SiC MOSFET：通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法

时间： 2024-07-12 来源：ROHM（罗姆）微信公众号

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本文的关键要点

・可以在线性近似有效范围内对所测得的波形进行分割，并使用示例公式进行损耗的近似计算。

・MOSFET开关工作时的总功率损耗是开关损耗和导通损耗之和。

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本文将介绍根据在上一篇文章中测得的开关波形，使用线性近似法来计算功率损耗的方法。

开关波形的测量方法

通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法

根据测得波形计算功率损耗示例

各种波形的开关损耗计算示例

各种波形的导通损耗计算示例

SiC MOSFET

通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法

通过在线性近似有效范围内对所测得的波形进行分割，可以计算出功率损耗。

导通和关断区间的开关损耗

首先，计算开通和关断时间内消耗的功率损耗P_ton和P_toff。波形使用图1中的示例波形。功率损耗使用表1中的近似公式来计算。由于计算公式会因波形的形状而有所不同，因此请选择接近测得波形的近似公式。

在图1的波形示例中，开通时的波形被分割为两部分，前半部分（t_on1）使用表1中的例2。另外，使用公式I_D1≔0作为条件。后半部分（t_on2）使用例3中的公式V_DS2≔0。

在图1中，会因MOSFET的导通电阻和I_D而产生电压V_DS2(on)，但如果该电压远低于V_DS的High电压，就可以视其为零。

综上所述，可以使用下面的公式（1）来近似计算开通时的功率损耗。

同样，将关断时的波形也分为两部分，前半部分（t_off1）使用表1的例1中的公式V_DS1≔0，后半部分使用（t_off2）例8中的公式I_D2≔0。在图1中，由于前述的原因，会产生电压V_DS1(off)，但如果该电压远低于V_DS的High电压，则将其按“零”处理。这样，就可以使用下面的公式（2）来近似计算关断时的功率损耗。

导通期间的功率损耗

接下来，我们来计算导通期间消耗的功率损耗。图2是用来计算导通损耗的波形示例。由于在T_ON区间MOSFET是导通的，因此V_DS是MOSFET导通电阻和I_D的乘积。有关导通电阻的值，请参阅技术规格书。需要从表2中选择接近该波形形状的例子并使用其近似公式来计算功率损耗。

在本示例中，我们使用表2中的例1。MOSFET导通期间的导通损耗可以用下面的公式（3）来计算。

MOSFET关断时的功率损耗在图2中位于TOFF区间，由于MOSFET关断时的I_D足够小，因此将功率损耗视为零。

总损耗

如公式（4）所示，MOSFET开关工作时的总功率损耗为此前计算出的开关损耗和导通损耗之和。

需要注意的是，表1和表2中的每个例子都有“参见附录”的注释，在附录中有每个例子的详细计算示例。各计算示例将会在后续的“各种波形的开关损耗计算示例”和“各种波形的导通损耗计算示例”中出现。

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