罗姆参展PCIM Europe 2024：展示高效的EcoGaN™ 和SiC电源解决方案

时间： 2024-06-14 来源：ROHM官网

技术问答

在2024年于德国纽伦堡举行的欧洲电力电子展（以下简称PCIM Europe）这场业界年度盛会期间（2024年6月11日至13日），罗姆展示了功率半导体新解决方案，尤其是宽带隙器件。罗姆丰富的SiC、Si和GaN系列产品组合旨在满足各个应用领域的需求，尤其是电动汽车领域和电源应用领域。遵循“赋能增长，推动创新”的理念，罗姆始终持续用技术促进可持续发展，解决社会和生态所面临的各种问题。

（展位号：9号馆304）

罗姆在9号馆304展位上展示的产品和产品亮点如下：

SiC（碳化硅）：
作为SiC行业佼佼者，罗姆在PCIM Europe 2024上首次推出其适用于汽车应用的新型SiC功率模块。除此之外，罗姆还展示生产工艺向8英寸SiC晶圆工艺的转换，并探讨有关SiC产品的未来发展方向。罗姆的第4代SiC MOSFET实现了业界超低的导通电阻，能够更大程度地降低开关损耗，并支持15V和18V栅源电压。

GaN（氮化镓）：
罗姆会通过多个评估套件展示EcoGaN™系列150V和650V级的GaN HEMT。Power Stage IC BM3G0xxMUV-LB（包含内置650V GaN HEMT和栅极驱动器）能够实现集成度更高、体积更小的PFC和QR（准谐振）反激转换器。这些器件能为各种需要高功率密度和效率的电子系统提供更佳解决方案。罗姆还展示10多种EcoGaN™系列产品的相关电路板以及它们在工业解决方案中的贡献。

展会期间，罗姆的电源专家参加多个小组讨论，并会发表多次会议演讲。此外，他们还在此次展会上展示相关海报。

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型号- YQ10RSM10SD,BD52W04G-C,PSR SERIES,BD900N1W,BD5310XG-CZSERIES,YQ12RSM10SD,YQ15RSM10SD,SCT4062KW7HR,BR25H020,BR24H64,BD900N1G-C,YQ20BM10SD,BD9XXN1 SERIES,BD933N1,SCT4045DRHR,PSR400,BD5310XG-CZ,BD933N1WG-C,YQ3LAM10D,BD52W01G-C,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,BR25H128,BR25H010,BR25H1M,BR25H256,BD53103G-CZ,RB520ASA-30FH,BD950N1WEFJ-C,RB551ASA-30FH,BD53106G-CZ,BD950N1WG-C,BM2LE160FJ-C,BV1LE080EFJ-C,YQ2LAM10B,SCT4045DEHR,BD54105G-CZ,BR24H01,BR25H320,BM2LE250FJ-C,BR24H02,RGW00TS65CHR,BR24H04,YQ2MM10A,BR25H040,RB751ASA-40FH,BV1LE250EFJ-C,BR25H160,BR24H08,SCT4026DW7HR,YQ40NL10CD,BD52W03G-C,RB520ASA-40FH,SCT4045DW7HR,BD48W00G-C,RGW80TS65CHR,CISPR25,BD7XXL05G-C SERIES,BD53108G-CZ,BD54103G-CZ,BD52W06G-C,RB521ASA-30FH,BR24H512,BR24H256,BD900N1EFJ-C,RB550ASA-30FH,BR24HXXX-5AC,BR25HXXX-5AC SERIES,BD7XXL05G-C,BR24H1M,SMLVN6RGBFU,BD54102G-CZ,BD950N1,BD48HW0G-C,REFLED003-EVK-001,REFLED003-EVK-002,SCT4036KEHR,REFLED003-EVK-003,YQ8RSM10SD,BD9XXN1,REFLED003-EVK-004,YQ5RSM10SD,BR24H128,YQ3MM10B,YQ3RSM10SD,RB886ASAFH,BD53104G-CZ,YQ30NL10CD,BD52W05G-C,YQ SERIES,PSR,BD900N1WEFJ-C,BM2LEXXXFJ-C,YQ30NL10SE,BD733L05G-C,SCT4062KWAHR,BD933N1WEFJ-C,YQ30NL10SD,BD54107G-CZ,BD950N1W,BD725L05G-C,BM2LE040FJ-C,BR24H16,BD933N1W,BD730L05G-C,BD750L05G-C,BD900N1,BD933N1G-C,PSR350,REFRPT001-EVK-001,BD52W02G-C,SCT4036KRHR,BR25HXXX-5AC,BR25H512,BD933N1EFJ-C,BD950N1EFJ-C,BM2LE080FJ-C,BR25H640,BD53105G-CZ,BR24HXXX-5AC SERIES,BR25H080,PSR100,BV1LEXXXEFJ-C SERIES,BD950N1G-C,PSR500,YQ2VWM10B,YQ20NL10CD,LMR1901YG-M,RGW60TS65CHR,BD5410XG-CZ,SCT4062KEHR,BV1LE040EFJ-C,YQ1VWM10A,BD54104G-CZ,YQ60NL10CD,BD900N1WG-C,BD9S402MUF-C,SCT4045DWAHR,YQ20NL10SE,BV1LE160EFJ-C,YQ20NL10SD,BM2LEXXXFJ-C SERIES,BD53107G-CZ,BR24H32,YQ5LAM10C,YQ5LAM10D,YQ5LAM10E,SCT4026DRHR,PSR330,SCT4026DWAHR,BV1LEXXXEFJ-C,BD5410XG-CZ SERIES

应用笔记或设计指南 - ROHM - Ver. 3.0 - 04.2024 PDF 英文下载

ROHM（罗姆）IC/功率元器件/分立式元器件/无源元器件/光学元器件/模块选型指南（中文）

目录- ComfySIL™品牌介绍 IC 功率元器件分立式元器件无源元器件光学元器件模块品名索引

型号- BD7673AG,SMLEN3BC8T,DTC014EM,ML7183 [J],BD3473KS2,KA2004-H05N20A,BM2LB300FJ-C,RCJ220N25,BU7295S,SML-S13UT,BU43XXG SERIES,DTC143TEB,KD3001-H0JN11,RSX101VYM30,BH25RB1WGUT,BD7602GUL,KD2004-G0FW00A,BD82001FVJ-LB,BD12IC0MEFJ-LB,BD60A00NUX,RB238NS150,RCX160N20,SML-D12Y8W,SMLA12BN8T,BR25H128,LA-301VL,RBE2VAM20A,LA-301VB,BD70GA5MEFJ-LB,SML-811UT (A),BM61M41RFV-C,SML-010VT,BD9C301FJ,BU1BTD2,DTA124XM,ECO 200,BD15GC0MEFJ-LB,BM2SC123FP2-LBZ,RS3L110AT,RB298T100,DTC143TCA,BD18HC0MEFJ-M,BD46EXX1G-M,RSS060P05,BD71L4LG-1,BR25H160,DTA124XE,BR25A512,BU27030NUC,BD30IC0W,RGPR20BM36HR,BD95821MUV,DTA123JKA,BD6995FV,BH76206HFV,KD2002-G0JB10A,SCT4036KW7HR,BD00GC0MEFJ-M,BD8158FVM,BR24HXXX-5AC系列,SML-S13VT,RD3P175SN,BU97941FV,HS8K11,BD53XXG-2M SERIES,RQ5L015SP,BH7673G,SML-Z14Y4T,BD52XXG-2C,BD47XXG SERIES,BD6046GUL,BU7291S,RGW60TS65HR,KDZLV SERIES,BUS1DJC0GWZ,BD18HC5MEFJ-M,SML-D12Y3W,BM2P0361K-Z,SML-P11YT 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选型指南 - ROHM - 2022版 - 06.2022 PDF 中文下载

1700V SiC MOSFET在大功率能源及工业领域的应用

1700V SiC MOSFET的低开关损耗可提高开关频率，且每个单元的总体尺寸大幅减小。同时，1700V的高阻断电压还可减少达到相同直流电压所需的单元数。在以上种种简化和优化后，终端应用的系统可靠性大大提升，而更少的有源开关和栅极驱动器也降低了整体成本。SMC桑德斯微电子根据客户的需求设计和生产半导体及相关产品。

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【应用】三相全桥1200V SiC MOSFET智能功率模块（IPM）助力电动汽车功率转换器设计

本文讨论了在电动汽车应用的功率转换器设计中选择CISSOID的1200V三相全桥SiC MOSFET智能功率模块（IPM）体系所带来的益处，尤其表现在该体系是一个可扩展的平台系列。该体系利用了低内耗技术，提供IPM这种已整合的解决方案。

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ROHM（罗姆） SiC（碳化硅）MOSFET选型指南（中文）

描述- SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流，可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。此外，SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料属性，并且有比导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上的硅（Si）器件更优异的封装微型化和节能的优点。

型号- SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KRHR,SCT3060ARHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3105KRHR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KWAHR,SCT4062KE,SCT3080ARHR,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT3120ALHR,SCT2280KE,SCT4062KWA,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT4045DWA,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT3030ARHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4026DWA,SCT3160KLHR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT4045DWAHR,SCT3105KL,SCT3160KW7HR,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR,SCT3080KRHR,SCT4026DWAHR

选型指南 - ROHM - 2024/2/27 PDF 中文下载

【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD，助力高压光伏逆变器系统

为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要，瞻芯电子开发2000V碳化硅（SiC）MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证，并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试，进入整机验证阶段。

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ROHM（罗姆）SiC（碳化硅）MOSFET选型指南（英文）

目录- SiC MOSFETs

型号- SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KE,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT2280KE,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4036KW7HR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT3105KL,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR

选型指南 - ROHM - Edition 2022 - 2022/8/3 PDF 英文下载查看更多版本

ROHM Starts Production of 150V GaN HEMTs GNE10xxTB Series: Featuring Breakthrough 8V Withstand Gate Voltage

ROHM 150V GaN HEMTs, GNE10xxTB series increase the gate withstand voltage to an industry-leading 8V – ideally to be applied in power supply circuits for industrial equipment such as base stations along with IoT communication devices.

新产品发布时间 : 2022-03-23

ROHM提供支持电力电子仿真工具PSIM™的第4代SiC MOSFET仿真模型

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开始提供支持电力电子仿真工具PSIM™的第4代SiC MOSFET仿真模型。该模型可在Altair® US公司开发的电力电子和电机控制用的电路仿真工具PSIM™中使用。设计人员可从ROHM官网下载模型文件，轻松进行系统级评估。这一进展使得在更广泛的产业领域中进行高效设计和评估成为可能，并能进一步推动功率元器件的使用。

产品发布时间 : 2024-09-15