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C2M1000170D SIC MOSFET缺货，Littelfuse的LSIC1MO170E1000可低成本替代
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【选型】1200V 75mΩ SiC MOSFET C3M0075120K 高频应用需求首选，损耗降低3倍
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1700V SiC MOSFET在大功率能源及工业领域的应用
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昕感科技碳化硅场效应晶体管选型表
昕感科技提供以下碳化硅场效应晶体管（SiC field effect transistor/SiC FET）的参数选型：BVᴅs(V)：650V to 1700V，RDᴅs(on)(mΩ)：21V to 1000V。
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产品型号
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品类
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BVᴅs(V)
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RDᴅs(on)(mΩ)
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Vɢs(th)(V)(Typ.)
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Continuous Drain Current(A)(max)
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Iᴅss(μA)(Typ.)
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Vsᴅ(V)(Typ.)
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Tᴊ(max)(℃)
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封装
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N1M065030PD2
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碳化硅场效应晶体管
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650
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30
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2.6
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70
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1
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4.2
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175
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TO-247-3
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选型表 - 昕感科技 立即选型
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