effect transistor/SiC FET）的参数选型：BVᴅs(V)：650V to 1700V，RDᴅs(on)(mΩ)：21V to 1000V。
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产品型号
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品类
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BVᴅs(V)
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RDᴅs(on)(mΩ)
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Vɢs(th)(V)(Typ.)
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Continuous Drain Current(A)(max)
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Iᴅss(μA)(Typ.)
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Vsᴅ(V)(Typ.)
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Tᴊ(max)(℃)
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封装
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N1M065030PD2
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碳化硅场效应晶体管
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650
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30
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2.6
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70
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1
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4.2
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175
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TO-247-3
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选型表 - 昕感科技 立即选型
瞻芯电子荣获SiC行业三大奖项，全面突破新能源汽车主驱、光伏储能、充电桩等众多关键领域市场
2024年12月12日，由行家说主办的“2024碳化硅＆氮化镓产业高峰论坛”于深圳召开。瞻芯电子凭借极具竞争力的碳化硅（SiC）功率器件和驱动解决方案，全面突破新能源汽车主驱、光伏储能、充电桩等众多关键领域市场，取得出色的业绩表现，在颁奖礼上荣获三项大奖：“中国SiC IDM十强企业”、“年度影响力产品奖”、“第三代半导体应用推动突破奖”。
昕感科技1200V/7mΩ SiC MOSFET，采用TO247-4PLUS封装，方便实现大电流并联
昕感科技在低导通电阻器件的开发上走在了行业的前列，于2023年推出一款1200V/7mΩ SiC MOSFET产品N2M120007PP0，使用了TO247-4PLUS封装降低器件热阻。该产品工作电流可达300A以上，具有正温度系数，可方便实现大电流并联。同时，昕感新品的漏电流极低，具备优越的高压阻断特性，方便用户使用和节省成本。
新元电子携SiC MOSFET、固态铝电解电容器和混合型铝电解电容器等产品亮相慕尼黑上海电子展
日前为期三天的慕尼黑上海电子展electronica China 2024圆满结束！新元电子SiC SBD 、SiC MOSFET、SiC Module、固态铝电解电容器和混合型铝电解电容器等系列产品成为本次展会最大亮点，吸引了众多客户和行业专家的目光，加强了与海内外客户的交流与合作。
采用嵌入式SiC SBD的B2M030120N SiC MOSFET
描述- 该资料详细介绍了B2M030120N型碳化硅MOSFET的特性，包括其电气特性、热特性、封装参数、开关特性等。该产品具有高阻断电压、低导通电阻、内置碳化硅二极管等特性，适用于开关电源、逆变器、电机驱动器、高压DC/DC转换器等领域。
型号- B2M030120N
IV1Q12080T4–1200V 80mΩSiC MOSFET
描述- 本资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12080T4型号的1200V 80mΩ SiC MOSFET。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换能力、耐高温特性以及快速且坚固的本征体二极管等特点。适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。
型号- IV1Q12080T4
【产品】开关频率超100KHz的SiC三相逆变器模块
flow3xPHASE 0 SiC采用3x BUCK/BOOST拓扑结构，更高的效率和更低的发热量。
FMG50AQ120N6 50A 1200V SiC MOSFET TO-247-4L封装（隔离式）
描述- 本资料介绍了SiC MOSFET（TO-247-4L）产品，包括其用途、特点、电气特性和应用领域。产品适用于工业变频器、UPS、电动车充电器等多种开关电源应用，具有低导通电阻、快速开关速度和低损耗等特点。
型号- FMG50AQ120N6
昕感科技携SiC器件、功率模块以及电源解决方案精彩亮相九峰山化合物半导体产业博览会
2024年4月9日，九峰山化合物半导体产业在武汉光谷科技会展中心如火如荼的举行，昕感科技作为大功率器件及模组解决方案IDM厂商，此次携带SiC器件、功率模块以及电源解决方案亮相此次展会。
NC2M120C20HT Novusic®️1200V 20mΩSiC MOSFET规格书
描述- 本资料为NovuSiC®️1200V 20mΩ SiC MOSFET（型号：NC2M120C20HT）的数据手册。该器件具有高阻断电压和低导通电阻，适用于光伏逆变器、充电桩、储能系统和工业电源等领域。
型号- NC2M120C20HT
IV1Q12050T4–1200V 50mΩSiC MOSFET
描述- 本资料介绍了InventChip公司的IV1Q12050T4型号1200V 50mΩ SiC MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性、耐高温能力等特点，适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。
型号- IV1Q12050T4
IV1Q12750O3–1200V 750mΩSiC MOSFET
描述- 本资料介绍了InventChip公司的SiC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）产品IV1Q12750O3。该产品具有高阻断电压、高速切换、低电容和高结温操作能力等特点，适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。
型号- IV1Q12750O3
昕感科技与世强硬创签署合作协议，可提供样品申请、小量快购、在线交易等服务
昕感科技与世强硬创签署合作协议，昕感科技授权世强硬创代理旗下SiC MOSFET、SiC SBD及模块等产品。目前，昕感科技产品上线世强硬创电子采购平台，可提供样品申请、小量快购、在线交易等服务。产品涵盖SiC MOSFET和SiC SBD等，具有650V、1200V、1700V等不同电压等级。
HDW40S120B碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）
描述- 本资料介绍了硅碳化物肖特基二极管（SiC SBD）HDW40S120B的产品特性、应用领域和典型性能参数。该产品采用先进的半导体材料——碳化硅，具有温度独立开关行为、低正向电压、优异的热性能等特点。适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、功率因数校正（PFC）、开关模式电源（SMPS）和车载充电器（OBC）等领域。
型号- HDW40S120B
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