瑶芯碳化硅功率MOSFET AKCK2M016WAMH,为充电桩模块提供高电压、低阻值的单管方案

2024-06-18 瑶芯微电子公众号
功率MOSFET,碳化硅功率MOSFET,Silicon Carbide Power MOSFET,MOSFET 功率MOSFET,碳化硅功率MOSFET,Silicon Carbide Power MOSFET,MOSFET 功率MOSFET,碳化硅功率MOSFET,Silicon Carbide Power MOSFET,MOSFET 功率MOSFET,碳化硅功率MOSFET,Silicon Carbide Power MOSFET,MOSFET

截止至2023年底,我国充电基础设施累计数量已超过800万台,同期新能源汽车和充电桩的比例约为2.3:1。这距离工信部之前提出的“2025年实现车桩比2:1,2030年实现车桩比1:1”,还存在一定差距,我国的充电桩市场还有很大的发展潜力。


高效、可靠的充电桩组成模块是需要考虑的核心问题之一。这对功率半导体组件,特别是高效能的功率MOSFET,提出了更高的要求。功率MOSFET在电能转换效率、系统可靠性和成本控制方面扮演着核心角色。瑶芯的碳化硅功率MOSFET AKCK2M016WAMH正是面向未来的一种先进解决方案,其高电压和低阻值特性使其成为大功率充电桩模块设计中的理想选择。

图1 大型直流充电站


随着电动车市场的扩张,高功率充电桩的设计对MOSFET提出了更高的能效和稳定性要求。MOSFET需要在高电压和高电流环境下提供高效的电能转换,同时最小化能源损耗和热量产生,确保系统的运行效率。此外,良好的热稳定性是硬性指标,因为充电桩必须在长时间工作的高温条件下保持性能不衰退,避免因热量积聚而导致的性能不稳定甚至损坏。最后,电气性能的可靠性也同样重要,MOSFET在充电桩中必须展现出低导通电阻和快速开关能力,以保证在频繁的充放电过程中充电桩的高效和响应速度,确保用户体验和设备的长期稳定运行。


瑶芯的AKCK2M016WAMH Silicon Carbide Power MOSFET是专为满足60kW以上的大功率电源和逆变应用设计的,尤其适用于充电桩模块。这款MOSFET漏源之间最大耐压值可达1200V、16mΩ的导通电阻(RDSON, TYP@VGS=18V),提供了一种高电压、低阻值的单管解决方案。它的设计不仅可以降低整体的设计成本,还提供了灵活性,以适应不同的系统设计要求。

图2 不同栅压下的导通电阻与温度关系


该MOSEFT标准工况下持续工作电流为125A,冲击电流为200A,具有优秀的电流承载能力。其最大功率耗散为600W,在各种工况下均能展现出卓越的能效。这些特性确保了在高功率应用中的高效率和低能耗。它还有着出色的热特性,如0.25°C/W的结到壳热阻,这保证了它在高温环境下的稳定运行和长期可靠性。


此外,该MOSEFT的温度工作范围为-55℃至+175℃,它可以在严苛气候条件下稳定工作,对经常被安装在室外或恶劣环境中的充电桩来说非常关键。这些优秀的性能使得AKCK2M016WAMH成为充电桩模块应用中的理想选择。

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
  • +1 赞 0
  • 收藏
  • 评论 0

本文由犀牛先生转载自瑶芯微电子公众号,原文标题为:充电桩模块选用瑶芯碳化硅功率MOSFET AKCK2M016WAMH,提供高电压、低阻值的单管方案,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。

评论

   |   

提交评论

全部评论(0

暂无评论

相关推荐

拆解案例分享 |真茂佳ZMA230P06D汽车级功率MOSFET在比亚迪仰望U8大灯中的应用

在车灯研究院最新一期的拆解推文中,作者对比亚迪豪华车仰望 U8 进行车灯拆解,发现这款车型的交互灯PCBA使用了真茂佳的 ZMA230P06D芯片。真茂佳ZMA230P06D采用先进的Trench工艺,具有简化驱动电路,导通阻抗低,浪涌能力强等特点,在车灯应用里边主要用于高边开关和防反。因此在汽车车灯行业中有着广泛的应用案例。

应用方案    发布时间 : 2024-08-12

蓉矽1200V 40/75mΩ碳化硅MOSFET用于直流充电桩,减少50%器件用量,助力800V高压快充充电桩行业发展

基于蓉矽半导体第二代1200V 40/75mΩ SiC MOSFET的两电平方案结构简单、控制方便,可简化系统拓扑,减少50%的器件用量,助力800V高压快充充电桩行业的发展。蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200V,最大可持续电流达75A。

应用方案    发布时间 : 2024-07-17

时科Q-SSC20120-T碳化硅肖特基二极管全应用解析:光伏逆变器、开关电源和新能源汽车充电桩

碳化硅肖特基二极管(SiC Schottky Diode)在现代电子设备中扮演着重要角色,尤其在高功率、高频和高温应用中表现尤为突出。本文中小编将带你探讨时科Q-SSC20120-T碳化硅肖特基二极管在实际中的典型应用,包括光伏逆变器、开关电源和新能源汽车充电桩。

应用方案    发布时间 : 2024-07-23

瑶芯推出最新新能源车、光储、充电桩及各类电源的功率器件解决方案

作为国内领先的功率器件和数模混合信号链IC产品供应商,瑶芯推出最新新能源车、光储、充电桩及各类电源的功率器件解决方案,覆盖低压SGT MOS、高压SJ MOS、IGBT和SiC MOSFET系列。

产品    发布时间 : 2024-08-06

HI-SEMICON(深鸿盛)MOSFET/SiC肖特基二极管/SiC MOSFET选型指南

目录- 公司简介    MOSFET Product Introduction    VDMOS    超结MOSFET    中低压MOSFET    碳化硅肖特基二极管    碳化硅MOS    MOSFET/SiC肖特基二极管封装   

型号- SCF60R190C,SFD3006T,SFD6003T,SGP104R5T,SFS0406T4,SFM6005DT,SFD7N70,SFW90N25,SFQ0320T4,SFD18N20,SFM4009T,SFE6001T2,SFM6004T5,SFK2N50,SFF60N06,SFN4006T5,SFM0420T4,SFP10003PT,SFF18N20,SCF65R190TF,SFD2N50,SFM4004PT,SFS6003PT,SFP33N10,SFS4010T,SGS6001T4,SGP6008T,SFS3401,SFQ0318T4,SC3D40120D,SFS3400,SFK1N65,SCD65R960C,SFS4010T2,SFF5N80,SFS0407T4,SFS3407,SFD6005T,SFD10003PT,SFD7N50,SFM6005ST,SFF18N50,SFP40P10,SGS15HR430T,SFA10015T,SFP50N06,SCF65R640C,SFD3003T,SFQ0322T4,SFF12N65,SFD6006T,SGD105R5T,SFP11P20,SFD6N70,SFS6007T,SGM10HR14T,SCF65R380C6,SFS3400.A,SFS3001T2,SCD70R600C,SFQ0420T4,SCF60R580C,SGXXXXXPT,SGM062R3T,SFS4525T,SFD3004T5,SFS3401A,SGM066R5T,SFN3009T,SGM031R7T,SFB11N90,SCD70R900C,SFU3006T,SFP9N20,SFA110P06,SFR0305T2,SFF50N06,SFD6007T,SCD80R500S,SC3D08065G,SCF65R380C,SFD4006T,SC3D08065I,SFN0315T4,SFN3003PT,SFA6005T,SFS4008T2,SFS2300,SGP157R5T,SFS2301,SFM10015T,SFH8402DW,SC3D04065E,SCU70R900C,SCF60R280C,SFS2304,SFS2303,SFF13N50,SFS2305,SC3D04065I,SFF7N50,SCF65R540T,SFD50N06,SFP20007,SFU18N20,SGP104R0T,SCD65R1K2C,SFN0330T2,SFD6008T,SGM107R7T,SC3D04065A,SFM4010T,SFF20N50,SC3D20065D,SFP40N20,SFS0307T4,SFD3012T,SFF7N65,SCD60R580C,SFU5N20,SC3D10065A,SGM105R0T,SCF65R310C,SCF60R360C6,SFS0405T4,SC3D10065G,SC3D10065I,SFP6P10,SFM4005DT,SC3K080120,SCK65R1K15C,SFW50N25,SFU4N65,SFN0413T4,SFD5N65,SFP30P10,SFM10003PT,SC3D08065A,SFP18P10,SFD4N90,SFF7N70,SCF60R125C,SFXXXXXPTX,SFD4006PT,SFD4003T,SCF70R600C,SFF6005T,SFS0306T4,SCF80R950C,SGA104R0T,SFD3010T,SFE3007T,SFD5N50,SFP3006T,SFP3018T,SFP18N20,SGP103R0T,SCW65R075CF,SCF65R170C,SFS6012T2,SGD6008T,SGM041R8T,SFD4001PT4,SFD4001PT5,SFF8N65,SFN3006PT,SC3K040120,SGM6008T,SFD4N70,SCW60R030CF,SFB50N25,SCW65R041CF,SFP6005T,SFS2013PT,SCF70R420C,SCW65R090C,SGM031R1T,SCD70R420C,SC3K075120,SFD33N10,SCW65R099TF,SFP5P03,SCF60R160C,SFR0206T2,SFD4N65,SC3D15120H,SFS2N7002,SFF33N10,SCF70R360C6,SFD2008T,SFN3003T,SFS2302B,SGM109R5T,SFM6008T,SFD3006PT,SFD6003PT,SGA104R5T,SFF20N65,SFK4N65,SFB90N25,SFD5N20,SFR0205PT2,SGM030R7T,SFF8N80,SC3D30065D,SFN3002T,SFU9N20,SFD7N65E,SFD9N65,SFD4004PT,SFF20N70,SGM042R4T,SFP6007T,SFS3401B,SFS4435,SFU6003T,SGU6008T,SFM0430T2,SFF10N70,SCF60R360C,SFD2006T,SC3D06065E,SC3D06065G,SFP75P55,SC3D10120H,SFF3N80,SC3D06065A,SCD70R600C6,SCD65R380C,SFD14N25,SC3K015120,SFSAP4580,SFS6010T2,SCD65R540T,SGP105R5T,SFF4N65,SFF10N65,SC3D30120H,SFM0320T4,SC3D30120D,SC3D16065A,SC3D16065D,SC3D16065G,SFP27P20,SC3K050120,SFU6005T,SFW10P04,SFD3N50,SFF4N70,SFM10008T,SFF9N90,SCXXXXXXXXFX,SFD2003T,SFN0318T2,SFD3009T,SFM3011T,SFD6005PT,SC3K032120,SFP110N55,SFF16N65,SC3D12065A,SFF10N80,SFF5N50,SC3D12065G,SGD10HR20T,SC3D12065I,SC3D20120H,SFP59N10,SFN6004T5,SXXXXXXX,SFD9N20,SCF65R240C,SC3D06065I,SCD65R640C,SFS2012PT,SGA105R5T,SFN0250T2,SFM3012T,SC3D20120D,SGM041R3T

选型指南  -  HI-SEMICON  - 2022/11/18 PDF 中文 下载

瑶芯SiC MOSFET荣获第十九届“中国芯”优秀技术创新产品奖

2024年11月7日,国内集成电路行业最受瞩目的年度评选—“中国芯”优秀产品征集结果在珠海正式揭晓,瑶芯微SiC MOSFET/AK1CK2M040WAM以技术创新性和优异的产品性能表现,在众多参评产品中脱颖而出,荣获2024年第十九届“中国芯”优秀技术创新产品奖。

原厂动态    发布时间 : 2024-11-15

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播,带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术,点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率,电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓(GaN)功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微(ALKAIDSEMI)  |  中国半导体功率器件十强企业:扬杰科技(YANGJIE)  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体(Archimedes)  |  中国领先的碳化硅(SiC)半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子(InventChip)  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子(CRM ICBG )  |  Kyocera(京瓷)——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen(新电元)——“桥王”,整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能(NCEPOWER)  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动(HVIC)制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics)  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯(SOCAY)  | 

活动    发布时间 : 2024-10-12

数据手册  -  瑶芯微  - Rev.1.1  - 2024/9/6 PDF 英文 下载

【方案】20kW~60kW充电桩优选器件方案

描述- 本方案针对20kW~60kW 充电桩的高性能需求,在PFC 整流电路和DC-DC 变换电路均采用了Vincotech高性能ANPFC 模块以及H 桥逆变模块,实现了管脚与风道之间的相互独立。同时,采用Laird 高性能导热材料和Standex 带散热底座的平面变压器和电感,提高充电桩功率等级的同时增强了整机的防护性和可靠性。

型号- 2SK2225-80-E,TFLEX HD300,CMS-R010-1.0,U9507C,TPCM 780,10-FZ074PA0XXSM-LXXXF08,SPFJ160,PS9402,BVE-A-R002-1.0,MLX91208,10-FZ07ANAXXSM-LE2XL08,PS9031,LSIC2SD120E30CC,SI8235BD-D-IS,SI8233BD-D-IS,10-FZ071SA050SM02-L524L18,KSU60D60N,92ML,10-FZ07ANA75SM-LE28L08,10-FZ07ANA150SM-LE20L08,0505030.MX52LEP,RC12-6-01LS,10-FY074PA100SM-L583F08,10-FZ071SA100SM02-L526L18,SMBJ18CA,ADP32F12A,PS9531L3,10-FZ071SA075SM02-L525L18,RBN75H65T1GPQ-A0,C4D30120D,KSF60F60B,SID1152K,SI8621BD-B-IS,10-FZ07ANA100SM-LE29L08,10-FZ074PA050SM-L624F08,10-FZ074PA075SM-L625F08,SGM2019

优选器件方案  -  ISABELLENHUETTE,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,ADVANCECHIP,RENESAS,VINCOTECH,II-VI MARLOW,WOLFSPEED,LONGSUNG,KYOCERA,PI,ROGERS,MELEXIS,SGMICRO  - V1.1 PDF 中文 下载

技术分享 | 功率MOSFET雪崩特性

MOSFET的雪崩主要涉及在特定条件下(如高电压或大电流)‌,‌其内部通过碰撞电离产生更多的电子-空穴对,导致电流急剧增加,对器件的性能造成影响。‌雪崩特性是MOSFET在设计和应用中需要考虑的重要参数,‌因为它直接关系到器件的安全运行和可靠性。‌本文中瑶芯微来为大家介绍功率MOSFET雪崩特性,希望对各位工程师朋友有所帮助。

技术探讨    发布时间 : 2024-09-04

【元件】新动向 | 爱仕特内绝缘型SiC MOSFET,内置陶瓷片优化绝缘和导热性能,为高效能应用提供新选项

爱仕特始终秉承创新理念,近期推出了1200V和1700V两款内绝缘型TO-247-4封装的SiC MOSFET。这些创新产品在保持标准封装尺寸,通过内置陶瓷片优化了绝缘和导热性能,背面散热器做了悬浮电位设计,减少了外部绝缘材料依赖,降低了材料老化导致的长期运行故障风险,增强了产品可靠性和耐用性。

产品    发布时间 : 2024-09-29

华润微电子SJ MOS和SiC二极管器件满足充电桩高效率和高功率密度的性能要求

华润微电子针对充电桩、大功率电源等应用开发的的第四代、第五代SJ MOS,采用先进的多层外延技术,优化了元胞结构,具有电流能力强,短路能力好的特点。另外,新材料SiC二极管器件,具有导通损耗小,开关损耗小,抗雷击浪涌能力强的特性,在应用上更能满足充电桩高效率和高功率密度的性能要求。

器件选型    发布时间 : 2024-07-06

鲁晶携多款功率器件产品出席第十四届亚洲电源技术发展论坛,为新能源、光伏、充电桩等领域应用提供服务

鲁晶半导体携旗下Si SBD/FRD/SCR、Si MOS/IGBT、SiC Diodes、SiC MOSFET等功率器件产品出席第十四届亚洲电源技术发展论坛,产品广泛应用于各类智能家电、电动工具、新能源、充电桩、光伏、电源、工控等领域。

原厂动态    发布时间 : 2024-01-09

亚成微电子(Reactor Microelectronics)功率MOSFET选型指南

描述- 亚成微专注于高速率功率集成技术设计领域。主要产品包括功率MOSFET、AC/DC电源管理芯片、LED驱动芯片以及包络追踪射频功率放大器(ET-PA)等。产品可被广泛应用于5G通讯、消费电子以及LED照明等多领域中。亚成微拥有由多名博士带领的国际领先技术的设计团队,公司自主研发的产品已获得国家专利62项、国际专利3项,另有67余项专利正在受理中,其中包含9项国际专利。

型号- RMA65R1K0SN,RMA65R380SN,RMG65R600BN,RC10R600H,RMC65R280SN,RMA65R950SN,RMA65R600BN,RMC65R1K0SN,RMG65R380SN,RMG65R650BN,RMXXXRXXX,RMC65R950SN,RMA65R650BN,RMA65R280SN,RMG65R1K0SN,RMC65R650BN,RMG65R280SN,RMC65R380SN

选型指南  -  亚成微电子  - 版本号:V1.1  - 2021/5/25 PDF 中文 下载

展开更多

电子商城

查看更多

品牌:瑶芯微

品类:N-channel SGT MOSFET

价格:¥1.3000

现货: 5,000

品牌:瑶芯微

品类:N-channel SGT MOSFET

价格:¥2.6000

现货: 5,000

品牌:瑶芯微

品类:Power MOSFET

价格:¥2.8500

现货: 5,000

品牌:瑶芯微

品类:N-channel SGT MOSFET

价格:¥1.9500

现货: 5,000

品牌:瑶芯微

品类:N-channel SGT MOSFET

价格:¥0.9100

现货: 5,000

品牌:瑶芯微

品类:N-channel SGT MOSFET

价格:

现货: 5,000

品牌:瑶芯微

品类:N-channel SGT MOSFET

价格:¥2.9900

现货: 4,990

品牌:瑶芯微

品类:N-channel SGT MOSFET

价格:¥3.7700

现货: 4,990

品牌:瑶芯微

品类:N-channel SGT MOSFET

价格:¥1.8200

现货: 4,940

品牌:瑶芯微

品类:N-channel SGT MOSFET

价格:¥0.9750

现货: 4,920

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

现货市场

查看更多

品牌:扬杰科技

品类:Mosfet

价格:¥1.0500

现货:500,000

品牌:捷捷微电

品类:MOSFET

价格:¥0.7000

现货:500,000

品牌:MCC

品类:MOSFET

价格:¥0.1627

现货:305,993

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥0.2360

现货:263,268

品牌:TOSHIBA

品类:MOSFET

价格:¥0.2034

现货:251,269

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥0.4460

现货:222,500

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥1.3640

现货:196,984

品牌:MCC

品类:MOSFET管

价格:¥0.3248

现货:168,278

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥0.2140

现货:155,504

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥0.1700

现货:121,731

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

服务

查看更多

功率MOSFET管检测:动静态参数/热特性/高低温性能/可靠性等参数测试

可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。

实验室地址: 西安 提交需求>

笔电热管/高功率热管/平头热管定制

可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm;笔电D8热管打扁厚度1.0mm,可解40W热量;高功率D10热管可解60W热量。

最小起订量: 10000 提交需求>

查看更多

授权代理品牌:接插件及结构件

查看更多

授权代理品牌:部件、组件及配件

查看更多

授权代理品牌:电源及模块

查看更多

授权代理品牌:电子材料

查看更多

授权代理品牌:仪器仪表及测试配组件

查看更多

授权代理品牌:电工工具及材料

查看更多

授权代理品牌:机械电子元件

查看更多

授权代理品牌:加工与定制

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
我要提问

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

研发客服
商务客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面