瑶芯碳化硅功率MOSFET AKCK2M016WAMH，为充电桩模块提供高电压、低阻值的单管方案
截止至2023年底，我国充电基础设施累计数量已超过800万台，同期新能源汽车和充电桩的比例约为2.3：1。这距离工信部之前提出的“2025年实现车桩比2：1，2030年实现车桩比1：1”，还存在一定差距，我国的充电桩市场还有很大的发展潜力。
高效、可靠的充电桩组成模块是需要考虑的核心问题之一。这对功率半导体组件，特别是高效能的功率MOSFET，提出了更高的要求。功率MOSFET在电能转换效率、系统可靠性和成本控制方面扮演着核心角色。瑶芯的碳化硅功率MOSFET AKCK2M016WAMH正是面向未来的一种先进解决方案，其高电压和低阻值特性使其成为大功率充电桩模块设计中的理想选择。
图1 大型直流充电站
随着电动车市场的扩张，高功率充电桩的设计对MOSFET提出了更高的能效和稳定性要求。MOSFET需要在高电压和高电流环境下提供高效的电能转换，同时最小化能源损耗和热量产生，确保系统的运行效率。此外，良好的热稳定性是硬性指标，因为充电桩必须在长时间工作的高温条件下保持性能不衰退，避免因热量积聚而导致的性能不稳定甚至损坏。最后，电气性能的可靠性也同样重要，MOSFET在充电桩中必须展现出低导通电阻和快速开关能力，以保证在频繁的充放电过程中充电桩的高效和响应速度，确保用户体验和设备的长期稳定运行。
瑶芯的AKCK2M016WAMH Silicon Carbide Power MOSFET是专为满足60kW以上的大功率电源和逆变应用设计的，尤其适用于充电桩模块。这款MOSFET漏源之间最大耐压值可达1200V、16mΩ的导通电阻（RDSON, TYP@VGS=18V），提供了一种高电压、低阻值的单管解决方案。它的设计不仅可以降低整体的设计成本，还提供了灵活性，以适应不同的系统设计要求。
图2 不同栅压下的导通电阻与温度关系
该MOSEFT标准工况下持续工作电流为125A，冲击电流为200A，具有优秀的电流承载能力。其最大功率耗散为600W，在各种工况下均能展现出卓越的能效。这些特性确保了在高功率应用中的高效率和低能耗。它还有着出色的热特性，如0.25°C/W的结到壳热阻，这保证了它在高温环境下的稳定运行和长期可靠性。
此外，该MOSEFT的温度工作范围为-55℃至+175℃，它可以在严苛气候条件下稳定工作，对经常被安装在室外或恶劣环境中的充电桩来说非常关键。这些优秀的性能使得AKCK2M016WAMH成为充电桩模块应用中的理想选择。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由犀牛先生转载自瑶芯微电子公众号，原文标题为:充电桩模块选用瑶芯碳化硅功率MOSFET AKCK2M016WAMH，提供高电压、低阻值的单管方案，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
蓉矽1200V 40/75mΩ碳化硅MOSFET用于直流充电桩，减少50%器件用量，助力800V高压快充充电桩行业发展
基于蓉矽半导体第二代1200V 40/75mΩ SiC MOSFET的两电平方案结构简单、控制方便，可简化系统拓扑，减少50%的器件用量，助力800V高压快充充电桩行业的发展。蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200V，最大可持续电流达75A。
【应用】国产超结功率MOSFET AKS65N410WMF助力20KW充电模块全桥LLC设计，RDson最大41mΩ
由于全球疫情以及其他因素导致功率器件交期和价格不是很理想，国产化的需求越来越多，本文重点介绍国产瑶芯微超结MOSFETAKS65N410WMF助力20KW充电模块全桥LLC设计，最高效率可达96.5%。
配备DIF120SIC053的直流快速充电站，是电动汽车在最短时间内实现最大续航里程的理想解决方案
德欧泰克的 SiC MOSFET DIF120SIC053功率MOSFET脱颖而出，使这一切成为可能。该MOSFET具1200V VDS和52A连续ID， TO-247-4L封装，并配备开尔文源触点，便于散热器安装，RDS(ON) ＜53mΩ。设计用于高速供电和传输系统，如电动汽车充电桩和DC/DC转换器。
瑶芯推出最新新能源车、光储、充电桩及各类电源的功率器件解决方案
作为国内领先的功率器件和数模混合信号链IC产品供应商，瑶芯推出最新新能源车、光储、充电桩及各类电源的功率器件解决方案，覆盖低压SGT MOS、高压SJ MOS、IGBT和SiC MOSFET系列。
【元件】扬杰科技新推出用于光伏逆变、充电桩、电源等的SiC MOSFET，采用开尔文接触，工作温度175℃
扬杰科技近日推出了一系列TO-263-7L、TOLL、T2PAK产品，产品均采用开尔文接触，明显减少了开关时间，降低了开关损耗，支持更高频率的应用与动态响应；同时相比插脚器件降低了电路板空间，增加了电路板的集成化，非常适合应用于高功率密度和高效率电力电子变换系统。
技术分享 | 功率MOSFET雪崩特性
MOSFET的雪崩主要涉及在特定条件下（如高电压或大电流），其内部通过碰撞电离产生更多的电子-空穴对，导致电流急剧增加，对器件的性能造成影响。雪崩特性是MOSFET在设计和应用中需要考虑的重要参数，因为它直接关系到器件的安全运行和可靠性。本文中瑶芯微来为大家介绍功率MOSFET雪崩特性，希望对各位工程师朋友有所帮助。
华润微电子SJ MOS和SiC二极管器件满足充电桩高效率和高功率密度的性能要求
华润微电子针对充电桩、大功率电源等应用开发的的第四代、第五代SJ MOS，采用先进的多层外延技术，优化了元胞结构，具有电流能力强，短路能力好的特点。另外，新材料SiC二极管器件，具有导通损耗小，开关损耗小，抗雷击浪涌能力强的特性，在应用上更能满足充电桩高效率和高功率密度的性能要求。
瑶芯SiC MOSFET荣获第十九届“中国芯”优秀技术创新产品奖
2024年11月7日，国内集成电路行业最受瞩目的年度评选—“中国芯”优秀产品征集结果在珠海正式揭晓，瑶芯微SiC MOSFET/AK1CK2M040WAM以技术创新性和优异的产品性能表现，在众多参评产品中脱颖而出，荣获2024年第十九届“中国芯”优秀技术创新产品奖。
【方案】20kW~60kW充电桩优选器件方案
描述- 本方案针对20kW~60kW 充电桩的高性能需求，在PFC 整流电路和DC-DC 变换电路均采用了Vincotech高性能ANPFC 模块以及H 桥逆变模块，实现了管脚与风道之间的相互独立。同时，采用Laird 高性能导热材料和Standex 带散热底座的平面变压器和电感，提高充电桩功率等级的同时增强了整机的防护性和可靠性。
型号- 2SK2225-80-E,TFLEX HD300,CMS-R010-1.0,U9507C,TPCM 780,10-FZ074PA0XXSM-LXXXF08,SPFJ160,PS9402,BVE-A-R002-1.0,MLX91208,10-FZ07ANAXXSM-LE2XL08,PS9031,LSIC2SD120E30CC,SI8235BD-D-IS,SI8233BD-D-IS,10-FZ071SA050SM02-L524L18,KSU60D60N,92ML,10-FZ07ANA75SM-LE28L08,10-FZ07ANA150SM-LE20L08,0505030.MX52LEP,RC12-6-01LS,10-FY074PA100SM-L583F08,10-FZ071SA100SM02-L526L18,SMBJ18CA,ADP32F12A,PS9531L3,10-FZ071SA075SM02-L525L18,RBN75H65T1GPQ-A0,C4D30120D,KSF60F60B,SID1152K,SI8621BD-B-IS,10-FZ07ANA100SM-LE29L08,10-FZ074PA050SM-L624F08,10-FZ074PA075SM-L625F08,SGM2019
鲁晶携多款功率器件产品出席第十四届亚洲电源技术发展论坛，为新能源、光伏、充电桩等领域应用提供服务
鲁晶半导体携旗下Si SBD/FRD/SCR、Si MOS/IGBT、SiC Diodes、SiC MOSFET等功率器件产品出席第十四届亚洲电源技术发展论坛，产品广泛应用于各类智能家电、电动工具、新能源、充电桩、光伏、电源、工控等领域。
AK1CK2M040WAM 1200V 40mOhm碳化硅功率MOSFET规格书
描述- 本资料为AK1CK2M040WAM硅碳化物功率MOSFET的数据手册。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和内置二极管等特点，适用于电机驱动、DC/DC转换器和太阳能逆变器等领域。
型号- AK1CK2M040WAM
充电桩模块选用瑶芯碳化硅功率MOSFET AKCK2M016WAMH，提供高电压、低阻值的单管方案
截止至2023年底，我国充电基础设施累计数量已超过800万台，充电桩市场还有很大的发展潜力。在该产品中，高效、可靠的充电桩模块是核心。这对功率半导体组件，提出了更高的要求。瑶芯微MOSFET AKCK2M016WAMH成为充电桩模块应用中的理想选择。
瑶芯微1700V 1000mΩ碳化硅功率MOSFET，高效提升储能电站辅助电源性能
本文以瑶芯微的一款1700V 1000mΩ碳化硅功率MOSFET AKCK7M1K0WMH为例，重点阐述了其高压、高效率的特性，非常适合用在储能电站的辅助电源系统中，为大家设计类似项目提供了一个较好的解决方案。
显著提升充电桩充电效率，基本半导体应用于高压快充的E2B碳化硅功率模块方案解析
基本半导体PcoreTM2 E2B全碳化硅半桥MOSFET模块BMF240R120E2G3基于高性能晶圆平台设计，在比导通电阻、开关损耗、抗误导通、可靠性等方面表现出色。在高压快充的大背景下，以基本半导体为代表的碳化硅功率器件企业将不断加大研发力度，确保先进技术能紧跟行业趋势和市场需求，为充电桩设备制造企业提供更高性能的碳化硅功率器件。
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm；笔电D8热管打扁厚度1.0mm，可解40W热量；高功率D10热管可解60W热量。
最小起订量： 10000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论